发光组件制造技术

一种发光组件，包括：复数个微发光二极管（100），微发光二极管包括半导体层序列（110），半导体层序列（110）至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层（121），与第二类型半导体层电连接的第二电接触层（122），用于向微发光二极管（100）提供支撑的支架（200），支架（200）和发光组件（100）之间设置有用于粘附微发光二极管（100）的粘膜（300），微发光二极管（100）有规则地排布在粘膜（300）上，解决了在应用端，需多次进行微发光二极管（100）转移的问题，只需将发光组件键合到基板上即可构成适于应用的发光装置，提高了应用端的制作效率。

Light emitting module

A light-emitting component includes a plurality of micro light-emitting diodes (100), the micro light-emitting diodes including a semiconductor layer sequence (110), the semiconductor layer sequence (110) comprising at least a first type semiconductor layer, a second type semiconductor layer and an active light-emitting layer located between the first type semiconductor layer and the second type semiconductor layer, and a first type semiconductor layer electrically connected with the first type semiconductor layer The electric contact layer (121), the second electric contact layer (122) electrically connected with the second type semiconductor layer, a bracket (200) for providing support for the micro light emitting diode (100), a mucosa (300) for adhering the micro light emitting diode (100) is arranged between the bracket (200) and the light emitting component (100), and the micro light emitting diode (100) is arranged on the mucosa (300) regularly In the application end, it is necessary to transfer the micro light emitting diode (100) for many times. It is only necessary to bond the light-emitting components to the substrate to form a suitable light-emitting device, which improves the production efficiency of the application end.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光组件
本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种提供给应用端使用的发光组件。
技术介绍
在目前市场上，MicroLED微发光二极管芯片在诸如生物传感器，汽车照明，显示器，柔性设备，光通信和视觉真实设备等广泛应用中受到关注。微型LED芯片的微小尺寸和结构，导致间距减小和外量子效率提高，是光电器件的革命。然而，MicroLED芯片的薄型和精巧架构很难转移和耗时。例如，如果传输过程是基于传统的贴片机，600万个MicroLED芯片可能会需要1个月的转移周期。用于批量生产过程的微LED芯片的转移过程效率低。虽然许多公司提供转移解决方案，但大规模生产中存在一些问题。在批量生产中，每次转移MicroLED芯片都可能会降低产品的产量。也就是说，因为拾取和放置过程包括传输头和基板的压力和热变化，过多的转移动作会增加MicroLED芯片的接合失败数量。
技术实现思路
本专利技术就是针对
技术介绍
的问题提出一种可行的解决方案，本专利技术提供了用于批量生产的新型微型发光二极管组件。在芯片制作工艺内，完成一系列MicroLED芯片的转移过程，然后将带有B、G、R芯粒的薄膜交付给应用端。该种组件可以强化应用端产品的质量，通过此技术方案在应用端可以获得高键合效率的发光组件。具体来说，本专利技术提供了发光组件，包括：复数个发光二极管，发光二极管包括半导体层序列，半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，用于向发光二极管提供支撑的支架，支架和发光二极管之间设置有用于粘附发光二极管的连续或者分离的粘膜，发光二极管有规则地排布在粘膜上，粘膜为可抓取发光二极管芯粒的材质。根据本专利技术，优选的，有规则的排布是通过多次向粘膜转移发光二极管而获得的。根据本专利技术，优选的，粘膜为可移除材料，移除材料的移除方式包括但不限于化学分解、物理分解，例如采用光分解或者热分解等技术手段。根据本专利技术，优选的，粘膜在粘附发光二极管过程中为稳定结构。根据本专利技术，优选的，粘膜具有固定发光二极管的功能，并能够在物理或化学作用下释放所述发光二极管。根据本专利技术，优选的，粘膜的厚度为5~100μm。根据本专利技术，优选的，粘膜表面具有复数个台状凸起，台状凸起的凸面与发光二极管接触。根据本专利技术，优选的，台状凸起形状为长方体、圆台、棱柱或其他柱状结构。根据本专利技术，优选的，台状凸起之间的间距为20~600μm。根据本专利技术，优选的，台状凸起的高度大于发光二极管的厚度。根据本专利技术，优选的，台状凸起的高度为10~20μm。根据本专利技术，优选的，台状凸起是粘附发光二极管之前或者之后通过至少移除位于发光二极管之间的部分粘膜形成的。根据本专利技术，优选的，发光二极管侧壁具有由粘膜材料构成的薄膜。根据本专利技术，优选的，薄膜的厚度为3~10μm。根据本专利技术，优选的，薄膜的折射率为1.2~2。根据本专利技术，优选的，粘膜的硬度为15~50J/m3。根据本专利技术，优选的，粘膜材料包括聚酰亚胺、紫外光敏胶、热敏胶、水溶胶、硅胶。根据本专利技术，优选的，发光二极管的结构包括正装结构、倒装结构或者垂直结构。根据本专利技术，优选的，发光二极管在与粘膜接触的一面和/或在与粘膜接触的一面相邻的侧壁上具有保护层。根据本专利技术，优选的，保护层的作用包括抗腐蚀、抗水汽或者抗氧化。根据本专利技术，优选的，保护层材料包括硅、氧化硅、氮化硅或者环氧树脂。根据本专利技术，优选的，有规则地排布是通过分批次转移不同的发光二极管实现的。根据本专利技术，优选的，有规则地排布的组合方式包括不同出光波长组合排布、不同间距组合排布或者不同尺寸组合排布。根据本专利技术，优选的，不同出光波长组合排布方式包括蓝蓝蓝、蓝绿红、蓝绿绿红、蓝绿绿红红或蓝绿红红。根据本专利技术，优选的，不同尺寸组合排布方式包括不同厚度、不同出光面积或不同形状。根据本专利技术，优选的，发光组件用于键合到基板电路上。根据本专利技术，优选的，发光组件具有一次性从支架上转移复数个发光二极管到基板电路上的功能。根据本专利技术，优选的，发光二极管具有从2μm到5μm、从5μm到10μm、从10μm到20μm、从20μm到50μm或从50μm到100μm的长度。根据本专利技术，优选的，发光二极管具有从2μm到5μm、从5μm到10μm、从10μm到20μm、从20μm到50μm或从50μm到100μm的宽度。根据本专利技术，优选的，发光二极管具有从2μm到5μm、从5μm到10μm、从10μm到20μm、从20μm到50μm或从50μm到100μm的高度。根据本专利技术，优选的，支架的材料包括蓝宝石、砷化镓、硅或者碳化硅。基于本专利技术公开的发光组件，本专利技术还提供了一种发光装置，包括上述任意一项的发光组件，发光装置由基板电路和键合在基板电路上的发光组件组成。本专利技术提供了制作上述发光组件的工艺方法，一种发光组件的制作方法，发光组件用于将发光二极管键合到基板电路上，其中发光二极管具有半导体序列，半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，发光二极管还包括与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，包括：步骤（1）提供一个用于给发光组件提供支撑的支架，在支架上涂覆一层粘膜；步骤（2）在粘膜上粘附具有第一波长出光的发光二极管芯粒、不同于第一波长的第二波长出光的发光二极管芯粒，制得发光组件；其中，步骤（2）的发光二极管芯粒粘附到粘膜上为按不同波长分批次进行的。根据本专利技术，优选的，在步骤（2）之前或者之后移除部分或者全部发光二极管芯粒之间的粘膜，将粘膜制作成具有台状凸起的结构。根据本专利技术，优选的，发光二极管芯粒具有与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，第一电接触层和第二电接触层位于发光二极管背离粘膜的一侧的表面。本专利技术还提供了一种发光装置的制作方法，发光装置具有基板电路，制作方法的步骤包括上述任意一种发光组件的制作方法，再将发光组件的制作方法制得的发光组件键合到基板电路上。根据本专利技术，优选的，在键合后将粘膜和/或支架移除。本专利技术的有益效果包括：（1）将发光二极管有规则地排布在粘膜上，作为待售产品，在应用端提供可以快速地接合各规格发光组件，增加应用端的工作效率，亦可增加芯片的附加价值。（2）通过多次向粘膜转移不同规格的发光二极管值得发光组件而后一次性向基板电路键合发光组件，用以替代现有模式中多次向基板电路转移不同发光二极管的工艺流程，降低转移工艺对基板电路例如破坏或者损伤等负面影响。（3）粘膜为可移除的材料，提供了在发光组件中制作出各种图形的可能性，以在实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.发光组件，包括：复数个发光二极管，发光二极管包括半导体层序列，半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，/n用于向发光二极管提供支撑的支架，/n其特征在于，支架和发光二极管之间设置有用于粘附发光二极管的连续或者分离的粘膜，发光二极管有规则地排布在粘膜上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.发光组件，包括：复数个发光二极管，发光二极管包括半导体层序列，半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，
用于向发光二极管提供支撑的支架，
其特征在于，支架和发光二极管之间设置有用于粘附发光二极管的连续或者分离的粘膜，发光二极管有规则地排布在粘膜上。


2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，有规则的排布是通过多次向粘膜转移发光二极管而获得的。


3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜为可移除材料。


4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜在粘附发光二极管过程中为稳定结构。


5.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜具有固定发光二极管的功能，并能够在物理或化学作用下释放发光二极管。


6.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜的厚度为5~100μm。


7.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜表面具有复数个台状凸起，台状凸起的凸面与发光二极管接触。


8.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，台状凸起形状为长方体、圆台、棱柱或其他柱状结构。


9.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，台状凸起之间的间距为20~600μm。


10.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，台状凸起的高度大于发光二极管的厚度。


11.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，台状凸起的高度为10~20μm。


12.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，台状凸起是粘膜粘附发光二极管之前或者之后通过至少移除位于发光二极管之间的部分粘膜形成的。


13.根据权利要求12所述的发光组件，其特征在于，发光二极管侧壁具有由粘膜材料构成的薄膜。


14.根据权利要求13所述的发光组件，其特征在于，薄膜的厚度为3~10μm。


15.根据权利要求13所述的发光组件，其特征在于，薄膜的折射率为1.2~2。


16.根据权利要求1或13所述的发光组件，其特征在于，粘膜的硬度为15~50J/m3。


17.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，粘膜材料包括聚酰亚胺、紫外光敏胶、热敏胶、水溶胶、硅胶。


18.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，发光二极管的结构包括正装结构、倒装结构或者垂直结构。


19.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，发光二极管在与粘膜接触的一面和/或在与粘膜接触的一面相邻的侧壁上具有保护层。


20.根据权利要求19所述的发光组件，其特征在于，保护层的作用包括抗腐蚀、抗水汽或者抗氧化。


21.根据权利要求19所述的发光组件，其特征在于，保护层材料包括硅、氧化硅、氮化硅或者环氧树脂。


22.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，有规则地排...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘同凯，丁绍滢，徐宸科，李佳恩，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35