发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置，其包含:一发光叠层包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于第一半导体层及第二半导体之间，其中第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接第一表面、及一第二部分连接第一部分；一开口，自上表面穿透第一半导体层的第一部分；一凹部连接开口并穿透第二半导体层及、发光层及第一半导体层的第二部分，其中凹部具有一宽度大于开口的一宽度使凹部的底部露出第一半导体层的一第二表面相对第一表面；以及一电极位于凹部且与开口对应。

【技术实现步骤摘要】
发光装置本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201310262787.4，申请日：2013年06月27日，专利技术名称：发光装置)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种将发光叠层自成长基板转移至一导电基板的发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是因电子移动于n型半导体与p型半导体间释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯，所以发光二极管又称作冷光源。再者，发光二极管较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明市场中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域，且已逐渐地取代传统的光源。发光二极管具有的发光叠层外延成长于一导电基板上或一绝缘基板上。具有导电基板的发光二极管可在发光叠层顶部形成一电极，一般称为垂直式发光二极管。具有绝缘基板的发光二极管则须通过蚀刻制作工艺暴露出两不同极性的半导体层，并分别在两半导体层上形成电极，一般称为水平式发光二极管。垂直式发光二极管的优点在于电极遮光面积少、散热效果好、且无额外的蚀刻外延制作工艺，但目前用来成长外延的导电基板却有容易吸收光线的问题，因而影响发光二极管的发光效率。水平式发光二极管的优点在于绝缘基板通常也是透明基板，光可从发光二极管的各方向射出，然而也有散热不佳、电极遮光面积多、外延蚀刻制作工艺损失发光面积等缺点。上述发光二极管可更进一步的连接于其他元件以形成一发光装置。发光二极管可通过具有基板的那一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光二极管间，以形成一发光装置。此外，次载体可还包含一电路其通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光二极管的电极。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于第一半导体层及第二半导体之间，其中第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接第一表面、及一第二部分连接第一部分；一开口，自上表面穿透第一半导体层的第一部分；一凹部连接开口并穿透第二半导体层及、发光层及第一半导体层的第二部分，其中凹部具有一宽度大于开口的一宽度使凹部的底部露出第一半导体层的一第二表面相对第一表面；以及一电极位于凹部且与开口对应。附图说明图1A至图1H是显示本专利技术发光装置根据一第一实施例的制造方法；图2是显示本专利技术第二实施例的一发光装置；图3是显示本专利技术第三实施例的一发光装置；图4是显示本专利技术第一实施例的发光装置的电极配置；图5是显示本专利技术第四实施例的发光装置的电极配置；图6是显示本专利技术第五实施例的发光装置的电极配置；图7是显示本专利技术第六实施例的发光装置的电极配置；图8是显示本专利技术第七实施例的发光装置的电极配置；图9是显示本专利技术第八实施例的发光装置的电极配置；图10是显示本专利技术第九实施例的发光装置的电极配置。符号说明100发光装置101成长基板102第一半导体层102a第一表面102b第一部分102c第二部分102d第二表面103缓冲层104发光层105凹部106第二半导体层108发光叠层110电极110a上表面110b接触区域110c暴露区域112导电层114绝缘结构114a上表面115打线电极116阻障层116a上表面117导电结构118反射层120接合结构122导电基板124开口126粗化结构200发光装置204开口210电极211打线电极300发光装置322导电基板320接合结构318反射层308导电层311电极314绝缘结构314a绝缘层314b绝缘部316导电通道111a第二延伸电极111b第一延伸电极500发光装置510打线电极511延伸电极517导电结构522导电基板600发光装置610打线电极611延伸电极617导电结构622导电基板700发光装置710打线电极711延伸电极717导电结构722导电基板800发光装置810a打线电极810b打线电极811延伸电极811a放射枝811b放射枝811c放射枝811d放射枝822导电基板817导电结构900发光装置922导电基板910a打线电极910b打线电极911延伸电极911a放射枝911b放射枝917导电结构1000发光装置1022导电基板1011延伸电极1010a打线电极1010b打线电极1011a第一放射枝1011b第二放射枝W1、W2、W3宽度具体实施方式请参阅图1A至图1H，是显示根据本专利技术一第一实施例的发光装置制造方法。如图1A所示，一发光叠层108是以外延成长方式形成于一成长基板101上，发光叠层108可包含一第一半导体层102、一第二半导体层106及一位于第一半导体层102及第二半导体层106间的发光层104。发光叠层108可为一氮化物发光叠层，材料可选自铝(Al)、铟(In)、镓(Ga)、氮(N)所构成群组的组合，成长基板101可为一透明绝缘基板例如蓝宝石(sapphire)基板，或导电基板例如硅(Si)或碳化硅(SiC)基板，而为了缩小成长基板101与发光叠层108间的晶格差异，可在形成发光叠层108前先在成长基板101上形成一缓冲层103。发光叠层108的材料也可选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)所构成群组的组合，成长基板则可为GaAs。第一半导体层102、发光层104、第二半导体层106是外延成长在成长基板101上，而第一半导体层102可为n型半导体，第二半导体层106可为p型半导体。发光叠层108的结构可包含单异质结构(singleheterostructure；SH)、双异质结构(doubleheterostructure；DH)、双侧双异质结构(double-sidedoubleheterostructure；DDH)、或多层量子井(multi-quantumwell；MQW)。请参阅图1B，形成一凹部105穿透第二半导体层106、发光层104并暴露出第一半导体层102。凹部105具有一图案，且于凹部105中形成一对应凹部105的图案的电极110，再于第二半导体层106上形成一导电层112。电极110仅电连接于第一半导体层102，由剖视图可见电极110的两侧与凹部105的侧壁具有间隙，因此电极110绝缘于发光层104及第二半导体层106。导电层112欧姆接触于第二半导体层106，可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)等透明导电层或镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、铬(Cr)等金属材料。电极110可包含铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、铂(Pt)、金(Au)等金属或其组合。请参阅图1C，形成一覆盖导电层112的阻障层116及形成一覆盖电极110的绝缘结构114。阻障层116覆盖住导电层112除了接触于第二半导体层106的所有表面。绝缘结构114大致对应电极110的图案，且填满电极110两侧与凹部105的侧壁间的空隙。绝缘结构114的上表面114a与阻障层116的上表面116a大致共平面，且绝缘结构114除了填入凹部105的部分被阻障层116水平环绕。绝缘结构114包括透明绝缘材料可通过蒸镀或溅镀，或旋涂玻璃(SOG)方式涂布单层二氧化硅(SiO2)、单层二氧化钛(TiO2)或单层四氮化三硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包含:基板；发光叠层，包含第一半导体层、第二半导体层以及发光层形成于该第一半导体层及该第二半导体之间，其中该第一半导体层具有第一表面、第一部分连接该第一表面、及第二部分连接该第一部分；导电结构，连接该第二半导体层，位于该基板与该第二半导体层之间开口，自该第一表面穿透该第一半导体层的该第一部分；凹部，穿透该第二半导体层、该发光层及该第一半导体层的该第二部分并连接该开口，其中该凹部具有一宽度大于该开口的一宽度，使该凹部的底部露出该第一半导体层的第二表面，该第二表面与该第一表面相对；电极，位于该凹部并与该开口对应；以及打线电极，位于该开口内，并与该电极相接；其中，在一上视图中，该打线电极与该导电结构彼此不重叠。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包含:基板；发光叠层，包含第一半导体层、第二半导体层以及发光层形成于该第一半导体层及该第二半导体之间，其中该第一半导体层具有第一表面、第一部分连接该第一表面、及第二部分连接该第一部分；导电结构，连接该第二半导体层，位于该基板与该第二半导体层之间开口，自该第一表面穿透该第一半导体层的该第一部分；凹部，穿透该第二半导体层、该发光层及该第一半导体层的该第二部分并连接该开口，其中该凹部具有一宽度大于该开口的一宽度，使该凹部的底部露出该第一半导体层的第二表面，该第二表面与该第一表面相对；电极，位于该凹部并与该开口对应；以及打线电极，位于该开口内，并与该电极相接；其中，在一上视图中，该打线电极与该导电结构彼此不重叠。2.如权利要求1所述的发光装置，包含绝缘结构，该绝缘结构覆盖该电极。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该电极具有一宽度大于该开口的该宽度并连接于该第二表面。4.如权利要求1所述的发光装置，其中该导电结构包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟荣，富振华，李政宪，黄启豪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71