IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片技术

本发明专利技术提供了一种IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片，所述方法包括：提供背面减薄后的IGBT晶圆，IGBT晶圆的正面键合有临时载片，IGBT晶圆包括位于中心位置的有效区、位于边缘位置且环绕有效区的无效区；对IGBT晶圆的背面注入第一离子，并对有效区的第一离子执行激光退火，以在有效区形成集电区，及使无效区的第一离子未激活；移除IGBT晶圆的临时载片，暴露IGBT晶圆正面的发射极；利用IGBT晶圆的集电区及发射极进行反偏测试，并获取反偏测试的漏电数据以判断IGBT晶圆的背面是否存在电性异常；对IGBT晶圆执行背面金属化工艺。本申请可简便、高效且及时地监控IGBT晶圆背面的电性异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种igbt晶圆结构、用于检测igbt晶圆结构的方法、芯片。

技术介绍

1、绝缘栅双极晶体管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)是在金属氧化物场效应晶体管(mosfet)和双极晶体管(bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有mos输入、双极输出功能。igbt集bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率mosfet驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身，被广泛应用到交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。

2、目前，igbt晶圆制备过程可包括依次执行的正面工艺及背面工艺，正面工艺例如包括在晶圆的正面形成元胞结构、发射极、体区及对应的金属互连结构等，在晶圆的正面与临时载片(例如玻璃)采用键合胶临时键合以提供保护和支撑，接着执行的背面工艺可例如包括对晶圆的背面进行减薄、清洗、离子注入、激光退火、晶圆和临时载片进行解键合、继续在背面进行金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于检测IGBT晶圆结构的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于检测IGBT晶圆结构的方法，其特征在于，在执行所述激光退火之前，还对所述IGBT晶圆的背面注入第二离子形成第二掺杂区，所述第二掺杂区用于形成场终止层。

3.根据权利要求2所述的用于检测IGBT晶圆结构的方法，其特征在于，所述第二离子的注入深度大于所述第一离子的注入深度，所述第二离子的导电类型与所述第一离子的导电类型相反，且与所述IGBT晶圆的导电类型相同，所述有效区的第二离子在所述激光退火后形成所述场终止层。

4.根据权利要求1所述的用于检测IGBT晶圆结构的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种用于检测igbt晶圆结构的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于检测igbt晶圆结构的方法，其特征在于，在执行所述激光退火之前，还对所述igbt晶圆的背面注入第二离子形成第二掺杂区，所述第二掺杂区用于形成场终止层。

3.根据权利要求2所述的用于检测igbt晶圆结构的方法，其特征在于，所述第二离子的注入深度大于所述第一离子的注入深度，所述第二离子的导电类型与所述第一离子的导电类型相反，且与所述igbt晶圆的导电类型相同，所述有效区的第二离子在所述激光退火后形成所述场终止层。

4.根据权利要求1所述的用于检测igbt晶圆结构的方法，其特征在于，在移除所述临时载片之前，及执行所述激光退火之后，还对所述igbt晶圆的背面执行氢离子注入。

5.根据权利要求4所述的用于检测ig...

【专利技术属性】
技术研发人员：眭小超，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：