柔性芯片的制备方法及柔性芯片技术

本申请的柔性芯片的制备方法，包括：提供扇出型晶圆级封装件，扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于重布线层与封装层之间的多个芯片；对扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行减薄，使多个芯片与封装层被同步减薄；在减薄后的扇出型晶圆级封装件的封装层一侧形成高聚物薄膜层，获得柔性扇出型晶圆级封装件；切割柔性扇出型晶圆级封装件，得到多个柔性芯片。本申请能够实现超薄芯片的柔性封装。

The preparation method and flexible chip of flexible chip

【技术实现步骤摘要】
柔性芯片的制备方法及柔性芯片
本申请涉及芯片
，具体涉及一种柔性芯片的制备方法及柔性芯片。
技术介绍
柔性显示和柔性电路板技术的快速发展给电子终端产品带来了革命性的变化，使得可穿戴设备和电子终端领域的电子产品表现出越来越多的柔性变形能力。专利技术人认为，尽管电子产品中的显示屏和电路板已经实现部分柔性化，但由于电子产品中所采用的芯片及其封装是不能发生变形的刚性器件，这极大限制了电子产品的整体柔性化变形能力。因此，芯片及其封装的柔性化是电子产品整体柔性化的关键。柔性芯片是指通过将硅晶圆减薄到一定厚度以下，使晶圆能够发生适当的弯曲变形，由该晶圆切割而成的超薄芯片同样具有柔性弯曲变形的能力。柔性芯片不仅要求封装体能够对芯片起到保护和电性能连接的作用，而且还要求封装体同样具有与芯片相近的柔性变形能力。然而，常规封装不仅要求被封装的芯片具有一定的刚度、不能发生弯曲变形，还要求封装体不能发生变形以避免封装体内的刚性芯片损坏。因此，常规的封装设计和封装工艺均难以满足柔性芯片的制备需求。
技术实现思路
针对上述技术问题，本申请提供一种柔性芯片的制备方法，通过对已经完成封装的扇出型封装件进行减薄并再次封装，使得芯片和原有的封装层得到同步柔性化减薄，并使得芯片在整个再封装过程中都受到原封装的保护，从而实现芯片封装后的柔性并降低不良率。为解决上述技术问题，本申请提供的一种柔性芯片的制备方法，包括：a.提供扇出型晶圆级封装件，所述扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于所述重布线层与所述封装层之间的多个芯片；b.对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄；c.在减薄后的扇出型晶圆级封装件的封装层一侧形成高聚物薄膜层，获得柔性扇出型晶圆级封装件；d.切割所述柔性扇出型晶圆级封装件，得到多个柔性芯片。其中，步骤b包括：对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行机械减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄；对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行再减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄。其中，步骤b包括：将所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧贴附在第一刚性载板上；从所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧朝向所述第一刚性载板的方向，对所述扇出型晶圆级封装件进行减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄。其中，当所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧包含焊料凸点时步骤d，包括：对所述柔性扇出型晶圆级封装件进行划片，每个划片区域内包含至少一个芯片；将划片后的柔性扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧与所述第一刚性载板分离，得到多个柔性芯片。其中，当所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧不包含焊料凸点时，步骤d之前，还包括：将所述柔性扇出型晶圆级封装件的高聚物薄膜层一侧贴附在第二刚性载板上；将所述柔性扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧与所述第一刚性载板分离；在所述柔性扇出型晶圆级封装件的重布线层上形成焊料凸点。其中，步骤d，包括：对形成焊料凸点后的柔性扇出型晶圆级封装件进行划片，每个划片区域内包含至少一个芯片；将划片后的柔性扇出型晶圆级封装件的高聚物薄膜层一侧与所述第二刚性载板分离，得到多个柔性芯片。其中，在所述将所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧贴附在第一刚性载板上的步骤中，以及，在所述将所述柔性扇出型晶圆级封装件的高聚物薄膜层一侧贴附在第二刚性载板上的步骤中，利用键合胶实现所述贴附连接，所述键合胶为UV解键合、热解键合或激光解键合的键合胶。其中，在步骤c中，通过旋涂、喷涂或热压形成所述高聚物薄膜层。其中，所述高聚物薄膜层为环氧树脂类、聚酰亚胺类或苯并环丁烯类高分子聚合物。其中，对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行机械减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄到的厚度为25μm～35μm，所述高聚物薄膜层的厚度为20μm～50μm。本申请还提供一种柔性芯片，所述柔性芯片采用如上所述的柔性芯片的制备方法制备得到。本申请的柔性芯片的制备方法，提供扇出型晶圆级封装件，扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于重布线层与封装层之间的多个芯片，对扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行减薄，使多个芯片与封装层被同步减薄，在减薄后的扇出型晶圆级封装件的封装层一侧形成高聚物薄膜层，获得柔性扇出型晶圆级封装件，切割柔性扇出型晶圆级封装件，得到多个柔性芯片。通过这种方式，本专利技术在扇出型晶圆级封装(Fan-outwaferlevelpackage，FOWLP)基础上，提出了一种芯片和封装共同柔性化的新方法，通过对已经完成封装的扇出型封装件进行减薄并再次封装，使得芯片和原有的封装层得到同步柔性化减薄，并使得芯片在整个再封装过程中都受到原封装的保护，从而实现芯片封装后的柔性并降低不良率。附图说明图1是根据本申请第一实施例示出的柔性芯片的制备方法的流程示意图；图2是根据本申请第一实施例示出的柔性芯片的制备方法的工艺示意图；图3是根据本申请第二实施例示出的柔性芯片的制备方法的流程示意图；图4是根据本申请第二实施例示出的柔性芯片的制备方法的工艺示意图；图5是根据本申请第三实施例示出的柔性芯片的制备方法的流程示意图；图6是根据本申请第三实施例示出的柔性芯片的制备方法的工艺示意图。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。在下述描述中，参考附图，附图描述了本申请的若干实施例。应当理解，还可使用其他实施例，并且可以在不背离本申请的精神和范围的情况下进行机械组成、结构、电气以及操作上的改变。下面的详细描述不应该被认为是限制性的，并且本申请的实施例的范围仅由公布的专利的权利要求书所限定。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例，而并非旨在限制本申请。虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。第一实施例图1是根据本申请第一实施例示出的柔性芯片的制备方法的流程示意图。如图1所示，一种柔性芯片的制备方法，包括：步骤110，提供扇出型晶圆级封装件，扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于重布线层与封装层之间的多个芯片。请结合图2(a)，扇出型晶圆级封装件包括重布线层21、封装层22及位于重布线层21与封装层22之间的多个芯片23，其中，芯片23包括硅基层与位于硅基层一侧的电路层，也称为裸芯片，是一种在半导体元器件制造完成且未封装之前的产品形式。扇出型晶圆级封装件包含两种形态，具体为将裸芯片重构成晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性芯片的制备方法，其特征在于，包括：a.提供扇出型晶圆级封装件，所述扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于所述重布线层与所述封装层之间的多个芯片；b.对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄；c.在减薄后的扇出型晶圆级封装件的封装层一侧形成高聚物薄膜层，获得柔性扇出型晶圆级封装件；d.切割所述柔性扇出型晶圆级封装件，得到多个柔性芯片。

【技术特征摘要】
1.一种柔性芯片的制备方法，其特征在于，包括：a.提供扇出型晶圆级封装件，所述扇出型晶圆级封装件包括重布线层、封装层及位于所述重布线层与所述封装层之间的多个芯片；b.对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄；c.在减薄后的扇出型晶圆级封装件的封装层一侧形成高聚物薄膜层，获得柔性扇出型晶圆级封装件；d.切割所述柔性扇出型晶圆级封装件，得到多个柔性芯片。2.根据权利要求1所述的柔性芯片的制备方法，其特征在于，步骤b包括：对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行机械减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄；对所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧进行再减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄。3.根据权利要求1所述的柔性芯片的制备方法，其特征在于，步骤b包括：将所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧贴附在第一刚性载板上；从所述扇出型晶圆级封装件的封装层一侧朝向所述第一刚性载板的方向，对所述扇出型晶圆级封装件进行减薄，使所述多个芯片与所述封装层被同步减薄。4.根据权利要求3所述的柔性芯片的制备方法，其特征在于，当所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧包含焊料凸点时，步骤d包括：对所述柔性扇出型晶圆级封装件进行划片，每个划片区域内包含至少一个芯片；将划片后的柔性扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧与所述第一刚性载板分离，得到多个柔性芯片。5.根据权利要求3所述的柔性芯片的制备方法，其特征在于，当所述扇出型晶圆级封装件的重布线层一侧不包含焊料凸点时，步骤d之前...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，刘东亮，滕乙超，魏瑀，
申请(专利权)人：浙江荷清柔性电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33