【技术实现步骤摘要】
本技术涉及工业电子元件
,特别是指一种IGBT箝位板。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管是变频电源的核心部件,其也称为IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,随着工业产品向高压大功率方向发展而得到了广泛的应用。随着计算机技术、大功率半导体应用技术的突飞猛进,IGBT也向安全性、高可靠性的方向发展。但在运行中IGBT故障率偏高,国内的许多单位对IGBT保护技术做过大量的研究和尝试,部分产品也已经投运,但在可靠性及安全性方面,仍不能使用户满意。因此,有必要设计一种新的IGBT箝位板,以解决上述技术问题。
技术实现思路
针对
技术介绍
中存在的问题,本技术的目的是提供一种IGBT箝位板,电路简单、成本降低,可以对IGBT器件进行良好的保护。本技术的技术方案是这样实现的:一种IGBT位板,与ZCS配套使用,安装在IGBT上用于与IGBT的VCE电压连接,IGBT箝位板的一端与IGBT连接,IGBT箝位板的另一端与IGBT驱动板连接,所述IGBT箝位板包括串并联组合的多个电阻、串联的多个稳压管与VCE电压连接,用于对VCE电压进行分压处理、多个二极管和两个门极驱动电阻,所述门极驱动电阻与IGBT的门极连接,用于驱动导通IGBT。在上述技术方案中,所述稳压管为串联分压的7个。在上述技术方案中,所述稳压管的型号为1.5KE400A。在上述技术方案中,所述门极驱动电阻的参数为10R/6W。在上 ...
【技术保护点】
IGBT箝位板,其特征在于:与ZCS配套使用,安装在IGBT上用于与IGBT的VCE电压连接,IGBT箝位板的一端与IGBT连接,IGBT箝位板的另一端与IGBT驱动板连接,所述IGBT箝位板包括串并联组合的多个电阻、串联的多个稳压管与VCE电压连接,用于对VCE电压进行分压处理、多个二极管和两个门极驱动电阻,所述门极驱动电阻与IGBT的门极连接,用于驱动导通IGBT。
【技术特征摘要】
1.IGBT箝位板,其特征在于:与ZCS配套使用,安装在IGBT上用于与IGBT的VCE电压连接,IGBT箝位板的一端与IGBT连接,IGBT箝位板的另一端与IGBT驱动板连接,所述IGBT箝位板包括串并联组合的多个电阻、串联的多个稳压管与VCE电压连接,用于对VCE电压进行分压处理、多个二极管和两个门极驱动电阻,所述门极驱动电阻与IGBT的门极连接,用于驱动导通...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚小强,
申请(专利权)人:永济电机天作电气有限责任公司,
类型:新型
国别省市:山西;14
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