【技术实现步骤摘要】
一种静态随机存取存储器控制电路
本专利技术涉及存储器件
，尤其涉及一种静态随机存取存储器控制电路。
技术介绍
静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，SRAM)常被用于计算机系统中暂时存储数据。所谓“静态”，是指这种存储器只要持续有电源供应，每个存储单元内储存的数据就可以恒常保持。SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列，行/列地址译码器，灵敏放大器，缓冲/驱动电路以及控制电路；其中，控制电路主要用于控制SRAM的启动、复位以及关闭，具体可包括控制字线/位线的供电开关时间、控制充电/预充电时间等。目前，常用的SRAM控制电路一般通过写入硬件描述语言(如Verilog代码)的方式形成，仅接受数字信号控制，控制精准度不足；并且往往需要占用很大的面积，导致SRAM制造成本较高。如何灵活调整控制电路的输入输出信号，减小SRAM占用面积，成为本领域现阶段亟需解决的技术问题之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种静态随机存取存储器控制电路。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种静态...
【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器控制电路，所述控制电路用于根据输入信号生成控制所述静态随机存取存储器工作的输出信号，其特征在于，所述输入信号至少包括位线电位模拟信号，所述控制电路包括：位线电位模拟信号侦测模块，用于根据输入的所述位线电位模拟信号的变化生成模拟信号侦测标志位；其中，所述模拟信号侦测标志位用于控制所述静态随机存取存储器工作的所述输出信号的产生和/或复位时间。
【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器控制电路，所述控制电路用于根据输入信号生成控制所述静态随机存取存储器工作的输出信号，其特征在于，所述输入信号至少包括位线电位模拟信号，所述控制电路包括：位线电位模拟信号侦测模块，用于根据输入的所述位线电位模拟信号的变化生成模拟信号侦测标志位；其中，所述模拟信号侦测标志位用于控制所述静态随机存取存储器工作的所述输出信号的产生和/或复位时间。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述生成模拟信号侦测标志位具体包括生成第一模拟信号侦测标志位，所述控制电路还包括：灵敏放大器启动脉冲生成模块，用于根据所述第一模拟信号侦测标志位生成第一输出信号，所述第一输出信号为灵敏放大器启动脉冲信号。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述灵敏放大器启动脉冲生成模块中包括第一延迟元件，所述第一延迟元件用于调节所述第一输出信号的脉冲宽度。4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器控制电路，其特征在于，所述生成模拟信号侦测标志位具体包括生成第二模拟信号侦测标志位，所述控制电路还包括：状态控制脉冲生成模块，用于根据所述第二模拟信号侦测标志位生成第二输出信号以及第二输出信号标志位；其中，所述第二输出信号包括以下至少一种：字线使能脉冲信号、充电/预充电脉冲信号、锁存时钟脉冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：王礼维，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。