一种微发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微发光二极管，属于电子元器件领域。针对现有技术中存在的结构复杂、成本高、不适用于利用电场方式转移的问题，本实用新型专利技术提供了一种微发光二极管，一种微发光二极管，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在微发光二极管主体的底面，微发光二极管两端呈锥度状，中间大，两端小，第二电极从微发光二极管主体的底面延伸至侧面，第一半导体层和第二半导体层，发光层上部为整体的第一半导体层，发光层下部为第二半导体层。匹配对应的转移基板，可以适应巨量微发光二极管的快速转移，结构简单、成本低、转移效率高、良品率高。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管
本技术涉及电子元器件领域，更具体地说，涉及一种微发光二极管。
技术介绍
近年来，发光二极管已经普遍使用在一般和商业照明应用中。作为光源，发光二极管具有许多优点，包含较低的能量消耗、较长的寿命、更小的尺寸以及较快的开关速度，因此传统的照明光源，例如白炽灯，逐渐被发光二极管光源所替换。在发光二极管中，当电子与电洞跨过半导体带隙而复合，复合能量会以光子的形式发射并产生光线。此复合机制就是所谓的辐射复合。使用微型的发光二极管阵列来控制电流流动与维持效率与均匀性的发光二极管显示器，是目前业界亟欲投入研发资源进行研究的项目之一。现有技术中针对于尺寸小的微发光二极管，也会使用转印的方式进行转移，对于二极管的结构和要求有所限制。如中国专利申请，申请号201810229801.3，公开日2018年8月3日，公开了微发光元件、微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括若干个微发光二极管、具有容置微发光二极管的凹槽的基架、用于连接微发光二极管和基架的桥臂，若干个大于等于1，在微发光二极管位于桥臂一侧的上表面具有高于桥臂的凸起，或者与微发光二极管连接的桥臂上表面具有凸起，以解决转印过程中印刷印模易压断桥臂转印微发光二极管的问题，提高微发光二极管的转印良率。但是其结构较为复杂，制作成本较高，且不一定适用于利用电场方式转移的微发光二极管。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的结构复杂、成本高、不适用于利用电场方式转移的问题，本技术提供了一种微发光二极管。它可以实现结构简单、成本低、转移效率高、良品率高。2.技术方案本技术的目的通过以下技术方案实现。一种微发光二极管，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在微发光二极管主体的底面，微发光二极管两端呈锥度状，中间大，两端小。更进一步的，第二电极从微发光二极管主体的底面延伸至侧面。可以保证第二电极接触面更广，可承受的电流更大，发光强度可以设置更高。更进一步的，发光层设置在微发光二极管本体中央，向上发光。更进一步的，包括第一半导体层和第二半导体层，发光层上部为整体的第一半导体层，发光层下部为第二半导体层。更进一步的，微发光二极管与转移基板相匹配，安装于基板孔内。更进一步的，若干转移基板设置在基板卷上，基板卷轴向方向设置有一块或者多块转移基板。更进一步的，基板卷一侧设置有光栅。通过光栅进行相应的定位，进行对应的微发光二极管的转移。更进一步的，所述的转移基板包括底部的基层，与微发光二极管第一电极和第二电极分别匹配连接的第一电极电路和第二电极电路，转移基板包括用于放置微发光二极管的安装孔。更进一步的，安装孔之间设置有隔离层。保证微发光二极管之间不会发生接触，不会造成短路情况。更进一步的，隔离层的高度低于或等于微发光二极管的高度。保证安装微发光二极管后，光源更好，不会因为隔离层的设置导致光线收到阻挡。3.有益效果相比于现有技术，本技术的优点在于：针对现有技术中存在的结构复杂、成本高、不适用于利用电场方式转移的问题，本技术提供了一种微发光二极管。匹配对应的转移基板，可以适应巨量微发光二极管的快速转移，结构简单、成本低、转移效率高、良品率高。附图说明图1为微发光二极管结构示意图；图2为微发光二极管底部示意图；图3为微发光二极管剖面示意图；图4为微发光二极管安装在转移基板剖面示意图；图5为微发光二极管生产时候在底板上分布的示意图；图6为图5的侧面示意图；图7为转移基板示意图；图8为转移基板带有光栅部分放大示意图；图9为基板卷示意图一；图10为基板卷示意图二。图中标号说明：1、微发光二极管；101、第一电极；102、第二电极；103、发光层；104、第一半导体层；105、第二半导体层；8、底板；5、转移基板；501、基板孔；502、光栅；503、第一电极电路；504、第二电极电路；505、基层；506、隔离层；507、安装孔；9、基板卷。具体实施方式下面结合说明书附图和具体的实施例，对本技术作详细描述。实施例1本方案中的微发光二极管1只需要是电极在底面或者侧面，可以在一个方向被电场吸附或者磁铁吸附的组件都在本方案的范围之内，如图1、2、3所示，本方案使用的微发光二极管外观为圆柱状、球状或是多边形，第一电极与第二电极在同一侧，电极端成锥度状，电极端外侧较小。微发光二极管1外观为圆柱状，球状或是多边形，本实施例，两端呈锥度状，中间大，两端小，包括发光层103，包括发光层103设置在中央，第一电极101与第二电极102在同一侧，如图1、2、3所示，本实施例的第一电极101设置在底部的中央部分，第二电极102设置在底部的四周和侧面，本实施例是其中的一种形式，实际上只要是第一电极101与第二电极102在同一侧本方案就可以保证符合要求，如可以设置第一电极101设置在底部的中央部分，第二电极102设置在底部的四周，侧面不设置，这样匹配的转移基板5电路也相应的做调整即可。微发光二极管1在发光层103上部为整体的第一半导体层104，发光层103下部为第二半导体层105。第一半导体层104对于发光层103的光进行发散，第二半导体层105激发发光层103发光。微发光二极管1的发光颜色包括红色绿色以及蓝色，此外，这些发光组件的发光颜色亦可以包括其他不同的颜色，在一些实施例中可以由一微发光二极管1发出单一颜色的光，亦可以由一微发光二极管1发出不同颜色的光，本专利技术并不以此为限。具体的微发光二极管1是从硅片上制作而成，如图5、6所示可以在半导体的底板8上通过半导体工艺形成所需要的微发光二极管1芯片结构，进行切割后封装，最后使用。如图9、10所示，微发光二极管基材，通过基板卷9的形式构成，基板卷9由若干的转移基板5顺序构成，基板卷9一侧设置有光栅502，每一个光栅对应一个或一个以上的转移基板5组合，转移基板5上有光栅502和基板孔501，在转移过程中，转移装置的传感器读取光栅502位置判断转移基板5上放置微发光二极管的基板孔501位置，校正转移基板5位置使得基板孔502对准感应装置上排列的微发光二极管1。如图4、7、8所示，本方案中的转移基板5包含一表面有细微转移基板孔501及一个电路基板，基板孔501成矩阵排列，基板孔501为锥形结构，上部大于底部。在移转过程中与微发光二极管电极侧外观上的锥度状相互导引契合。此种结构与微发光二极管1转移时能有导引精确定位效果。转移基板5内部包括第一电极电路503；第二电极电路504和基层505，为一薄软透光性材料构成，这样可以保证以卷筒方式生产工作。转移基板5包括用于放置微发光二极管1的安装孔507。安装孔507之间设置有隔离层506，隔离层506的高度低于或等于微发光二极管1的高度。最合适的高度在于整个上部第一半导体层104都高于隔离层506，保证亮度最高。包括第一电极电路503，第二电极电路504，第一电极电路503，第二电极电路504分别与微发光二极管1的第一电极101与第二电极102对应，使所述转移基板与所述电路基板贴合，并将所述多个微发光二极管的电极与所述电路基板连接，微发光二极管转移基板5整体为一薄软材料，为卷筒方式上有多个相同排列基材组合。可以进行大面积的设置，在进行微发光二极管1的转移后，可以根据需求进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)和第二电极(102)设置在微发光二极管(1)主体的底面，微发光二极管(1)两端呈锥度状，中间大，两端小。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)和第二电极(102)设置在微发光二极管(1)主体的底面，微发光二极管(1)两端呈锥度状，中间大，两端小。2.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第二电极(102)从微发光二极管(1)主体的底面延伸至侧面。3.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，发光层(103)设置在微发光二极管(1)本体中央，向上发光。4.根据权利要求1或3所述的一种微发光二极管，其特征在于，包括第一半导体层(104)和第二半导体层(105)，发光层(103)上部为整体的第一半导体层(104)，发光层(103)下部为第二半导体层(105)。5.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，微发光二极管(1)与转移基板(5)相匹配，安装于基板孔(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩进龙，
申请(专利权)人：韩进龙，
类型：新型
国别省市：安徽,34