一种垂直结构LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构LED芯片，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。相应地，本发明专利技术还提供了一种垂直结构LED芯片的制作方法。本发明专利技术的芯片，翘曲度低，良率和稳定性高。

A Vertical LED Chip and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种垂直结构LED芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明等相关领域。目前LED芯片结构主要分为正装、垂直与倒装三种。正装结构是LED历史上最先采用的结构，其结构简单，工艺流程快捷，但是由于正面的电极挡住出光，影响了出光效率。倒装结构的电极设置在发光底面，顶面为蓝宝石面亦是出光面，解决了电极挡光的技术难题，但由于电流水平传输存在电流拥挤问题，加上倒装电极与底面接触面积小，在大功率下难以解决散热问题，因此，需要进一步寻找新的LED结构。于是，垂直结构LED芯片应运而生，垂直结构LED芯片由于正面电极和底面电极分别在发光层的两侧，电流传输得以实现纵向传输，很好地改善了电流拥挤的问题，利用导热率高的衬底，如硅衬底等作为垂直芯片的衬底，实现了大面积散热，从而大功率的散热问题也能迎刃而解。垂直结构LED芯片凭借其结构的优势，近年来在LED市场上所占的份额越发重要，成为了研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层，所述第二衬底设有凹部和凸部，凸部的表面高于凹部的表面，所述键合层包括中心键合层和边缘键合层，所述中心键合层设置在第二衬底的凹部，所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部，刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上，刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上，所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述中心键合层的厚度等于边缘键合层的厚度，所述中心键合层和边缘键合层由Cr、Ti、Ni、Sn、Au和Pt中的两种或多种组成，厚度为0.4-4μm。3.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述凸部的宽度为5-50μm。4.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：在第一衬底上形成外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；对P型氮化镓层进行刻蚀，形成多个第一凸部和多个第一凹部；在第一凸部依次形成电流扩散层、反射层、刻蚀阻挡层和第一键合层，在第一凹部依次形成刻蚀阻挡层和第一键合层；提供第二衬底，所述第二衬底设有与第一凸部和第一凹部相配的第二凹部和第二凸部；在第二凸部和第二凹部上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层进行键合，形成键合层；除去第一衬底和第一凹部；在裸露...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜才满，徐亮，李宗涛，丁鑫锐，郑洪仿，黄经发，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44