半导体封装制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装，包括：一个以上基板，形成有可实现电性连接的特定图案；一个以上半导体芯片，配置在所述基板上部，包括具有1次导电金属层的下面与具有2次导电金属层的上面；导体，一端与所述1次导电金属层或所述2次导电金属层电性连接，在最外侧接触面的至少一个以上面上镀有导体镀层；一个以上金属粉末层，形成为接触所述1次导电金属层或所述2次导电金属层；以及封装外壳，将终端端子暴露至外部，对所述基板、所述半导体芯片、所述导体、所述金属粉末层进行封装，所述导体与具有所述1次导电金属层的所述半导体芯片的下面或者具有所述2次导电金属层的所述半导体芯片的上面电性连接，从而与所述基板或终端端子电性连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装


[0001]本专利技术涉及半导体封装，其通过形成与基板及导体具有相似热膨胀系数的金属粉末层的金属颗粒来形成接合结构，可以最小化裂纹的产生，提高接合部的可靠性。

技术介绍

[0002]通常，半导体封装构成为包括基板上的半导体芯片、粘合在半导体芯片上的作为金属桩的导体、由Cu构成的引线框架，以及由密封材料模制而成的外壳，其中，半导体芯片附着在引线框架的垫板上，与引线框架的引线介入由Ag构成的镀层，从而通过作为信号线的焊线与半导体芯片的垫板电性连接。
[0003]一方面，半导体芯片与基板及导体分别通过介入焊料进行接合，但由于各种材料不同的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)，存在接合部产生裂纹(crack)的问题。
[0004]图7例示了使用现有技术的焊料的半导体封装接合结构处所产生裂纹的SEM照片，根据操作，半导体封装会重复发热与冷却过程，因此由于不同材料的热膨胀系数存在差异，会产生如图7的右侧SEM照片所示的裂纹。
[0005]即，由于介在包括铜的基板10与半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：一个以上的基板，其形成有可实现电性连接的特定图案；一个以上的半导体芯片，其配置在所述基板上部，包括具有1次导电金属层的下面与具有2次导电金属层的上面；导体，其一端与所述1次导电金属层或所述2次导电金属层电性连接，在最外侧接触面的至少一个以上的面上镀有导体镀层；一个以上的金属粉末层，其形成为接触所述1次导电金属层或所述2次导电金属层；以及封装外壳，其将终端端子暴露至外部，并对所述基板、所述半导体芯片、所述导体、所述金属粉末层进行封装，所述导体与具有所述1次导电金属层的所述半导体芯片的下面或者具有所述2次导电金属层的所述半导体芯片的上面电性连接，从而与所述基板或终端端子电性连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述金属粉末层包括金属粉末，包括接触所述1次导电金属层，从而与所述1次导电金属层电性连接的1次金属粉末层，以及接触所述2次导电金属层，从而与所述2次导电金属层电性连接的2次金属粉末层。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，形成所述金属粉末层的金属粉末是金属颗粒。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述金属颗粒由Ag或Cu的单一材料构成，或者包括70％以上的Ag、Au、Cu以及Ni中任一个以上。5.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，在所述金属颗粒之间存在无法填充其他金属物质的一个以上空隙。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，所述一个以上空隙的大小是1μm以下。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，一个以上的所述基板包括一个以上的绝缘层。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述1次导电金属层或所述2次导电金属层由1层以上的金属层层叠形成，所述金属层是Al、Ag、Au、Pd、Ni或者Cu的单一材料，或者是含有70％以上Al、Ag、Au、Pd、Ni及Cu中任一个以上成分的合金。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，与所述金属粉末层接触的所述1次导电金属层或者所述2次导电金属层的最外侧金属层是Ni、Ag、Au、Al或者Cu的单一材料，或者是含有10％至80％...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔伦华，
申请(专利权)人：JMJ韩国株式会社，
类型：发明
国别省市：