一种微发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微发光二极管，属于电子元器件领域。针对现有技术中存在的结构复杂、成本高、不适用于利用电场方式转移的问题，本实用新型专利技术提供了一种微发光二极管，一种微发光二极管，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在微发光二极管主体的底面，微发光二极管两端呈锥度状，中间大，两端小，第二电极从微发光二极管主体的底面延伸至侧面，第一半导体层和第二半导体层，发光层上部为整体的第一半导体层，发光层下部为第二半导体层。匹配对应的转移基板，可以适应巨量微发光二极管的快速转移，结构简单、成本低、转移效率高、良品率高。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管
本技术涉及电子元器件领域，更具体地说，涉及一种微发光二极管。
技术介绍
近年来，发光二极管已经普遍使用在一般和商业照明应用中。作为光源，发光二极管具有许多优点，包含较低的能量消耗、较长的寿命、更小的尺寸以及较快的开关速度，因此传统的照明光源，例如白炽灯，逐渐被发光二极管光源所替换。在发光二极管中，当电子与电洞跨过半导体带隙而复合，复合能量会以光子的形式发射并产生光线。此复合机制就是所谓的辐射复合。使用微型的发光二极管阵列来控制电流流动与维持效率与均匀性的发光二极管显示器，是目前业界亟欲投入研发资源进行研究的项目之一。现有技术中针对于尺寸小的微发光二极管，也会使用转印的方式进行转移，对于二极管的结构和要求有所限制。如中国专利申请，申请号201810229801.3，公开日2018年8月3日，公开了微发光元件、微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括若干个微发光二极管、具有容置微发光二极管的凹槽的基架、用于连接微发光二极管和基架的桥臂，若干个大于等于1，在微发光二极管位于桥臂一侧的上表面具有高于桥臂的凸起，或者与微发光二极管连接的桥臂上表面具有凸起，以解决转印过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)和第二电极(102)设置在微发光二极管(1)主体的底面，微发光二极管(1)两端呈锥度状，中间大，两端小。

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)和第二电极(102)设置在微发光二极管(1)主体的底面，微发光二极管(1)两端呈锥度状，中间大，两端小。2.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第二电极(102)从微发光二极管(1)主体的底面延伸至侧面。3.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，发光层(103)设置在微发光二极管(1)本体中央，向上发光。4.根据权利要求1或3所述的一种微发光二极管，其特征在于，包括第一半导体层(104)和第二半导体层(105)，发光层(103)上部为整体的第一半导体层(104)，发光层(103)下部为第二半导体层(105)。5.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，微发光二极管(1)与转移基板(5)相匹配，安装于基板孔(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩进龙，
申请(专利权)人：韩进龙，
类型：新型
国别省市：安徽,34