一种晶圆的减薄方法及晶圆结构技术

本发明专利技术提供一种晶圆的减薄方法及晶圆结构，本申请实施例提供了一种晶圆的减薄方法，提供待减薄晶圆后，可以从晶圆的背面进行研磨，再从晶圆的背面进行第一次平坦化工艺，以对研磨后晶圆的平整度进行修复，然后从晶圆的背面进行第二次平坦化工艺，直至达到目标减薄厚度。也就是说，本申请实施例可以在去除晶圆的部分厚度后，通过两次平坦化工艺修复晶圆的平整度，不需要采用外延层作为刻蚀停止层，降低了减薄的成本，而通过研磨来去除大部分的厚度，不需要使用酸法刻蚀，避免酸法刻蚀造成的横向钻蚀，从而减少因此横向钻蚀而导致的切边的次数，增大有效芯片面积。

A method of wafer thinning and wafer structure

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的减薄方法及晶圆结构
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种晶圆的减薄方法及晶圆结构。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，3D-IC(三维集成电路)技术得到了广泛的应用，其是利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，该技术具有高性能、低成本且高集成度的优点。在晶圆级封装技术的实现中，在晶圆键合之后，从晶圆的背面进行减薄，为了在减薄后获得平整的表面，通常采用EPI(Epitaxy，外延)晶圆，即在硅衬底上生长了外延层的晶圆，在减薄过程中，以该外延层作为酸法刻蚀的停止层，从而可以获得平整的硅表面，然而，EPI的晶圆价格高，而且在酸法刻蚀过程中会造成晶圆横向的钻蚀，需要通过切边来修整，这会减少有效芯片面积。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆的减薄方法及晶圆结构，减少切边的次数，增大有效芯片面积。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：本申请实施例提供了一种晶圆的减薄方法，包括：提供待减薄晶圆；从所述晶圆的背面进行研磨；从所述晶圆的背面进行第一次平坦化工艺，以对研磨后所述晶圆的表面平整度进行修复；从所述晶圆的背面进行第二次平坦化工艺，直至达到目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，包括：提供待减薄晶圆；从所述晶圆的背面进行研磨；从所述晶圆的背面进行第一次平坦化工艺，以对研磨后所述晶圆的表面平整度进行修复；从所述晶圆的背面进行第二次平坦化工艺，直至达到目标减薄厚度。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，包括：提供待减薄晶圆；从所述晶圆的背面进行研磨；从所述晶圆的背面进行第一次平坦化工艺，以对研磨后所述晶圆的表面平整度进行修复；从所述晶圆的背面进行第二次平坦化工艺，直至达到目标减薄厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次平坦化工艺和所述第二次平坦化工艺为化学机械平坦化。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待减薄晶圆为硅晶圆。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待减薄晶圆与另一晶圆键合。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，研磨后所述晶圆的表面平整度的误差小于0.5μm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨的控制方法包括：S201，在设定的研磨参数下控制研磨机进行所述待减薄晶圆的研磨；S202，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；S203，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S201，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专...

【专利技术属性】
技术研发人员：易洪昇，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42