【技术实现步骤摘要】
SRAM写电路
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种SRAM写电路。
技术介绍
随着芯片生产工艺以及芯片设计技术的进步，芯片的集成度和性能不断提高，功耗问题受到越来越多的重视。SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)是一种应用非常广泛的芯片，如何降低SRAM的功耗已成为一个亟待解决的问题。SRAM的功耗可以分为操作功耗和保持功耗，其中操作功耗又可以分为写操作功耗和读操作功耗。SRAM进行写操作时，通过位线和字线选中一个SRAM单元，并通过位线上的写电路将希望写入的数据写入SRAM单元。以普通的6管SRAM单元为例，有BL/BLB两条位线，以位线BL为例，在SRAM进行写操作之前，BL保持高电位，当向SRAM单元写入“0”时，BL由高电位先放电到0电位，然后通过BL的0电位将“0”写入SRAM单元，若向SRAM单元写入“1”，那么BLB由高电位先放电到0电位，然后通过BLB的0电位将“1”写入SRAM单元，写操作完成之后，再将BL/BLB充电到高电位，这是一个从高电位到0电位，再从0电位到高电位的全摆幅的放电再充电过程，...
【技术保护点】
1.一种SRAM写电路，包括：位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元、电荷回收单元和时序控制单元，其中，所述位线预充电单元的第一连接端接入电源，所述位线预充电单元的第二连接端与位线连接，所述位线预充电单元的控制端接入预充电控制信号；所述数据输入单元的第一连接端与所述电荷回收单元的第一连接端连接，形成公共端，所述公共端与所述位线选择单元的第一连接端连接；所述位线选择单元的第二连接端连接至所述位线，所述位线选择单元的控制端接入位线选择信号；所述数据输入单元的第二连接端接地，所述数据输入单元的控制端接入数据控制信号；所述电荷回收单元的第二连接端接地，所述电荷回收单元的控制端接...
【技术特征摘要】
1.一种SRAM写电路，包括：位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元、电荷回收单元和时序控制单元，其中，所述位线预充电单元的第一连接端接入电源，所述位线预充电单元的第二连接端与位线连接，所述位线预充电单元的控制端接入预充电控制信号；所述数据输入单元的第一连接端与所述电荷回收单元的第一连接端连接，形成公共端，所述公共端与所述位线选择单元的第一连接端连接；所述位线选择单元的第二连接端连接至所述位线，所述位线选择单元的控制端接入位线选择信号；所述数据输入单元的第二连接端接地，所述数据输入单元的控制端接入数据控制信号；所述电荷回收单元的第二连接端接地，所述电荷回收单元的控制端接入回收控制信号；所述时序控制单元分别与所述位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元和电荷回收单元连接，输出所述预充电控制信号、位线选择信号、数据控制信号和回收控制信号。2.根据权利要求1所述的SRAM写电路，其特征在于，所述电荷回收单元包括第一反相器、第一P型场效应管和第一电容，其中，所述第一反相器的输入端作为所述电荷回收单元的控制端，接入所述回收控制信号，所述第一反相器的输出端与所述第一P型场效应管的栅极连接；所述第一P型场效应管的源极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；所述第一P型场效应管的漏极作为所述电荷回收单元的第一连接端。3.根据权利要求2所述的SRAM写电路，其特征在于，所述第一反相器为CMOS反相器。4.根据权利要求1所述的SRAM写电路，其特征在于，所述数据输入单元包括：第二反相器和第一N型场效应管，其中，所述第二反相器的输入端作为所述数据输入单元的控制端，接入所述数据控制信号，所述第二反相器的输出端与所述第一N型场效应管的栅极连接；所述第一N型场效应管的漏极作为所述数据输入单元的第一连接端，所述第一N型场效应管的源极接地。5.根据权利要求1所述的SRAM写电路，其特征在于，所述位线选择单元包括第二N型场效应管，所述第二N型场效应管的漏极连接至所述位线，栅极接入所述位线选择信号，源极作为所述位线选择单元的第一连接端，与所述公共端连接。6.根据权利要求1所述的SRA...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱家国，于跃，
申请(专利权)人：展讯通信上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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