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一种可见光高频通信LED制造技术

技术编号:21068335 阅读:51 留言:0更新日期:2019-05-08 11:40
本实用新型专利技术公开了一种可见光高频通信LED,包括N电极、P电极、发光体以及基板,所述N电极、P电极以及发光体相互绝缘间隔设置在基板上表面,所述发光体面积为基板面积的20~50%,在基板上表面向上延伸2μm~30μm设置有起遮光作用的金属管柱,该管柱内设柱孔,发光体纳置于柱孔内,发光体的高度比管柱的高度小0.2μm~6μm;所述发光体与管柱之间设有绝缘层。该可见光高频通信LED发光区域小,有效减小了PN结电容以及降低了RC时间,增加了载流子浓度,进而改善了LED调制带宽,使得饱和电流区也可以是工作电流的10~15倍。

【技术实现步骤摘要】
一种可见光高频通信LED
本技术涉及光通信器件领域,尤其涉及一种可见光高频通信LED。
技术介绍
现在光纤通信,采用的光源有LD、RCLED、VCSEL、LED。LED虽然具有价格便宜、寿命长等优点,但一般应用在低速场合,传输速率小于50Mbps;而LD、RCLED、VCSEL主要是用在高速率场合,其价格高;这样就大大地限制了可见光作为光通信载体的使用。
技术实现思路
基于上述问题,本技术所要解决的问题在于提供一种传输速率大、价格低,且过流密度大的可见光高频通信LED。本技术的技术方案如下:一种可见光高频通信LED,包括N电极、P电极、发光体以及基板,所述N电极、P电极以及发光体相互绝缘间隔设置在基板上表面;所述发光体面积为基板面积的20~50%;在基板上表面向上延伸2μm~30μm设置有起遮光作用的金属管柱,该管柱内设柱孔,所述发光体纳置于所述柱孔内,发光体的高度比管柱的高度小0.2μm~6μm;所述发光体与管柱之间设有绝缘层。所述可见光高频通信LED,其中,在所述基板的上表面且对应于发光体位置处为平面结构。所述可见光高频通信LED,其中,所述P电极、N电极以及管柱的材质均为金属金或铝。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可见光高频通信LED,包括N电极、P电极、发光体以及基板,所述N电极、P电极以及发光体相互绝缘间隔设置在基板上表面;其特征在于,所述发光体面积为基板面积的20~50%;在基板上表面向上延伸2μm~30μm设置有起遮光作用的金属管柱,该管柱内设柱孔,所述发光体纳置于所述柱孔内,发光体的高度比管柱的高度小0.2μm~6μm;所述发光体与管柱之间设有绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种可见光高频通信LED,包括N电极、P电极、发光体以及基板,所述N电极、P电极以及发光体相互绝缘间隔设置在基板上表面;其特征在于,所述发光体面积为基板面积的20~50%;在基板上表面向上延伸2μm~30μm设置有起遮光作用的金属管柱,该管柱内设柱孔,所述发光体纳置于所述柱孔内,发光体的高度比管柱的高度小0.2μm~6μm;所述发光体与管柱之间设有绝缘层。2.根据权利要求1所述的可见光高频通信LED,其特征在于,在所述基板的上表面且对应于发光体位置处为平面结构。3.根据权利要求1所述的可见光高频通信LED,其特征在于,所述P电极、N电极以及管柱的材质均为金属金或铝。4.根据权利要求1所述的可见光高频通信LED,其特征在于,所述绝缘层的材质为SiO2。5.根据权利要求1所述的可见光高频通信LED,其特征在于,所述P电极数量与所述N电极数量均为一个;在所述柱孔内还设有一电极空心管,所述电极空心管通过若干金属隔片与管柱电连接,且所述电极空心管、金属隔片以及管柱之间形成的若干个空隙将发光体分隔成若干个独立的发光体单体。6.根据权利要求1所述的可见光高频通信LED,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘向宁
申请(专利权)人:刘向宁
类型:新型
国别省市:广东,44

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