背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜制造技术

提供背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、能够以贴接于半导体芯片的背面的状态实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。提供具备该背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。作为本发明专利技术的背面密合薄膜的薄膜含有在可见光和近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。对由薄膜准备的厚度25μm的薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的总透光率的比值为1.2以上。切割带一体型背面密合薄膜X具备切割带(20)和以可剥离的方式密合于其粘合剂层(22)的薄膜(10)。

Back sealing film and cutting tape

Provide back sealing film and cutting tape one-piece back sealing film. The back sealing film is suitable for ensuring good infrared shielding and laser marking, and is able to perform chip inspection based on the infrared microscope observation from the back side of the chip in the state of being attached to the back side of the semiconductor chip. A cutting belt type back sealing film having the back sealing film is provided. The film as the back sealing film of the invention comprises a plurality of light absorbing components with maximum absorption at different wavelengths within the wavelength areas of visible light and near infrared light. The ratio of the total transmittance of the light with wavelength of 1000nm measured by the film specimen with thickness of 25 \u03bc m prepared by the film to the total transmittance of the light with wavelength of 1800nm measured by the same specimen is more than 1.2. The back sealing film X of the cutting belt integrated body has a cutting belt (20) and a film (10) which can be peeled and sealed to its adhesive layer (22).

【技术实现步骤摘要】
背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜
本专利技术涉及能用于覆盖保护半导体芯片的背面的背面密合薄膜、及具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。
技术介绍
具备进行了倒装芯片安装的半导体芯片的半导体装置中，在该芯片中与形成有电路的所谓表面相反的里面和/或背面上，有时设置成为保护膜的薄膜。另外，要求在半导体芯片上的这种背面密合薄膜上，利用可见光区域的波长的激光能适当地刻印文字信息、图形信息等各种信息。对于这种背面密合薄膜，记载于例如下述的专利文献1～3中。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-250970号公报专利文献2：日本特开2008-6386号公报专利文献3：日本特开2008-166451号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题对半导体芯片用的背面密合薄膜有时要求红外线遮蔽功能。这是因为有时红外线对于半导体芯片的电路的输入/输出信号而言会成为噪音。另外，半导体芯片越薄，该芯片在其厚度方向受到红外线照射时透过该芯片厚度方向的红外线的量越有增大的倾向。因此，有半导体芯片越薄型化，背面密合薄膜对红外线遮蔽功能的要求越强的倾向。另一方面，对于半导体芯片，作为用于检查有无裂纹、缺口等的检查，有时实施基于红外线显微镜观察的检查。该检查中大多使用处于900～1200nm的波长范围内的红外线。另外，在具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，有时使用与半导体晶圆相对应的尺寸的圆盘形状的背面密合薄膜与切割带贴合而成的复合薄膜(切割带一体型背面密合薄膜)。本专利技术是基于如上所述的实际情况而想到的，其目的在于，提供适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的背面密合薄膜。另外，本专利技术的另一目的在于提供具备这种背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。用于解决问题的方案根据本专利技术的第1方面，提供背面密合薄膜。该背面密合薄膜含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收。本专利技术中，可见光及近红外线的波长区域是指360～2500nm的波长区域。对由该背面密合薄膜准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对相同试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。本背面密合薄膜如上所述含有在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。这种构成适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性相对较低的两个波长区域(透光性低区域)中的、透光性相对较高的波长区域(透光性高区域)的背面密合薄膜，例如，适于实现在可见光及近红外线的波长区域内具有夹在透光性低区域中的、1000nm及其附近的透光性高区域的背面密合薄膜。对于本背面密合薄膜，1000nm及其附近的波长区域的透光性高对于能够在背面密合薄膜贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查而言是适合的。对于本背面密合薄膜，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域长的一侧存在透光性低区域对于确保背面密合薄膜的良好的红外线遮蔽性而言是适合的。对于本背面密合薄膜，在波长比1000nm及其附近的透光性高区域短的一侧存在透光性低区域对于确保背面密合薄膜的良好的可见光吸收性而言是适合的、进而对于确保可见光区域的波长的激光的刻印性(激光标记性)而言是适合的。而且，本背面密合薄膜中，上述第2总透光率相对于上述第1总透光率的比的值为1.2以上，优选为1.4以上、更优选为1.6以上。这种构成对于本背面密合薄膜在1800nm及其附近的波长区域与1000nm及其附近的波长区域之间透光性存在显著的差异、并且实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的平衡而言是适合的。如上所述，本背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。具备倒装芯片安装型的半导体芯片的半导体装置的制造过程中，如上所述，有时使用切割带一体型背面密合薄膜。该情况下，作为从半导体晶圆向半导体芯片的单片化手法，有时采用所谓隐形切割。隐形切割中，在半导体晶圆被保持在作为复合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜的背面密合薄膜侧的状态下，例如从与复合薄膜相反的一侧对半导体晶圆沿其分割预定线照射聚光点聚集在晶圆内部的激光，通过由多光子吸收引起的烧蚀，在该半导体晶圆内形成改性区域。改性区域为用于将半导体晶圆分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。作为这样的隐形切割中的激光，大多利用处于1050～1100nm的波长范围内的红外线。本专利技术的背面密合薄膜如上所述适合以在1000nm及其附近具有局部的透光性高区域的方式来构成。这样的本背面密合薄膜适于实现在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即低的平均透过率)与隐形切割中的激光透过性、即对半导体晶圆的隐形切割激光加工性的平衡。本背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、并且能够在贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查，而且也适于确保隐形切割中的激光加工性。本背面密合薄膜的第2总透光率优选为50％以上、更优选为60％以上、更优选为70％以上、更优选为75％以上、更优选为80％以上。这种构成从能够在本背面密合薄膜贴接于半导体芯片的背面的状态下实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查的方面考虑是优选的。另外，该构成在本背面密合薄膜采用上述的切割带一体型背面密合薄膜的形态的情况下适于确保隐形切割中的上述激光加工性。本背面密合薄膜的第1总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下、更优选为25％以下、更优选为20％以下。这种构成从确保本背面密合薄膜在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的方面考虑是优选的。本背面密合薄膜优选包含在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料作为上述的多个吸光成分之一。这种构成从实现在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性与在整个红外线区域中的实际的光遮蔽性(即，低的平均透过率)的上述平衡的方面考虑是优选的。本背面密合薄膜中所含的颜料的平均粒径优选为10μm以下。这种构成从抑制本背面密合薄膜内的光散射的方面考虑是优选的。光散射的该抑制有助于实现本背面密合薄膜在1000nm及其附近的局部波长区域的高透光性。对由本背面密合薄膜准备的厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的、波长500nm的光线的第3总透光率优选为40％以下、更优选为35％以下、更优选为30％以下。这种构成对于本背面密合薄膜确保良好的可见光吸收性而言是适合的、进而适于确保激光标记性。本背面密合薄膜优选包含在可见光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面密合薄膜，其含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收，/n对厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对所述背面密合薄膜试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上。/n

【技术特征摘要】
20180529 JP 2018-1023741.一种背面密合薄膜，其含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收，
对厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对所述背面密合薄膜试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上。


2.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述第2总透光率为50％以上。


3.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述第1总透光率为40％以下。


4.根据权利要求1所述的背面密合薄膜，其中，所述多个吸光成分包含在1200～2000nm的波长区域具有最大吸收的颜料。


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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤慧，志贺豪士，高本尚英，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP