一种新型的四端磁存储器件制造技术

一种新型的四端磁存储器件，该四端存储单元从上到下，从左到右，依次由顶端左电极、顶端右电极、左铁磁层一、右铁磁层二、氧化物隔离层、铁磁层三、重金属层、底端左电极、底端右电极构成。本发明专利技术的写入支路与读取支路分离，可以大大缓解可靠性问题；此外，其写入电流不需要流过磁隧道结，而是流过具有低电阻率的重金属材料，因此可以大大减小写入功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的四端磁存储器件。属于微电子器件领域。
技术介绍
近年来新型非易失性存储器技术，比如自旋转移矩磁性随机存储器(SpinTransfer Torque Magnetic Random Access Memory, STT-MRAM)，相变随机存储器(PhaseChange Random Access Memory，PCRAM)和电阻式随机存储器(Resistive Random AccessMemory, RRAM)等不断涌现。在这些新型的非易失性存储器技术中，STT-MRAM是目前最有希望成为下一代通用存储器技术的获选者之一。STT-MRAM最基本的组成单元是磁隧道结(Magnetic Tunneling Junct1n,MTJ)，如附图1所示，它主要由三层材料构成，由上到下依次为:铁磁层一，氧化物隔离层以及铁磁层二，其中一个铁磁层(如铁磁层一)的磁场极化方向可变，称为自由层；而另一个铁磁层(如铁磁层二)的磁场极化方向不可变，称为固定层。通过在MTJ上施加一个双向写入电流，由于自旋转移矩(STT)效应的存在，可以改变自由层的磁场极化方向，从而使得MTJ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的四端磁存储器件，其特征在于：该四端存储单元从上到下，从左到右，依次由顶端左电极、顶端右电极、左铁磁层一、右铁磁层二、氧化物隔离层、铁磁层三、重金属层、底端左电极、底端右电极构成；所述的左铁磁层一，右铁磁层二以及铁磁层三，是指混合金属材料钴铁CoFe、钴铁硼CoFeB、镍铁NiFe、钴镍CoNi或其他等价铁磁金属材料中的一种；所述的氧化物隔离层，是指氧化镁MgO、氧化铝Al2O3或其他等价氧化物中的一种；所述的左铁磁层一与右铁磁层二的磁场极化方向为固定的，称为固定层；所述的铁磁层三的磁场极化方向为自由的，称为自由层；所述的左铁磁层一，右铁磁层二以及铁磁层三为磁各向异性易轴垂直膜面材料，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康旺，郭玮，赵巍胜，张有光，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京;11