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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的第一导电层；在第一导电层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成电阻器层、第一接触垫和第二接触垫；在第一接触垫和第二接触垫之外的电...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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