耦合半导体封装制造技术

本发明专利技术公开一种耦合半导体封装,包括：两个以上的基板垫(110)；在各个基板垫(110)上安装的一个以上的半导体芯片(120)；与各个基板垫(110)和各个半导体芯片(120)分别电性连接的一个以上的终端端子(130)；及覆盖一个以上的半导体芯片(120)和一个以上的终端端子(130)的一部分的封装外壳(140)，并且，一个以上的基板垫(110)的底面电性地导通，另一个以上的基板垫(110)的底面电性绝缘，从而，无需在散热设备涂覆绝缘物质，而在与散热设备的接合时形成部分的绝缘。

【技术实现步骤摘要】
耦合半导体封装
本专利技术涉及一种一个以上的基板垫的底面电性导通，另一个以上的基板垫的底面电性绝缘，从而，无需在散热设备涂覆绝缘物质，而在与散热设备接合时能够部分地形成绝缘的耦合半导体封装。
技术介绍
一般而言，封装型电力半导体装置因在驱动中发散的电力形成所需以上的高温环境，因此，重要的一点是释放热量使其以既定水准冷却而将热阻抗最小化。并且，作为与其相关的散热结构，如图1所示例，由封装型电力半导体装置10和绝缘垫12和散热设备14构成，半导体芯片附着在金属磨带21，用密封材料20密封，通过介入绝缘垫12而附着的散热设备14发散热量。如上述地，为了与散热设备结合，各个半导体装置要分别具备单独的绝缘垫或涂覆绝缘物质。因此，为了改善上述的问题，需要一种以更加经济性的方法无需在散热设备上涂覆绝缘物质而在与散热设备接合时能够形成部分的绝缘的技术。【先行技术文献】【专利文献】韩国登录专利公报第10-1448850号(半导体封装及其制造方法,2014.10.14)韩国登录专利公报第10-0685253号(封装型电力半导体装置,2007.02.22.)
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的思想要解决的技术问题是提供一种一个以上的基板垫的底面电性导通，另一个以上的基板垫的底面电性绝缘形成，从而，无需在散热设备上涂覆绝缘物质，而在与散热设备接合时能够形成部分的绝缘的耦合半导体封装。解决问题的技术方案为了实现上述目的，本专利技术提供一种耦合半导体封装，包括：两个以上的基板垫；一个以上的半导体芯片，其在各个所述基板垫上安装；一个以上的终端端子，其与各个所述基板垫和各个所述半导体芯片分别电性连接；及封装外壳，其覆盖一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子的一部分，并且，一个以上的所述基板垫的底面电性导通,另一个以上的所述基板垫的底面电性绝缘。并且，一个以上的所述基板垫的底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性导通,另一个以上的所述基板垫的底面未向所述封装外壳的外部裸露而电性绝缘。并且，所述基板垫由导电金属形成。并且，一个以上的所述基板垫由导电金属形成,底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性导通,另一个以上的所述基板垫由形成有绝缘层的绝缘基板形成，所述绝缘基板的底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性绝缘。并且，所述封装外壳由EMC形成。并且，另一个以上的所述基板垫由顺次地层积形成的一个以上的金属层和一个以上的绝缘层和一个以上的金属层形成。并且，所述绝缘层包含陶瓷(Al2O3)、AlN或Si3N4。并且，一个以上的所述基板垫和一个以上的所述终端端子由相同材质形成而以一体型连接形成。并且，一个以上的所述基板垫和一个以上的所述终端端子分别分离而形成，并通过超音波熔接、焊接或激光焊接而相互接合。并且，所述终端端子对于所述终端端子的整体重量含有40重量％以上的Al。并且，在所述封装外壳形成有一个以上的贯通孔。并且，在一个以上的所述基板垫形成有与一个以上的所述贯通孔对应的孔。并且，还包括：散热设备，其借助于贯通所述贯通孔和所述孔的结合部件而结合。并且，一个以上的所述基板垫的底面相比底面面积以90％以上裸露在所述封装外壳的一面外部。并且，一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子以Au、Al或Cu单一材质形成电性连接，或以包含Au、Al及Cu中某一个以上的复合材质形成电性连接。并且，一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子的电性连接通过导电金属线形成。并且，一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子的电性连接通过金属夹形成。专利技术的效果根据本专利技术，具有如下效果：将两个以上的基板垫在单一结构的封装外壳模塑，使得一部分基板垫裸露，使得另一部分基板垫未裸露，由此，无需在散热设备涂覆绝缘物质，而在与散热设备接合时节约性地形成部分的绝缘。并且，具有如下效果：将一部分基板垫以绝缘基板或DBC基板使用，使得两个以上的基板垫裸露，从而，无需在散热设备涂覆绝缘物质，而在与散热设备接合时节约性地形成部分的绝缘。附图说明图1示例以往技术的半导体封装；图2图示本专利技术的耦合半导体封装的第1实施例；图3表示图2的耦合半导体封装的分解立体图；图4表示本专利技术的耦合半导体封装的第2实施例；图5表示图4的耦合半导体封装的分解立体图；图6表示本专利技术的耦合半导体封装的第3实施例；图7及图8表示图6的耦合半导体封装的分解立体图。附图标记说明110:基板垫110a,110c:金属层110b:绝缘层111:孔112:绝缘层120:半导体芯片130:终端端子131:第1终端端子132:第2终端端子140:封装外壳具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例，以便本专利技术的所述
的普通技术人员容易实施。本专利技术可以各种不同的形态实施，并非限定于如下说明的实施例。本专利技术的耦合半导体封装的要旨为，整体上包括：两个以上的基板垫110；在各个基板垫110上安装的一个以上的半导体芯片120；与各个基板垫110和各个半导体芯片120分别电性连接的一个以上的终端端子130；及覆盖一个以上的半导体芯片120和一个以上的终端端子130的一部分的封装外壳140，并且，一个以上的基板垫110的底面电性地导通，另一个以上的基板垫110的底面电性绝缘，从而，无需在散热设备涂覆绝缘物质，而在与散热设备的接合时形成部分的绝缘。以下，将上述构成的耦合半导体封装根据基板垫110的种类按裸露在封装外壳140外部的结构，分别详细说明第1实施例至第3实施例。参照图2及图3，详细说明第1实施例的耦合半导体封装。首先，基板垫110是安装半导体芯片120的引线框架，在封装外壳140内以单独垫方式模塑两个以上，一个以上的基板垫110的底面电性导通，另一个以上的基板垫110的底面电性绝缘形成。如图2的b所示，基板垫110由导电金属形成，一个以上的基板垫110的底面裸露在封装外壳140的一面外部而电性导通，另一个以上的基板垫110的底面未向封装外壳140的外部裸露，而电性绝缘，因此，在与散热设备未图示接合时形成部分绝缘。一个以上的基板垫110的底面一部分或全部向封装外壳140的外部裸露，并且，一个以上的基板垫110的底面与底面面积相比以90％以上裸露在封装外壳140的一面外部，从而，最大化散热效果。因此，需要与散热设备绝缘时，也无需将另外的绝缘物质涂覆在散热设备形成绝缘,而更加单一化半导体封装的制造工艺。半导体芯片120在各个基板垫110上介入导电粘合剂而安装一个以上。作为参考，导电粘合剂含有40％以上的Sn,或含有50％以上的Ag或Cu，但，并非限定于此。并且，半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耦合半导体封装，其特征在于，包括：/n两个以上的基板垫；/n一个以上的半导体芯片，其在各个所述基板垫上安装；/n一个以上的终端端子，其与各个所述基板垫和各个所述半导体芯片分别电性连接；及/n封装外壳，其覆盖一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子的一部分，/n并且，一个以上的所述基板垫的底面电性导通,另一个以上的所述基板垫的底面电性绝缘。/n

【技术特征摘要】
20200812 KR 10-2020-0101183;20210305 KR 10-2021-001.一种耦合半导体封装，其特征在于，包括：
两个以上的基板垫；
一个以上的半导体芯片，其在各个所述基板垫上安装；
一个以上的终端端子，其与各个所述基板垫和各个所述半导体芯片分别电性连接；及
封装外壳，其覆盖一个以上的所述半导体芯片和一个以上的所述终端端子的一部分，
并且，一个以上的所述基板垫的底面电性导通,另一个以上的所述基板垫的底面电性绝缘。


2.根据权利要求1所述的耦合半导体封装，其特征在于，
一个以上的所述基板垫的底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性导通,
另一个以上的所述基板垫的底面未向所述封装外壳的外部裸露而电性绝缘。


3.根据权利要求2所述的耦合半导体封装，其特征在于，
所述基板垫由导电金属形成。


4.根据权利要求1所述的耦合半导体封装，其特征在于，
一个以上的所述基板垫由导电金属形成,底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性导通,
另一个以上的所述基板垫由形成有绝缘层的绝缘基板形成，所述绝缘基板的底面一部分或全部向所述封装外壳的一面外部裸露而电性绝缘。


5.根据权利要求1所述的耦合半导体封装，其特征在于，
所述封装外壳由EMC形成。


6.根据权利要求1所述的耦合半导体封装，其特征在于，
另一个以上的所述基板垫由顺次地层积形成的一个以上的金属层和一个以上的绝缘层和一个以上的金属层形成。


7.根据权利要求6所述的耦合半导体封装，其特征在于，
所述绝缘层包含陶瓷(Al2O3)、AlN或Si3N...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔伦华，
申请(专利权)人：JMJ韩国株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR