模拟数字接口SRAM结构制造技术

本发明专利技术是在已存SRAM的IO回路和位线构造基础上，改进了开关的构造而使储存的数字数据解读成模拟数据，并可以把模拟数据变换成数字数据而储存的模拟数字接口SRAM结构，为了能够各自选择竖向本地存储单元而存在的一侧的位线和对侧的位线进行均匀分配的位元开关在位线上形成的存储单元数组，一边选择横向本地存储单元，同时选择竖向复数的本地存储单元，能够进行多重访问的多重译码器和把从外部输入的模拟数据变换成数字数据并且使之存储在本地存储单元，把在本地存储单元储存的数字数据变换成模拟数据且构成使之能够输出到外部的输入输出回路。根据本发明专利技术即使没有DAC和ADC，模拟数据也能在SRAM上使用或者解读，可以减少根据变换过程而消耗的能量。

SRAM Architecture of Analog Digital Interface

Based on the IO loop and bit line structure of the existing SRAM, the invention improves the switch structure to interpret the stored digital data into analog data, and the analog digital interface SRAM structure to store the analog digital data into digital data. In order to be able to select the bit line on one side of the vertical local storage unit and the bit line on the other side to distribute the bit line evenly, the invention improves the switch structure to interpret the stored digital data into analog data and to store the analog digital data. An array of memory cells formed on the bit line, while choosing the horizontal local storage unit and the vertical complex local storage unit, can make multiple access to the multiple decoders and transform the analog data input from the outside into digital data and store it in the local storage unit, and transform the digital data stored in the local storage unit into analog data and constitute it. It can be output to the external input and output loop. According to the present invention, even without DAC and ADC, analog data can be used or interpreted in SRAM, thus reducing the energy consumption according to the transformation process.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模拟数字接口SRAM结构
本专利技术涉及电路结构领域，尤其涉及一种模拟数字接口SRAM结构。
技术介绍
通常Mixed-SignalProcessing是将从bio-sensor温度感应器这样的模拟感应器那儿获得的数据变换成为数字数据，然后处理复杂的运算或者将数字数据变换成为模拟数据从而做出有效率的模拟处理。在生物医学用集成电路，低功率神经网络集成电路等方面，这样的Mixed-SignalProcessing被使用。在这个过程中，为了将模拟数据变换成为数字数据的模拟-数字变换器(ADC)和将数字数据变换成为模拟数据的数字-模拟变换器(DAC)是需要的。并且在很多的情况中，被转换成了数字或者把将要被转换的数据储存在缓冲区，为了储存很多的量，在作为晶载记忆体而被使用的SRAM上储存数据。ADC是将通过电压的大小来表现的模拟数据转换成为通过比特来表现的数字数据，其中具有代表性的是SARADC；SARADC是由CapacitiveDAC,Comparator,Register还有SAR控制器组成的。CapacitiveDAC是把数字比特转换成为模拟电压的转化器。由1C,2C,4C,8C,…的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.模拟数字接口SRAM结构，其特征在于，使从外部输入的模拟数据转换成为数字数据并在本地存储单元中储存，或者使在本地存储单元中储存的数字数据转换成为模拟数据，在没有被分离的其它的模拟数字转换器或者数字模拟转换器，将模拟数据作为数字数据来储存或者数字数据能够通过模拟数据来解读，通过多重译码器以及操控位线的位元开关，使本地存储单元按照顺序地被分成2的n次方的比率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.06 KR 10-2016-00857361.模拟数字接口SRAM结构，其特征在于，使从外部输入的模拟数据转换成为数字数据并在本地存储单元中储存，或者使在本地存储单元中储存的数字数据转换成为模拟数据，在没有被分离的其它的模拟数字转换器或者数字模拟转换器，将模拟数据作为数字数据来储存或者数字数据能够通过模拟数据来解读，通过多重译码器以及操控位线的位元开关，使本地存储单元按照顺序地被分成2的n次方的比率。2.根据权利要求1所述的模拟数字接口SRAM结构，其特征在于，使从外部输入的模拟数据转换成为数字数据并在本地存储单元中储存，或者使本地存储单元中储存的数字数据转换成为模拟数据的，在SRAM结构中，包括输出模拟信号或者数字信号的输入输出回路，以及横向，竖向复数的本地存储单元，还包含了选择竖向复数本地存储单元的位线，和本地存储单元进行竖向区分而把位线进行均匀分配的位线上形成的位元开关的存储单元数组；一边选择横向本地存储单元，同时操控位元开关，竖向选择复数的本地存储单元，包含能够竖向地多重访问的多重译码器。3.根据权利要求2所述的模拟数字接口SRAM结构，其特征在于，上述多重译码器关于竖向操控位元开关，以2的n次方的比率，本地存储单元按照顺序地被分配，形成位线，在各自的位线上，储存形成4比特数据的比特中的一个比特的本地存储单元，一个一个地被配置，属于第一个位数上的本地存储单元被配置在以8的比率来区分的位线上，属于第二个位数上的本地存储单元被配置在以4的比率来区分的位线上，属于第三个位数上的本地存储单元被配置在以2的比率来区分的位线上，属于第四个位数上的本地存储单元被配置在以1的比率来区分的位线上。4.根据权利要求3所述的模拟数字接口SRAM结构，其特征在于，使从外部输入的模拟...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昌贤，朴俊荣，
申请(专利权)人：UX株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR