一种高压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方。本实用新型专利技术的第三电极悬空设置在切割道的上方，可减少贯穿刻蚀所需面积，增大发光面积，减少第三电极对光的吸收，提高芯片的出光效率。

A High Voltage LED Chip

The utility model discloses a high-voltage LED chip, which comprises a substrate, at least two light-emitting structures arranged on the substrate, and a cutting path between adjacent light-emitting structures. The light-emitting structure comprises a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer, and an exposed area extending through the second semiconductor layer and an active layer to the first semiconductor layer. The first electrode and the second electrode are arranged on the second semiconductor layer, in which the first electrode and the second electrode on the adjacent luminescent structure are electrically connected to form a third electrode, and the third electrode is suspended above the cutting channel. The third electrode of the utility model is suspended above the cutting channel, which can reduce the area needed to penetrate the etching, increase the luminous area, reduce the light absorption of the third electrode, and improve the light output efficiency of the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高压LED芯片。
技术介绍
发光二极管(LED)具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，其作为主要光源得到快速发展。近年来发光二极管的利用领域正在迅速扩展，而提高发光二极管亮度和降低发光二极管的成本已成为LED发展的技术目标。高压发光二极管(HV-LED)可以较为明显地降低发光二极管的成本，HV-LED具有两大优点：一、有效降低LED照明灯具的成本和重量；二、大幅降低对散热系统的设计要求，解决了LED照明市场的散热技术障碍。HV-LED高电压、小电流的工作条件与传统LED低电压、大电流工作条件完全相反。LED照明灯具由于采用HV-LED的SOP而降低发热，具有发光角度大于270度、低成本、轻重量等优点。HV-LED高电压、小电流工作条件，与传统LED低电压、大电流工作环境相比，HV-LED工作时发热明显降低；此外，HV-LED只需高压线性恒流电源就能进行工作，由于高压线性恒流电源不需要变压器和电解电容器，因此解决了传统LED驱动电源和电解电容器的使用寿命短的问题。但是，现有高压LED芯片由于需要电极来将多个发光结构串联起来，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方，所述第三电极依次包括第一Cr层、Al层、第二Cr层、第一Ti层、第一Pt层、第一Au层、第三Cr层、第二Ti层、第二Pt层和第二Au层。

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方，所述第三电极依次包括第一Cr层、Al层、第二Cr层、第一Ti层、第一Pt层、第一Au层、第三Cr层、第二Ti层、第二Pt层和第二Au层。2.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道贯穿所述发光结构并延伸至所述衬底的表面。3.如权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的侧壁具有倾斜角度。4.如权利要求3所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的侧壁上设有绝缘层。5.如权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述切割道的宽度小于1...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，王兵，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44