一种新型PSS基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种新型PSS基板结构及其制作方法，PSS基板包括单位图和曝光区，且单位图均匀分布在曝光区内，制作方法包括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，将负性光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板。本发明专利技术两组PSS基板在拼接时，可将两者的外缘拼接重叠区拼接，对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，提高曝光质量；利用本发明专利技术方法涂覆的负性光刻胶，厚度适宜，且涂覆均匀，同时配合上大下小圆形孔洞的配合，可大幅度的增加光的取出效率。

A New PSS Substrate Structure and Its Fabrication Method

The invention discloses a novel PSS substrate structure and its fabrication method. The PSS substrate comprises a unit diagram and an exposure area, and the unit diagram is evenly distributed in the exposure area. The fabrication method includes the following steps: using the spin coating method, a negative photoresist is coated on the PSS substrate, and the negative photoresist is exposed and developed to obtain a PSS substrate with circular holes and then dried. In the etching process, PSS substrates with several hexagonal holes are etched. When the two PSS substrates are spliced together, the overlapping areas of the outer edges of the two PSS substrates can be spliced together to expose different exposure areas, and eventually each exposure area can be spliced to realize the exposure of the whole exposure field, realize the uniformity of exposure and improve the exposure quality; the negative photoresist coated by the method of the invention is suitable in thickness and uniform in coating, and cooperates with large and small circular holes at the same time. The combination of holes can greatly increase the light extraction efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种新型PSS基板结构及其制作方法
本专利技术涉及PSS基板
，尤其涉及一种新型PSS基板结构及其制作方法。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底（PatternedSapphireSubstrate,PSS），也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为纵向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。如今各厂家纷纷采用PSS技术，以提高LED器件的光提取效率。由于LED材料其折射系数大，光取出效率不佳，而透过PSS基版，除了降低外延缺陷外，亦可增加光的取出效率，但现有的PSS基板对光的取出效率的增加效果较弱，而且在PSS基板拼接后，会影响最终曝光质量，为此我们设计出了一种新型PSS基板结构及其制作方法来解决以上问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型PSS基板结构及其制作方法。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种新型PSS基板结构，所述PSS基板包括单位图和曝光区，且单位图均匀分布在曝光区内。优选的，所述曝光区的表面呈凹凸不平状，曝光区的上下两侧均设有外缘拼接重叠区。优选的，所述单位图在曝光区内形成均匀分布的孔洞，孔洞为上大下小的同心圆形孔洞。一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，将光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板。优选的，所述负性光刻胶的厚度为2.0～2.3um，最佳厚度为2.3um。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、两组PSS基板在拼接时，可将两者的外缘拼接重叠区拼接，即单位图在曝光区边缘处的大半圆互相拼接的方式，对不同的曝光区域进行曝光，最终各曝光区域拼接后实现整个曝光场的曝光，实现曝光的均匀性，拼接位置对应的曝光能量与其他位置对应的曝光能量相一致，达到消除残胶、提高曝光质量的目的；2、在PSS基板上涂覆负性光刻胶，负性光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用，可诱发光刻胶的化学反应，利用本专利技术方法涂覆的负性光刻胶，厚度适宜，且涂覆均匀，同时配合上大下小圆形孔洞的配合，可大幅度的增加光的取出效率。附图说明图1为本专利技术提出的一种新型PSS基板光刻后的结构示意图；图2为本专利技术提出的一种新型PSS基板结构的光刻后SEM侧视图；图3为本专利技术提出的一种新型PSS基板结构的光刻后SEM俯视图。图4为本专利技术提出的一种新型PSS基板结构的蚀刻后SEM侧视图。图5为本专利技术提出的一种新型PSS基板结构的蚀刻后SEM俯视图。图中：1单位图、2曝光区。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种新型PSS基板结构，PSS基板包括单位图1和曝光区2，且单位图1在曝光区2内形成均匀分布的孔洞，孔洞为上大下小的圆形孔洞，曝光区2的表面呈凹凸不平状，曝光区2的上下两侧均设有外缘拼接重叠区。实施例一一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，负性光刻胶的厚度为2.0um，将光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，见图3，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板，见图5。实施例二一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，负性光刻胶的厚度为2.1um，将光刻胶曝光显影，得到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，见图3，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个六边形孔洞的PSS基板，见图5。实施例三一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，负性光刻胶的厚度为2.2um，将光刻胶曝光显影，到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，见图3，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板，见图5。实施例四一种新型PSS基板结构的制作方法，括以下步骤：利用旋涂的方法，在PSS基板上涂覆一层负性光刻胶，负性光刻胶的厚度为2.3um，将光刻胶曝光显影，到带胶的具有圆形孔洞的PSS基板，见图3，然后再进行干蚀刻制程，刻出具有多个上大下小的六边形孔洞的PSS基板，见图5。上述四组实施例所制备的PSS基板可以增加LED灯珠的出光角度，光取出效率好，实施例四为最佳实施例，其制得的PSS基板在光刻、蚀刻后的SEM图见附图2-5。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型PSS基板结构，其特征在于，所述PSS基板包括单位图（1）和曝光区（2），且单位图（1）均匀分布在曝光区（2）内。

【技术特征摘要】
1.一种新型PSS基板结构，其特征在于，所述PSS基板包括单位图（1）和曝光区（2），且单位图（1）均匀分布在曝光区（2）内。2.根据权利要求1所述的一种新型PSS基板结构，其特征在于，所述曝光区（2）的表面呈凹凸不平状，曝光区（2）的上下两侧均设有外缘拼接重叠区。3.根据权利要求1所述的一种新型PSS基板结构，其特征在于，所述单位图（1）在曝光区（2）内形成均匀分布的孔洞，孔洞为上大...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹益荷，徐明金，钟梦洁，
申请(专利权)人：福建中晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35