一种低频宽带限幅低噪声放大器组件制造技术

本实用新型专利技术属于微波技术领域，特别涉及一种低频宽带限幅低噪声放大器组件。本实用新型专利技术包括限幅电路、第一放大电路、滤波电路、衰减电路、第二放大电路、耦合电路以及检测电路，限幅电路的信号输出端连接第一放大电路的信号输入端，所述第一放大电路的信号输出端连接滤波电路的信号输入端，所述滤波电路的信号输出端连接衰减电路的信号输入端，所述衰减电路的信号输出端连接第二放大电路的信号输入端，所述第二放大电路的信号输出端连接耦合电路的信号输入端，所述耦合电路的耦合端连接检测电路的信号输入端。本实用新型专利技术的体积小、集成度高、可靠性高、适合批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种低频宽带限幅低噪声放大器组件
本技术属于微波
，特别涉及一种低频宽带限幅低噪声放大器组件。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，微波固态功放得到广泛运用，特别是在T/R系统中大功率微波部件正得到越来越广泛的应用。大功率微波开限幅器是有源相控阵雷达必不可少的关键部件，近年来得到了极大的重视并获得了迅速的发展。微波系统的噪声系数基本上取决于前级低噪声放大器的噪声系数，所以低噪声放大器是接收系统中相当重要的部件，其噪声性能直接影响接收机的灵敏度，幅相特性直接决定接收机的幅相特性，无论是雷达和通信接收系统都要用到低噪声放大器。大功率微波限幅器的技术难度主要体现在微波电路结构、设计、实现、及散热问题等方面，尤其是宽带难度更大。随着微波器件小型化和集成化发展趋势的愈演愈烈，传统的限幅低噪声放大器的设计是将限幅器和低噪声放大器分开设计，因此现有技术中的限幅低噪声放大器无法满足微波系统小型化一体化的需求，亟需改进。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术的不足，提供了一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，本技术的体积小、集成度高、可靠性高、适合批量生产。为实现上述目的，本技术采用了以下技术措施：一种低频宽带限幅低噪声放大器组件包括限幅电路、第一放大电路、滤波电路、衰减电路、第二放大电路、耦合电路以及检测电路，所述限幅电路的信号输入端作为本放大器组件的信号输入端，限幅电路的信号输出端连接第一放大电路的信号输入端，所述第一放大电路的信号输出端连接滤波电路的信号输入端，所述滤波电路的信号输出端连接衰减电路的信号输入端，所述衰减电路的信号输出端连接第二放大电路的信号输入端，所述第二放大电路的信号输出端连接耦合电路的信号输入端，所述耦合电路的耦合端连接检测电路的信号输入端，所述检测电路的信号输出端作为本放大器组件的检测输出端，所述耦合电路的信号输出端作为本放大器组件的信号输出端。本技术还可以通过以下技术措施进一步实现。优选的，所述限幅电路包括第一电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管，所述第一电容的一端作为本放大器组件的信号输入端，第一电容的另一端分别连接第一二极管的正极、第二二极管的正极、第三二极管的正极、第四二极管的负极以及第一放大电路的信号输入端，所述第一二极管的负极、第二二极管的负极、第三二极管的负极、第四二极管的正极均接地。优选的，所述第一放大电路包括第一集成电路，所述第一集成电路的芯片型号为美国WanTcom公司生产的WHM0003AE芯片，所述WHM0003AE芯片的引脚1连接第二电容的一端，所述第二电容的另一端连接第一电容的另一端，WHM0003AE芯片的引脚2连接第一电感的一端，所述第一电感的另一端分别连接第一电阻的一端以及第三电容的一端，所述第一电阻的另一端、第三电容的另一端均接地，WHM0003AE芯片的引脚4连接第二电感的一端，所述第二电感的另一端分别连接第二电阻的一端以及第五电容的一端，所述第二电阻的另一端分别连接第六电容的一端、第七电容的一端、第三电感的一端，所述第五电容的另一端、第六电容的另一端、第七电容的另一端均接地，所述第三电感的另一端连接电源，WHM0003AE芯片的引脚5连接第四电容的一端，所述第四电容的另一端连接滤波电路的信号输入端。优选的，所述滤波电路包括滤波器，所述滤波器的信号输入端连接第四电容的另一端，滤波器的信号输出端连接衰减电路的信号输入端。优选的，所述衰减电路包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻，所述第十电阻的一端、第十一电阻的一端均连接滤波器的信号输出端，所述第十一电阻的另一端连接第十二电阻的一端以及第二放大电路的信号输入端，所述第十电阻的另一端、第十二电阻的另一端均接地。进一步的，所述第二放大电路包括第二集成电路，所述第二集成电路的芯片型号为SBF4089芯片，所述SBF4089芯片的信号输入端连接第八电容的一端，所述第八电容的另一端连接第十一电阻的另一端，SBF4089芯片的信号输出端连接第五电感的一端，所述第五电感的另一端分别连接第十二电容的一端、第六电感的一端，所述第六电感的另一端分别连接第九电容的一端、第十电容的一端、第十一电容的一端、第四电感的一端，所述第九电容的另一端、第十电容的另一端、第十一电容的另一端均接地，第四电感的另一端连接电源，所述第十二电容的另一端连接耦合电路的信号输入端。进一步的，所述耦合电路包括第三集成电路，所述第三集成电路的芯片型号为ADC-15-4芯片，所述ADC-15-4芯片的引脚1连接第十二电容的另一端，ADC-15-4芯片的引脚3连接第十七电容的一端，所述第十七电容的另一端连接检测电路的信号输入端，ADC-15-4芯片的引脚4连接第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接地，ADC-15-4芯片的引脚6连接第十三电容的一端，所述第十三电容的另一端作为本放大器组件的信号输出端。进一步的，所述检测电路包括第四集成电路以及第五集成电路，所述第四集成电路的芯片型号为AD8310芯片，所述第五集成电路的芯片型号为LM2904芯片，所述AD8310芯片的引脚1连接第十四电容的一端，所述第十四电容的另一端连接第四电阻的一端并接地，所述第四电阻的另一端分别连接第十七电容的另一端、第十五电容的一端，所述第十五电容的另一端连接AD8310芯片的引脚8，AD8310芯片的引脚5、引脚7均连接第五电阻的一端、第十六电容的一端，所述第五电阻的另一端连接电源，AD8310芯片的引脚4连接第六电阻的一端、第十八电容的一端，所述第六电阻的另一端连接LM2904芯片的正极信号输入端，LM2904芯片的负极信号输入端分别连接第七电阻的一端、第八电阻的一端，所述第八电阻的另一端分别连接第九电阻的一端、第十九电容的一端、LM2904芯片的正极电源端以及电源，所述第十六电容的另一端、第十八电容的另一端、第七电阻的另一端、第十九电容的另一端均接地，所述LM2904芯片的信号输出端与第九电阻的另一端连接，LM2904芯片的信号输出端作为本放大器组件的检测输出端。本技术的有益效果在于：1)、本技术包括限幅电路、第一放大电路、滤波电路、衰减电路、第二放大电路、耦合电路以及检测电路，在大功率信号下限幅电路保护后面的放大电路不受损坏，在小功率信号下限幅电路快速恢复低损耗直通并经过第一放大电路放大以满足后面系统的正常工作，因此本技术的体积小、集成度高、可靠性高、适合批量生产。值得特别指出的是：本技术只保护由上述物理部件以及连接各个物理部件之间的线路所构成的装置或者物理平台，而不涉及其中的软件部分。2)、所述第一集成电路的芯片型号为美国WanTcom公司生产的WHM0003AE芯片，所述第二集成电路的芯片型号为SBF4089芯片，所述第三集成电路的芯片型号为ADC-15-4芯片，所述第四集成电路的芯片型号为AD8310芯片，上述多个特定型号的部件互相配合，实现了本技术的最优设计。附图说明图1为本技术的电路组成结构框图；图2为本技术的电路原理图。图中的附图标记含义如下：10—限幅电路20—第一放大电路30—滤波电路40—衰减电路50—第二放大电路60—耦合电路70—检测电路R1～R12—第一电阻～第十二电阻C1～C1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：包括限幅电路(10)、第一放大电路(20)、滤波电路(30)、衰减电路(40)、第二放大电路(50)、耦合电路(60)以及检测电路(70)，所述限幅电路(10)的信号输入端作为本放大器组件的信号输入端，限幅电路(10)的信号输出端连接第一放大电路(20)的信号输入端，所述第一放大电路(20)的信号输出端连接滤波电路(30)的信号输入端，所述滤波电路(30)的信号输出端连接衰减电路(40)的信号输入端，所述衰减电路(40)的信号输出端连接第二放大电路(50)的信号输入端，所述第二放大电路(50)的信号输出端连接耦合电路(60)的信号输入端，所述耦合电路(60)的耦合端连接检测电路(70)的信号输入端，所述检测电路(70)的信号输出端作为本放大器组件的检测输出端，所述耦合电路(60)的信号输出端作为本放大器组件的信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：包括限幅电路(10)、第一放大电路(20)、滤波电路(30)、衰减电路(40)、第二放大电路(50)、耦合电路(60)以及检测电路(70)，所述限幅电路(10)的信号输入端作为本放大器组件的信号输入端，限幅电路(10)的信号输出端连接第一放大电路(20)的信号输入端，所述第一放大电路(20)的信号输出端连接滤波电路(30)的信号输入端，所述滤波电路(30)的信号输出端连接衰减电路(40)的信号输入端，所述衰减电路(40)的信号输出端连接第二放大电路(50)的信号输入端，所述第二放大电路(50)的信号输出端连接耦合电路(60)的信号输入端，所述耦合电路(60)的耦合端连接检测电路(70)的信号输入端，所述检测电路(70)的信号输出端作为本放大器组件的检测输出端，所述耦合电路(60)的信号输出端作为本放大器组件的信号输出端。2.如权利要求1所述的一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述限幅电路(10)包括第一电容(C1)、第一二极管(V1)、第二二极管(V2)、第三二极管(V3)、第四二极管(V4)，所述第一电容(C1)的一端作为本放大器组件的信号输入端，第一电容(C1)的另一端分别连接第一二极管(V1)的正极、第二二极管(V2)的正极、第三二极管(V3)的正极、第四二极管(V4)的负极以及第一放大电路(20)的信号输入端，所述第一二极管(V1)的负极、第二二极管(V2)的负极、第三二极管(V3)的负极、第四二极管(V4)的正极均接地。3.如权利要求2所述的一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述第一放大电路(20)包括第一集成电路，所述第一集成电路的芯片型号为美国WanTcom公司生产的WHM0003AE芯片，所述WHM0003AE芯片的引脚1连接第二电容(C2)的一端，所述第二电容(C2)的另一端连接第一电容(C1)的另一端，WHM0003AE芯片的引脚2连接第一电感(L1)的一端，所述第一电感(L1)的另一端分别连接第一电阻(R1)的一端以及第三电容(C3)的一端，所述第一电阻(R1)的另一端、第三电容(C3)的另一端均接地，WHM0003AE芯片的引脚4连接第二电感(L2)的一端，所述第二电感(L2)的另一端分别连接第二电阻(R2)的一端以及第五电容(C5)的一端，所述第二电阻(R2)的另一端分别连接第六电容(C6)的一端、第七电容(C7)的一端、第三电感(L3)的一端，所述第五电容(C5)的另一端、第六电容(C6)的另一端、第七电容(C7)的另一端均接地，所述第三电感(L3)的另一端连接电源，WHM0003AE芯片的引脚5连接第四电容(C4)的一端，所述第四电容(C4)的另一端连接滤波电路(30)的信号输入端。4.如权利要求3所述的一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述滤波电路(30)包括滤波器，所述滤波器的信号输入端连接第四电容(C4)的另一端，滤波器的信号输出端连接衰减电路(40)的信号输入端。5.如权利要求4所述的一种低频宽带限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述衰减电路(40)包括第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)，所述第十电阻(R10)的一端、第十一电阻(R11)的一端均...

【专利技术属性】
技术研发人员：任凤，蔡宁霞，金瑾，程伟，马正纯，
申请(专利权)人：安徽四创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34