一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，包括p型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极，所述p型电极、p型半导体层、发光层、n型半导体层和n型电极依次连接，所述p型半导体层和/或n型半导体层的表面设置有用于增大透光面积的导光孔。工作时，对所述红外LED芯片的电极输电，芯片内部发光层向外的发出红外光线，红外光线透过在LED红外芯片表面设置大量尺寸为红外光波长量级的导光孔，每个导光孔呈上部大小大于底部大小的形状设计，扩展了出光的面积，而且改变了光的折射方向，从而使透光效率明显提高。

A Kind of Infrared LED Chip with Light Guide Hole to Enhance Luminescence

The utility model discloses an infrared LED chip which uses a light guide hole to enhance luminescence, including p-type electrode, p-type semiconductor layer, light emitting layer, n-type semiconductor layer and n-type electrode. The p-type electrode, p-type semiconductor layer, light emitting layer, n-type semiconductor layer and n-type electrode are connected in turn. The surface of the p-type semiconductor layer and/or n-type semiconductor layer is provided with conductivity for increasing the light transmission area. Light hole. When working, the infrared light transmits to the electrodes of the infrared LED chip, and the inner luminous layer of the chip emits infrared light outward. Infrared light passes through a large number of light-guiding holes of infrared wavelength magnitude arranged on the surface of the infrared LED chip. Each light-guiding hole is designed in the shape that the upper size is larger than the bottom size, thus expanding the area of light, and changing the refraction direction of light, so that the light transmission can be achieved. The efficiency has been significantly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片
本技术涉及红外LED芯片领域，特别是一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片。
技术介绍
目前，镓铝砷红外LED芯片应用越来越广泛，军事方面主要应用于火炮、坦克及单兵夜视仪、测距仪、隐形监控及设备遥控，民用方面主要应用于电脑摄像头、数码照相机、摄像机、保安监控、交通监控以及家电遥控器等。随着人民生活水平的提高，对远距离、高清晰度的追求越来越高，由此对大功率镓铝砷红外850nm、940nmLED芯片的需求越来越多。现有的镓铝砷红外850nm、940nmLED芯片主要是利用硝酸、双氧水、水的混合液对其P面、N面及侧面进行表面粗化，其表面增加面非常少，且不能完全将芯片内部的光导出，光的利用率低。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的目的在于提供一种能够提高红外光功率的芯片，在LED红外芯片表面设置导光孔，扩展了出光的面积，同时改变了光在芯片表面处的折射方向，从而使透光效率明显提高，实现高效自动化生产的一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片。本技术解决其问题所采用的技术方案是：一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，其特征在于：包括p型电极、p型半导体层、发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，包括p型电极(1)、p型半导体层(2)、发光层(3)、n型半导体层(4)和n型电极(5)，所述p型电极(1)、p型半导体层(2)、发光层(3)、n型半导体层(4)和n型电极(5)依次连接，其特征在于：所述p型半导体层(2)和/或n型半导体层(4)的表面设置有用于增大透光面积的导光孔(6)。

【技术特征摘要】
1.一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，包括p型电极(1)、p型半导体层(2)、发光层(3)、n型半导体层(4)和n型电极(5)，所述p型电极(1)、p型半导体层(2)、发光层(3)、n型半导体层(4)和n型电极(5)依次连接，其特征在于：所述p型半导体层(2)和/或n型半导体层(4)的表面设置有用于增大透光面积的导光孔(6)。2.根据权利要求1所述的一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，其特征在于：所述导光孔(6)包括底面(7)和与所述底面(7)连接的侧面(8)，所述侧面(8)与所述底面(7)之间形成导角(9)。3.根据权利要求2所述的一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，其特征在于：所述导角(9)的角度大于90度且小于180度。4.根据权利要求1所述的一种利用导光孔增强发光的红外LED芯片，其特征在于：所述导光...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱晨，吴质朴，何畏，陈强，
申请(专利权)人：深圳市奥伦德科技股份有限公司，深圳市奥伦德元器件有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44