半导体器件及其制备方法技术

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的第一导电层；在第一导电层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成电阻器层、第一接触垫和第二接触垫；在第一接触垫和第二接触垫之外的电阻器层上、第一接触垫上和第二接触垫上形成第三绝缘层；图案化第三绝缘层，形成第一通孔和第二通孔，并在第一通孔和第二通孔中填充连接金属，其中，第一通孔到达第一接触垫，第二通孔到达第二接触垫；在第三绝缘层上方形成间隔设置第一金属块和第二金属块。根据本申请制备方法制备的半导体器件，能够有效监测电阻器层是否被打穿，保障产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、目前，在薄膜电阻器件的制备过程中，通常需要通过湿法刻蚀工艺在电阻器层上形成接触垫，然后在接触垫上方形成绝缘层，然后图形化绝缘层以形成达到接触垫的通孔并填充金属。

2、一旦接触垫刻蚀过度，后续形成的通孔容易打穿电阻器层，此时测量薄膜电阻的阻值仍然显示正常，无法反馈接触垫刻蚀过度和电阻器层被打穿，产品质量难以有效监测。

3、且由于湿法刻蚀工艺不稳定，不仅存在片内差异，而且存在同批次的片间差异，导致难以通过抽样切片的方式来保证产品质量。

4、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、为了至少部分地解决上述问题，根据本专利技术的第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

10.根据权利要求7或8所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，张文博，李婧，林笛，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：