存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。

Memory system and its operation method

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月26日提交的、申请号为10-2018-0022796的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术的各个示例性实施例涉及一种存储器系统，更特别地，涉及一种能够防止读取失败的存储器系统及其操作方法。
技术介绍
出现的计算机环境范例是普适计算，即可以在任何时间和任何地点使用的计算系统。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经快速增长。这些便携式电子装置通常使用具有一个或多个存储器装置的存储器系统来存储数据。这种装置中的存储器系统可用作主存储器或辅助存储器。由于存储器系统没有移动部件，所以它们提供优良的稳定性、耐用性、高的信息存取速度以及低功耗。具有这种优点的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。存储器装置的存储器单元已经被实施为具有用于存储更多数据的三维(3D)结构，然而，可能因为3D结构而存在固有的问题。更具体地，据报道，当对具有3D结构的存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，在包括在除第一存储块之外的第二存储块中的晶体管的沟道中可能会留下空穴。此外，据信，当随后对第二存储块执行读取操作时，由于保留在包括在第二存储块中的晶体管的沟道中的空穴，存储在第二存储块中的数据中可能会出现无法校正的错误，这可能导致对第二存储块的读取失败。据进一步报告，当对底部字线执行沟道初始化时间短的半页面读取操作时，发生这种读取失败的可能性相对较高。因此，需要解决现有技术的上述缺陷。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及一种存储器系统及存储器系统的操作方法，当对第一存储块执行擦除操作时，该存储器系统能够通过虚设读取操作去除保留在包括在第二存储块中的晶体管的沟道中的空穴，避免读取失败。根据本专利技术的实施例，一种存储器系统包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。非擦除块管理装置可包括：标记表，包括用于第一存储块和第二存储块中的每一个的擦除标记和非擦除标记；以及应力防止(stressprevetion)读取控制器，适于基于标记表控制存储器装置对第二字线执行读取操作。当对第一存储块执行擦除操作时，非擦除块管理装置可将对应于第一存储块的擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值，并将对应于第二存储块的非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。第一字线可包括处于第二存储块底部的底部字线区域和除底部字线区域之外的非底部字线区域之间的一个字线。当对非底部字线区域执行读取操作时，非擦除块管理装置可控制存储器装置以对非底部字线区域执行正常的读取操作。当对底部字线区域执行读取操作时，非擦除块管理装置可控制存储器装置以执行应力防止读取操作，该操作首先对第二字线执行虚设读取操作，然后对底部字线区域执行读取操作。第二字线可包括处于虚设字线和顶部字线之间的一个字线。当执行正常读取操作和应力防止读取操作之间的一个操作时，非擦除块管理装置可将对应于第二存储块的非擦除标记从逻辑高值改变为逻辑低值。第二存储块可包括多个块，并且非擦除块管理装置可包括标记表，该标记表包括用于多个块中的每一个的擦除标记和非擦除标记。根据本专利技术的实施例，一种存储器系统的操作方法，该操作方法包括：对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作；通过非擦除块管理装置，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第二存储块是存储器装置中除第一存储块之外的存储块，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线；并且对第二存储块的第二字线执行读取操作，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。对第二存储块的第二字线执行读取操作可包括：为第一存储块和第二存储块中的每一个生成包括擦除标记和非擦除标记的标记表；并且基于标记表控制存储器装置以对第二字线执行读取操作。对第二存储块的第二字线执行读取操作可包括：当对第一存储块执行擦除操作时，将对应于第一存储块的擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值，并将对应于第二存储块的非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。第一字线可包括处于第二存储块底部的底部字线区域和除底部字线区域之外的非底部字线区域之间的一个字线。对第二存储块的第二字线执行读取操作可进一步包括：当对非底部字线区域执行读取操作时，控制存储器装置以对非底部字线区域执行正常读取操作。对第二存储块的第二字线执行读取操作可进一步包括：当对底部字线区域执行读取操作时，控制存储器装置以执行应力防止读取操作，该操作首先对第二字线执行虚设读取操作，然后对底部字线区域执行读取操作。第二字线可包括处于虚设字线和顶部字线之间的一个字线。对第二存储块的第二字线执行读取操作可进一步包括：当执行正常读取操作和应力防止读取操作之间的一个操作时，将对应于第二存储块的非擦除标记从逻辑高值改变为逻辑低值。第二存储块可包括多个块，并且标记表包括用于多个块中的每一个的擦除标记和非擦除标记。根据本专利技术的实施例，一种存储器系统包括：存储器装置，包括第一存储块和除第一存储块之外的第二存储块；以及控制器，适于对第一存储块执行擦除操作，基于作为对第二存储块的读取操作的目标字线的第一字线的位置选择性地对第二存储块的第二字线执行虚设读取操作，并且对第二存储块的第一字线执行实质读取操作。当确定第一字线属于第二存储块底部的底部字线区域时，控制器可对第二存储块的第二字线执行虚设读取操作。从以下结合附图的详细描述中，本专利技术的这些和其它特征与优点对于本专利
的技术人员将变得更为显而易见。附图说明图1是示出根据本专利技术的实施例的数据处理系统的框图。图2是示出图1的存储器系统中采用的存储器装置的示例性配置的示意图。图3是示出图1所示的存储器装置中的存储块的存储器单元阵列的示例性配置的电路图。图4是示出图2的存储器装置的示例性三维(3D)结构的示意图。图5是示出由于GIDL效应而在非擦除目标块中的存储器单元的沟道中出现的现象的示图。图6是示出根据本专利技术的实施例的存储器系统的框图。图7是示出根据本专利技术的实施例的标记表的框图。图8是示出根据本专利技术的实施例的标记表的改变的示图。图9是示出根据本专利技术的实施例的对存储块的读取操作与标记表的改变之间的关系的示图。图10是示出根据本专利技术的实施例的对存储块的读取操作与标记表的改变之间的关系的示图。图11是示出根据本专利技术的实施例的存储器系统的操作方法的流程图。图12至图20是示出根据本专利技术的各个实施例的数据处理系统的应用示例的示图。具体实施方式以下参照附图更详细地描述本专利技术的各个实施例。然而，如本领域技术人员根据本公开内容将显而易见的，本专利技术的各个元件和特征可被配置或布置成不同于所描述的实施例中所示的元件和特征。因此，本专利技术不限于本文阐述的实施例。相反，提供所描述的实施例使得本公开完整和全面并将本专利技术充分地传达给本专利技术所属领域的技术人员。此外，对“实施例”的参考不一定仅针对一个实施例，并且对“实施例”的不同参考不一定针对相同的实施例。在整个本公开中，相同的附图标记在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在所述存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，所述第一字线是用于对所述第二存储块的读取操作的目标字线，其中所述第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。

【技术特征摘要】
2018.02.26 KR 10-2018-00227961.一种存储器系统，包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在所述存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，所述第一字线是用于对所述第二存储块的读取操作的目标字线，其中所述第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述非擦除块管理装置包括：标记表，其包括用于所述第一存储块和所述第二存储块中的每一个的擦除标记和非擦除标记；以及应力防止读取控制器，其基于所述标记表控制所述存储器装置以对所述第二字线执行所述读取操作。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中当对所述第一存储块执行擦除操作时，所述非擦除块管理装置将对应于所述第一存储块的所述擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值，并将对应于所述第二存储块的所述非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述第一字线包括在所述第二存储块底部的底部字线区域和除所述底部字线区域之外的非底部字线区域之间的一个字线。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中当对所述非底部字线区域执行读取操作时，所述非擦除块管理装置控制所述存储器装置以对所述非底部字线区域执行正常的读取操作。6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中当对所述底部字线区域执行读取操作时，所述非擦除块管理装置控制所述存储器装置以执行应力防止读取操作，所述应力防止读取操作首先对所述第二字线执行虚设读取操作，然后对所述底部字线区域执行读取操作。7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述第二字线包括处于虚设字线和顶部字线之间的一个字线。8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中当执行正常读取操作和所述应力防止读取操作之间的一个操作时，所述非擦除块管理装置将对应于所述第二存储块的所述非擦除标记从逻辑高值改变为逻辑低值。9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第二存储块包括多个块，并且其中所述非擦除块管理装置包括标记表，所述标记表包括用于所述多个块中的每一个的擦除标记和非擦除标记。10.一种存储器系统的操作方法，所述方法包括：对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作；通过非擦除块管理装置，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，所述第二存储块是所述存储器装置中除所述第一存储块之外的存储块，所述第一字线是用于对所述第二存储块的读取操作的目...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁元镇，李根雨，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR