The invention relates to an improved magnetic isolation IGBT driving circuit includes a drive module, driver amplifier module, the primary capacitor C1, the primary side of the damping resistor R1 and multi winding drive transformer, the bootstrap capacitor C6 side and D2 side and bootstrap diode resistor R3, push-pull push-pull driving circuit Q1 Q2, D1, rectifier diode, zener diode, voltage side of ZD1 resistor R2, capacitor C2 C3, C4, C5, IGBT, and floating drive. The main components of the circuit are connected according to the electrical connection mode shown in Fig. 1, and the driving generating module and the driving amplifying module are the known technologies in the technical field. The invention can improve the technical defects that the traditional magnetic isolation drive circuit can not provide negative pressure shutoff and weak anti-interference, provided that the power supply of the two side is not provided. The invention can adapt to different IGBT, and provides a reliable and low cost magnetic isolation driving scheme.
【技术实现步骤摘要】
改善型磁隔离IGBT驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路,尤其是一种改善型磁隔离IGBT驱动电路,属于IGBT驱动
技术介绍
随着电力电子技术的快速发展,出现了很多新的性能优秀的拓扑,如DC-AC家族里面的多电平逆变电路,拓扑的快速发展推动了其隔离驱动的需求。正因如此,各种隔离驱动方案应运而生,其中磁隔离驱动方案具有电路简单、不易损坏、低成本等优势,故磁隔离在当今的浮地驱动拓扑中有很高的使用率,但目前基于磁隔离驱动无法提供负压关断、抗干扰能力较弱、不适宜大占空比驱动等缺陷也限制了其更广阔的应用空间。绝缘栅双极晶体管IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既具有功率MOSFET输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点,又具有双极达林顿功率管GTO饱和电压低、电流容量大、耐压高的优点,能正常工作于几十千赫兹频率范围内,故在较高频率的大、中功率设备(如变频器、UPS电源、光伏逆变器、高频焊机等)应用中占据了主导地位。隔离驱动电路的目标是应用有限的器件,提供尽量可能可靠、性能尽量好的隔离驱动方案。目前,传统的磁隔离驱动电路有图1和图2两种方式。其中,图1电路属于传统的磁隔离驱动方案,在实际应用过程中,由于隔直电容需要提供给变压器一个反向的电压以供变压器磁恢复,而其压降是与驱动脉宽成正比,故此电路只适用于驱动脉宽较小的领域,如开关电源领域。针对此情况,提出图2改进型的磁隔离驱动电路,其电路因加入了自举二极管、自举电容而较好的补偿了原边损失的脉冲幅值,而得到广泛应用;但图2所示电路因为没有二次侧电源,故其无法提供负压关断而导致其抗干扰性能较弱,而导致IG ...
【技术保护点】
一种改善型磁隔离IGBT驱动电路,其特征是:包括隔离驱动变压器、原边驱动电路、副边驱动电路和副边驱动轨电路;所述原边驱动电路包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1;所述隔离驱动变压器包括原边绕组N1、第一副边绕组N2和第二副边绕组N3;所述副边驱动电路包括副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3和推挽电路;所述副边驱动轨电路包括副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4和滤波电容C5;所述原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1串联,并与隔离驱动变压器原边绕组N1串联;所述第一副边绕组N2的一端连接副边整流二极管D1的正极,副边整流二极管D1的负极分别连接副边稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C2的一端、滤波电容C4的一端和推挽电路;所述第一副边绕组N2的另一端分别连接稳压电阻R2的一端、滤波电容C3的一端、滤波电容C5的一端和推挽电路;所述副边稳压二极管ZD1的阳极分别连接稳压电阻R2的另一端、滤波电容C2的另一端、滤波电容C3的另一端、滤波电容C4的另一端、滤波电容C5的另一端、以及IGBT ...
【技术特征摘要】
1.一种改善型磁隔离IGBT驱动电路,其特征是:包括隔离驱动变压器、原边驱动电路、副边驱动电路和副边驱动轨电路;所述原边驱动电路包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1;所述隔离驱动变压器包括原边绕组N1、第一副边绕组N2和第二副边绕组N3;所述副边驱动电路包括副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3和推挽电路;所述副边驱动轨电路包括副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4和滤波电容C5;所述原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1串联,并与隔离驱动变压器原边绕组N1串联;所述第一副边绕组N2的一端连接副边整流二极管D1的正极,副边整流二极管D1的负极分别连接副边稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C2的一端、滤波电容C4的一端和推挽电路;所述第一副边绕组N2的另一端分别连接稳压电阻R2的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:程炜涛,高荣,王海军,叶甜春,
申请(专利权)人:江苏中科君芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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