【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器装置，更具体地，涉及包括选择线的存储器装置。
技术介绍
1、存储器装置可以分类为当电源被中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置，或者即使当电源被中断时所存储的数据也被保留的非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存存储器、nor闪存存储器、电阻随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移扭矩随机存取存储器(stt-ram)等。
3、nand闪存存储器装置可以包括用于存储数据的存储器单元阵列以及被配置为响应于从存储器控制器发送的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。
4、存储器单元阵列可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储器单元。
技术实现思路
1、一些实施方式提供了一种能够改进存储器装置的集成度的存储器装置。
2、一些实施方式还提供了一种能够减少存储器装置的缺陷的存储器装置。
3、根本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线和所述第二选择线：
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线包括被所述隔离图案的内拐角围绕的端部，所述内拐角被限定在所述第一子隔离图案和所述第二子隔离图案的所述交叉点处。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线包括沿着所述第一方向延伸的第一侧壁和沿着所述第二方向延伸的第二侧壁，并且
5.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线和所述第二选择线：
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线包括被所述隔离图案的内拐角围绕的端部，所述内拐角被限定在所述第一子隔离图案和所述第二子隔离图案的所述交叉点处。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一选择线包括沿着所述第一方向延伸的第一侧壁和沿着所述第二方向延伸的第二侧壁，并且
5.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外拐角形成为直角形状或弧形形状。
7.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述内拐角形成为直角形状或弧形形状。
8.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述第三子隔离图案具有线形形状或弧形形状。
10.一种存储器装置，所述存储器装置包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，随着所述多个第一子隔离图案在所述第二方向上变得离所述狭缝越远，所述多个第一子隔离图案在所述第一方向上形成得越长。
12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述多个第二子隔离图案分别地连接到所述多个第一子隔离图案。
13.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：林多美，李起洪，卢侑炫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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