一种高压的LED灯珠制造技术

本实用新型专利技术公开一种高压的LED灯珠，包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于支架内腔底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶；支架的尺寸如下，长度为3.45至3.55毫米，宽度为2.75至2.85毫米，高度为0.60至0.70毫米。LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成，小型LED芯片的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏，属于高压低电流的LED灯珠，这样的LED灯珠结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种高压的LED灯珠，包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于支架内腔底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶；支架的尺寸如下，长度为3.45至3.55毫米，宽度为2.75至2.85毫米，高度为0.60至0.70毫米。LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成，小型LED芯片的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏，属于高压低电流的LED灯珠，这样的LED灯珠结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广。【专利说明】一种高压的LED灯珠
本技术涉及LED灯珠
，特别涉及一种高压的LED灯珠。
技术介绍
LED灯珠以照明亮度高、安全、节能环保等优点而得到广泛的应用。现有的LED灯珠一般包括支架、设于支架内底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶。现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片，而该LED芯片的工作电流一般为150毫安，工作电压一般为3V，属于低压高电流的芯片，这样的LED芯片发热量大，长期囤积的热量容易损坏LED芯片自身，影响其使用寿命，而且这样的低压高电流芯片的能耗高，电能一般30%转化为光能，70%转化为热能，光强度一般，能源利用率低，并不符合节能环保的理念。同时需要设计结构复杂的散热结构或额外配置散热器来艰难地降温，形形色色的无效散热方法，导致成本居高不下，使得LED灯具的价格难以下降，普通百姓难以承受消费。而且现有的低压高电流的LED芯片配置的驱动电路庞大复杂，体积及电路成本较高，不利于降低驱动电路的生产设计成本。 因此，如何实现一种LED芯片结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广的新型的高压LED灯珠是业内亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种高压的LED灯珠，旨在实现一种LED芯片结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广的新型的高压LED灯珠。 本技术提出一种高压的LED灯珠，包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于支架内腔底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶；LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成，小型LED芯片的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏；支架的尺寸如下，长度为3.45至3.55毫米，宽度为2.75至2.85毫米，高度为0.60至0.70毫米。 优选地，支架的长度为3.5毫米，宽度为2.8毫米，高度为0.65毫米。 优选地，每个支架内的LED芯片结构的数量设置为I至3个。 本技术的LED芯片结构与现有的LED灯珠的LED芯片结构不同，现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片，而该LED芯片的工作电流一般为150毫安，工作电压一般为3V，属于低压高电流的芯片。而本技术的LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成，小型LED芯片的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏，属于高压LED灯珠。同样功率的条件下，电流小，电压高，产生的总体功耗、热量比传统的LED要小，节能环保，在高低压转换时电源供应器的效率较高，高压LED可以大幅度减低AC-DC转换效率损失，以1W输出功率为例，如果采用正向压降为9V的0.3W高压LED，输出端可以采取3并16串的配置，16个串联LED的正向压降为160V，也就是说只需从市电220V交流电(AC)利用桥式整流及降60V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的IW低压LED，即便10个串在一起正向压降也不过30V，也就是说需要从220VAC市电降压到30VDC。我们知道，输入和输出压差越低，AC到DC的转换效率就越高，可见如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本.。另外，本技术的高压LED灯珠的驱动电路成本较低，驱动电路较为精简，体积及电路成本较低，在同样输出功率下，高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED.，如以高压蓝光0.3LED为例，它的正向压降高达9V，也即它只需30mA驱动电流就可以输出0.3W功率，而普通正向压降为3V的0.3LED，需要10mA驱动电流才能输出0.3功率，因此同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED，这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。因此，如采用高压LED来开发LED通用照明灯具产品，总体功耗可以大大降低，从而大幅降低对散热外壳的设计要求，如我们可用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求，由于散热铝外壳的成本是LED照明灯具的主要成本组成部分之一，铝外壳成本有效降低也意味着整体LED照明灯具成本的有效降低。高压LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低，但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求，从而有力扫清了 LED照明灯具进入室内照明市场的最大技术障碍。因此，高压LED将主导未来的LED通用照明灯具市场，十分值得进行推广应用。同时，高压LED灯珠也方便了可调光电路的导入。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术一种高压的LED灯珠的一实施例的立体结构示意图。 本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。 【具体实施方式】 应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。 参照图1，提出本技术的一种高压的LED灯珠的一实施例，包括内部设有内腔的支架100、若干安装固定于支架100内腔底部的LED芯片结构、填充于支架100内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶300。 LED芯片结构由3个小型LED芯片200串联而成，小型LED芯片200的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏。本技术的LED芯片结构与现有的LED灯珠的LED芯片结构不同，现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片，而该LED芯片的工作电流一般为150毫安，工作电压一般为3V，属于低压高电流的芯片。而本技术的LED芯片结构由3个小型LED芯片200串联而成，小型LED芯片200的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏，属于高压LED灯珠。同样功率的条件下，电流小，电压高，产生的总体功耗、热量比传统的LED要小，节能环保，在高低压转换时电源供应器的效率较高，高压LED可以大幅度减低AC-DC转换效率损失，以1W输出功率为例，如果采用正向压降为9V的0.3W高压LED，输出端可以采取3并16串的配置，16个串联LED的正向压降为160V，也就是说只需从市电220V交流电(AC)利用桥式整流及降60V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的IW低压LED，即便10个串在一起正向压降也不过30V，也就是说需要从220VAC市电降压到30VDC。我们知道，输入和输出压差越低，AC到DC的转换效率就越高，可见如采用高压LED，变压器的效率就可以得到大大提高，从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失，这一热耗减少又可进一步降低散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压的LED灯珠，其特征在于，包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于所述支架内腔底部的LED芯片结构、填充于所述支架内腔中并把所述LED芯片结构罩设住的荧光胶；所述LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成，所述小型LED芯片的工作电流为50毫安，工作电压为9至10伏；所述支架的尺寸如下，长度为3.45至3.55毫米，宽度为2.75至2.85毫米，高度为0.60至0.70毫米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李杏贤，
申请(专利权)人：中山市泓昌光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44