一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，将待处理的目标二进制数据的原码和反码分别存入到所述SRAM阵列的N列N位存储阵列中，将与之比较的N位二进制数据存储到字线信号WLL中，比较数据的N位二进制数反码存入到字线信号WLR中；通过位线脉冲调制将位线信号减低到VDD‑Vx，防止单元内存储数据翻转；再通过每列中的位线信号BL和BLB放电量之和实现N列汉明距离计算，从而实现N位二进制数据和N位比较数据的汉明距离计算。上述电路结构简单，可以有效提高运算的效率和速度，减少在传输过程消耗的能量。

A Static Random Memory Circuit Architecture for Hamming Distance Computing in Memory

【技术实现步骤摘要】
一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构。
技术介绍
目前，随着机器学习、图像识别和边缘计算等应用领域的快速发展，这些领域需要处理海量数据和对计算能耗效率要求较高。传统的传统冯诺伊曼架构把处理器计算单元和存储器分开，需要时处理器从存储器读数据，之后在处理器处理完了数据之后再写回存储器。由于摩尔定律的快速发展，内存运行速度与处理器速度的不同步，内存的存取速度严重滞后于处理器的计算速度，内存性能已经成为了整体计算机性能的一个重要瓶颈。内存对于能效比的限制也成了传统冯诺伊曼体系计算机的一个瓶颈，这个瓶颈在机器学习和图像识别计算量大的领域尤为明显，为了克服这些传统的冯诺依曼结构带来的弊端，内存内计算(computinginmemory，缩写为CIM)成为解决这个问题的热点，内存内计算不需要把数据传输到处理器中，直接在内存中进行运算，因此大大减少了计算过程中数据存取能量消耗，同时在计算速度和能效上得到提高。汉明距离表示表示两个等长字符串在对应位置上不同字符的数目，对于二进制串A和B来说，汉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，其特征在于，所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，在该SRAM阵列的外围包括比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块、行译码模块，其中：所述SRAM阵列与所述比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块和行译码模块相连；所示比较模块与列译码模块相连；所述字线脉冲调制模块与行译码模块相连；所述SRAM阵列中N列N位的存储单元为双字线6T单元，将待处理的目标二进制数据的原码和反码分别存入到所述SRAM阵列的N列N位存储阵列中，将与之比较的N位二进制数据存储到字线信号WLL中，比较数据的N位二进制数反码存入到字线信号WLR中；通过位线...

【技术特征摘要】
1.一种在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，其特征在于，所述电路结构包括N行N列的静态随机存储器SRAM阵列，在该SRAM阵列的外围包括比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块、行译码模块，其中：所述SRAM阵列与所述比较模块、列译码模块、字线脉冲调制模块和行译码模块相连；所示比较模块与列译码模块相连；所述字线脉冲调制模块与行译码模块相连；所述SRAM阵列中N列N位的存储单元为双字线6T单元，将待处理的目标二进制数据的原码和反码分别存入到所述SRAM阵列的N列N位存储阵列中，将与之比较的N位二进制数据存储到字线信号WLL中，比较数据的N位二进制数反码存入到字线信号WLR中；通过位线脉冲调制将位线信号减低到VDD-Vx，防止单元内存储数据翻转；再通过每列中的位线信号BL和BLB放电量之和实现N列汉明距离计算，从而实现N位二进制数据和N位比较数据的汉明距离计算。2.根据权利要求1所述在内存中实现汉明距离计算的静态随机存储器电路结构，其特征在于，所述双字线6T单元的结构具体包括：两个交叉耦合的反相器I0和I1，两个NMOS晶体管N0和N1；NMOS晶体管N0栅极与字线信号WLL相连，NMOS晶体管N1栅极与字线信号WLR相连，字线信号WLL和WLR成双字线信号；NMOS晶体管N0的源极与位线信号BL相连，NMOS晶体管N0的漏极与反相器I0的输入端点Q相连；NMOS晶体管N1的源极与位线信号BLB相连，NMOS晶体管N1的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺智挺，欧阳春，吴秀龙，彭春雨，黎轩，卢文娟，谢军，陈崇貌，黎力，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34