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本发明提供一种晶圆的减薄方法及晶圆结构，本申请实施例提供了一种晶圆的减薄方法，提供待减薄晶圆后，可以从晶圆的背面进行研磨，再从晶圆的背面进行第一次平坦化工艺，以对研磨后晶圆的平整度进行修复，然后从晶圆的背面进行第二次平坦化工艺，直至达到目标...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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