【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及控制方法分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年3月6日、申请号为201510098973.8、专利技术名称为“非易失性存储器及写入方法”的专利技术专利申请案。[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2014-55408号(申请日：2014年3月18日)及日本专利申请案2014-83044号(申请日：2014年4月14日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种非易失性存储器及写入方法。
技术介绍
在NAND(Not-AND，与非)闪速存储器(以下，称为NAND存储器)中，根据蓄积在存储单元的浮栅的电荷量存储信息。各存储单元具有与电荷量相应的阈值电压。使存储在存储单元的多个数据值分别对应于阈值电压的多个区域，以成为存储单元的阈值电压与所存储的数据值对应的区域的方式注入电荷。而且，在读出时，通过判定存储单元的阈值电压存在于哪个区域，而可获得存储单元所存储的数据值。在一个存储单元中可存储3bit(比特)的3bit/Cell的NAND存储器中，与一个存储单...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为...
【技术特征摘要】
2014.03.18 JP 2014-055408;2014.04.14 JP 2014-083041.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程；且所述第n阈值区域的电压值比所述第n-1阈值区域的电压值大，其中n为2以上且为8以下的整数。2.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第二值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程；且所述第n阈值区域的电压值比所述第n-1阈值区域的电压值大，其中n为2以上且为8以下的整数。3.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第二值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程；且所述第n阈值区域的电压值比所述第n-1阈值区域的电压值大，其中n为2以上且为8以下的整数。4.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第二值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程；且所述第n阈值区域的电压值比所述第n-1阈值区域的电压值大，其中n为2以上且为8以下的整数。5.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第二值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程；且所述第n阈值区域的电压值比所述第n-1阈值区域的电压值大，其中n为2以上且为8以下的整数。6.一种非易失性存储器的控制方法，其特征在于：所述非易失性存储器包含：字线；以及多个存储单元，分别与所述字线连接，可以保存三比特数据；所述非易失性存储器能以页面单位进行数据写入，且所述多个存储单元对应于第一页到第三页；所述控制方法包含：在对已删除的所述存储单元进行所述第一页的写入的情况下，当写入所述第一页的数据为第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第二阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第一页的写入的所述存储单元进行所述第二页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是第二值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第五阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、且写入所述第二页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第七阈值区域的方式进行编程；在对已进行过所述第二页的写入的所述存储单元进行所述第三页的写入的情况下，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第四阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第二值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第三阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第二值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第二值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第六阈值区域的方式进行编程，当对应于所述存储单元的所述第一页的值是所述第一值、对应于所述第二页的值是所述第一值、且写入所述第三页的数据是所述第一值的情况下，以使所述存储单元的阈值电压成为第八阈值区域的方式进行编程；且所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：原德正，柴田升，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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