晶片吸盘制造技术

一种晶片吸盘包括吸盘本体及多个密封环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。承载表面的直径对晶片的直径的比率大体上等于或大于45％且大体上等于或小于90％。密封环设置在承载表面上且被配置成在实体上接触晶片。密封环环绕真空孔。

Wafer sucker

A wafer sucker includes a sucker body and a plurality of sealing rings. The suction cup body includes a bearing surface and at least one vacuum hole arranged on the bearing surface, and the bearing surface is configured as a bearing wafer. The ratio of the diameter of the bearing surface to the diameter of the wafer is substantially equal to or greater than 45% and substantially equal to or less than 90%. The seal ring is arranged on the bearing surface and is configured to contact the wafer on the entity. The seal rings around the vacuum hole.

【技术实现步骤摘要】
晶片吸盘
本专利技术实施例涉及一种晶片吸盘。
技术介绍
较大的晶片可容纳更多的芯片且可降低每一芯片的成本。因此，现今在半导体制造工艺中普遍使用具有较大的尺寸的晶片。尽管可使用具有较大的尺寸(例如300毫米(mm)或甚至更大)的晶片来降低制造成本，然而较大的晶片会引入先前在较小的晶片中所未考虑到的新问题。一个关键问题是对于300mm或更大的晶片，晶片翘曲(waferwarpage)变得更为严重。晶片翘曲造成许多非期望的制造缺陷。举例来说，晶片上的旋涂层(spun-onlayer)在中心处所具有的厚度可能大于在外边缘处所具有的厚度。在刻蚀工艺(etchingprocess)中，从晶片中心到边缘出现临界尺寸(criticaldimension，CD)均匀性的问题至少部份是源自于对晶片翘曲的不完美吸附(chucking)。此外，在光刻工艺(photolithographicprocess)中，光刻胶(photoresist，PR)层从晶片中心到外边缘的厚度均匀性是关键。在曝光期间，由晶片翘曲所引发的焦点漂移(focusdrift)对于临界尺寸均匀性来说可能会造成毁灭性的影响。
技术实现思路
本专利技术实施例是针对一种晶片吸盘，其可提升对晶片的吸附稳定性与均匀性。根据本专利技术的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片，其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％且小于或等于90％。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述密封环环绕所述真空孔。根据本专利技术的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体以及多个密封环。所述吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述至少一个真空孔，所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述多个开口间隙彼此对齐以在所述多个密封环之间界定出至少一个气流通道。根据本专利技术的实施例，一种晶片吸盘包括吸盘本体、多个密封环以及边缘环。吸盘本体包括承载表面及设置在所述承载表面上的真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片。所述多个密封环设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述真空孔。所述边缘环环绕所述吸盘本体的边缘，其中所述边缘环的顶表面高于所述多个密封环中的每一者的顶表面。所述真空器件耦合到所述吸盘本体且与所述真空孔气体连通。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。图2示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。图3示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。图4到图13示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。图14示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的局部透视图。图15示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。[符号的说明]100、100’、100”：晶片吸盘110：吸盘本体112：承载表面114、114a、114b：真空孔116：真空管线120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、120i、120j、120k：密封环122、122a、122b、122d、122e：开口间隙130：真空器件132：气体阀门140：转动机构150：边缘环152：定位部分154：邻接部分160：锁固组件170：轴杆200：晶片Aw：气流通道D1、D2：直径H1、h1：高度R1：周边边缘W1：宽度θ：顶角具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本专利技术可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。另外，为易于说明，本文中可能使用例如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用语来阐述图中所示的一个或多个相似的或不同的元件或特征，且所述用语可依据呈现次序或说明的上下文来互换使用。图1示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的剖视图。图2示出根据本专利技术一些示例性实施例的晶片吸盘的俯视图。在一些实施例中，晶片吸盘被配置成支撑晶片且将所述晶片保持在固定位置，以在半导体晶片加工(processing)工艺中均匀地加工所述晶片。举例来说，参照图1，在一些实施例中，晶片吸盘100包括吸盘本体110、与吸盘本体110啮合的多个密封环120及耦合到吸盘本体110的真空器件130。在一些实施例中，密封环120的宽度可彼此不同。吸盘本体110包括承载表面112及设置在承载表面112上的至少一个真空孔114，承载表面112被配置成承载晶片200。在一些实施例中，晶片吸盘100被配置成在晶片制作工艺中的晶片200加工过程中支承并定位晶片200，例如为在化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)装置的加工室中用于在半导体晶片上形成薄膜、在干法刻蚀(dryetching)装置中用于对晶片进行微机(micromachining)工艺、在液晶显示器制作工艺中用于支承(holding)玻璃基板(晶片)、在半导体封装工艺中用于支承载体(carrier)或其他类似用途。在一些实施例中，承载表面112为圆形，所述圆形具有比晶片200的直径D2小的直径D1以防止承载表面112上的例如密封环120等突出部分延伸超出晶片200的周边边缘R1，且防止所述突出部分暴露于刻蚀反应产物(etchingreactionproduct)。此外，在承本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片吸盘，其特征在于，包括：/n吸盘本体，包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片，其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％且小于或等于90％；以及/n多个密封环，设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述密封环环绕所述真空孔。/n

【技术特征摘要】
20180530 US 15/992,2091.一种晶片吸盘，其特征在于，包括：
吸盘本体，包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片，其中所述承载表面的直径对所述晶片的直径的比率大于或等于45％且小于或等于90％；以及
多个密封环，设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述密封环环绕所述真空孔。


2.根据权利要求1所述的晶片吸盘，所述至少一个真空孔包括多个真空孔且所述多个密封环中的每一者环绕所述多个真空孔中的至少一者。


3.根据权利要求1所述的晶片吸盘，所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐。


4.一种晶片吸盘，其特征在于，包括：
吸盘本体，包括承载表面及设置在所述承载表面上的至少一个真空孔，所述承载表面被配置成承载晶片；以及
多个密封环，设置在所述承载表面上且被配置成在实体上接触所述晶片，其中所述多个密封环环绕所述至少一个真空孔，所述多个密封环包括多个开口间隙，且所述多个开口间隙彼此对齐以在所述多个密封环之间界定出至少一个气流通道。


5.根据权利要求4所述的晶片吸盘，所述多个开口间隙沿穿过所述吸盘本体的中心的方向彼此对齐，且所述至少一个真空孔设置在所述承载表面的所述中心处。

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【专利技术属性】
技术研发人员：廖思豪，余振华，郭宏瑞，胡毓祥，陈韦志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW