一种发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二极管芯片，包括外延片和设置在所述外延片上的电极，所述电极包括粘附层、反光层、保护层和打线层，所述外延片上表面开设有梯形凹槽，所述梯形凹槽的底面面积大于其上端开口面积，所述电极的形状与所述梯形凹槽相适配，所述粘附层、反光层、保护层和打线层依次层叠在所述梯形凹槽内，所述粘附层、反光层、保护层、打线层均呈梯形且由下往上依次缩小，所述保护层的两侧连接有保护边，所述保护边将所述粘附层、反光层、打线层的侧边包覆住，所述打线层的上表面裸露出，且其裸露面与所述外延片的上表面平齐。本实用新型专利技术的结构设计有效解决了现有技术中导致芯片的电阻率升高，电导率和机械性能降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片
本技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏和指示灯上。芯片是LED的核心组件，芯片包括外延片和电极，电极设置在外延片上。现有的电极包括Cr膜层、Al膜层、Ni膜层和Au膜层，Cr膜层、Al膜层、Ni膜层和Au膜层依次层叠在外延片上。其中，Cr膜层的厚度为1nm～5nm，用于将电极粘附在外延片上；Al膜层的厚度为100nm～500nm，用于对射向电极的光线进行反射，避免光线被电极吸收，提高出光效率；Ni膜层的厚度为1nm～500nm，用于对Cr膜层和Al膜层进行保护；Au膜层的厚度为50nm～3um，用于与焊线结合实现打线。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题；芯片在使用过程中绘发热，由于Al的热膨胀系数较大，因此Al膜层在长期的使用过程中会受热膨胀，冲破包覆在Al膜层外的Ni膜层与Au膜层接触。又由于Au和Al的扩散速率相差较大，在柯肯达尔效应(英文：k本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，包括外延片和设置在所述外延片上的电极，所述电极包括粘附层、反光层、保护层和打线层，其特征在于：所述外延片上表面开设有梯形凹槽，所述梯形凹槽的底面面积大于其上端开口面积，所述电极的形状与所述梯形凹槽相适配，所述粘附层、反光层、保护层和打线层依次层叠在所述梯形凹槽内，所述粘附层、反光层、保护层、打线层均呈梯形且由下往上依次缩小，所述保护层的两侧连接有保护边，所述保护边将所述粘附层、反光层、打线层的侧边包覆住，所述打线层的上表面裸露出，且其裸露面与所述外延片的上表面平齐。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括外延片和设置在所述外延片上的电极，所述电极包括粘附层、反光层、保护层和打线层，其特征在于：所述外延片上表面开设有梯形凹槽，所述梯形凹槽的底面面积大于其上端开口面积，所述电极的形状与所述梯形凹槽相适配，所述粘附层、反光层、保护层和打线层依次层叠在所述梯形凹槽内，所述粘附层、反光层、保护层、打线层均呈梯形且由下往上依次缩小，所述保护层的两侧连接有保护边，所述保护边将所述粘附层、反光层、打线层的侧边包覆住，所述打线层的上表面裸露出，且其裸露面与所述外延片的上表面平齐。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述外延片包括发光层、设置在所述发光层两侧的N型半导体层和P型半导体层、以及设置在所述发光层、N型半导体层、P型半导体层底部的衬底，所述发光层与所述反光层相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：林周明，林钟涛，
申请(专利权)人：广东华冠半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44