一种发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括图形化衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和反射层；图形化衬底的第一表面包括多个凸起部和位于多个凸起部之间的凹陷部，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在第一表面上；P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，第一凹槽内的N型半导体层上设有延伸至第一表面的第二凹槽；反射层铺设在第二凹槽内的第一表面上，N型电极设置在反射层和第二凹槽周围的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。本发明专利技术可以有效提高LED芯片的出光，进而提升LED芯片的发光亮度。

A Light Emitting Diode Chip and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED的核心组件。现有的LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：电极材料会遮挡和吸收有源层发出的光线。对于正装LED芯片来说，P型电极位于有源层的上面，会遮挡和吸收有源层直接射向芯片出光面的光线；而N型电极位于有源层的侧面，虽然不会遮挡和吸收有源层直接射向芯片出光面的光线，但是有源层射向背光面的光线在经过反射之后还是很容易被N型电极吸收，影响LED芯片的出光，降低LED芯片的发光亮度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，能够解决现有技术的问题。所述技术方案如下：一方面，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括图形化衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和反射层；所述图形化衬底的第一表面包括多个凸起部和位于所述多个凸起部之间的凹陷部，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述第一表面上；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型半导体层上设有延伸至所述第一表面的第二凹槽，所述第二凹槽在所述图形化衬底的第二表面上的投影位于所述第一凹槽在所述第二表面上的投影内，所述第二表面为所述图形化衬底上与所述第一表面相对的表面；所述反射层铺设在所述第二凹槽内的第一表面上，所述N型电极设...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括图形化衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和反射层；所述图形化衬底的第一表面包括多个凸起部和位于所述多个凸起部之间的凹陷部，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述第一表面上；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型半导体层上设有延伸至所述第一表面的第二凹槽，所述第二凹槽在所述图形化衬底的第二表面上的投影位于所述第一凹槽在所述第二表面上的投影内，所述第二表面为所述图形化衬底上与所述第一表面相对的表面；所述反射层铺设在所述第二凹槽内的第一表面上，所述N型电极设置在所述反射层和所述第二凹槽周围的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽内的所有凸起部在所述第二表面上的投影的面积与所述第二凹槽内的凹陷部在所述第二表面上的投影的面积的比值为60％～90％。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起部在所述第二表面上的投影中两点之间的最大距离为1μm～5μm。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凸起部与所述凹陷部之间的夹角为30°～80°。5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个凸起部与所述凹陷部之间的夹角沿从所述第二凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灵峰，秦双娇，魏柏林，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33