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本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第...
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