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存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:41721344
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本公开涉及一种存储器装置,其包括:字线,其包括单元阵列区域和从单元阵列区域沿着第一方向延伸的连接区域;第一选择线和第二选择线,第一选择线和第二选择线在单元阵列区域上在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开,第一选择线和第二选择线延伸到字线的连...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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