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SRAM写电路制造技术
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文档序号:21550198
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本发明提供一种SRAM写电路,包括:位线预充电单元、位线选择单元、数据输入单元、电荷回收单元和时序控制单元,其中,位线预充电单元连接在电源和位线之间,对位线进行充电;数据输入单元的第一连接端与电荷回收单元的第一连接端连接,形成公共端,所述公...
该专利属于展讯通信(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过展讯通信(上海)有限公司授权不得商用。
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