The application provides a high-voltage LED chip structure and a manufacturing method thereof. The high-voltage LED chip structure includes a plurality of LED chip particles and a cell isolation groove arranged between two adjacent LED chip particles. The cell isolation groove includes a cell isolation groove connecting the cell isolation groove and the cell isolation groove connecting the non-connected area, in which the non-connected cell isolation groove is in the direction of connecting the two adjacent LED chip particle centers. The width of the zone cell isolation groove is smaller than that of the connecting zone cell isolation groove, and the slope of the side wall of the non-connecting zone cell isolation groove is larger than that of the connecting zone cell isolation groove. Thus, the area of the cell isolation groove in the unconnected region is reduced, and the area of the luminous region is increased, and the light efficiency of the high voltage LED chip is improved. Due to the slow side wall of the cell isolation groove in the connecting area, the effective coverage of the bridge insulating layer and the bridge electrode is ensured, and the product reliability of the high voltage LED chip structure is guaranteed.
【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种高压LED芯片结构及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代照明工具。然而，目前LED芯片尚存在着发光效率低的问题。因此提高发光二极管发光效率成为现今最大的课题。基于应用需求，针对提高LED芯片发光效率的技术被提出，例如采用透明衬底、表面粗化，CBL(电流阻挡层)、金属反射镜、倒装芯片、倒梯形芯片结构等技术。为降低LED封装应用成本，近年来，HV(高压芯片)应运而生，特别是在球泡灯领域得到广泛应用，由于HV(高压芯片)是在芯片制造段的多颗芯片集成，因此可以降低封装的打线成本及应用端的Driver(驱动)成本，进而降低整个LED成本。由于原胞隔离区的存在，导致发光区面积变小，进而导致整个芯片的发光效率较低。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：多个LED芯片颗粒；相邻两个LED芯片颗粒之间设置有原胞隔离槽；所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区原胞隔离槽之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。
【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：多个LED芯片颗粒；相邻两个LED芯片颗粒之间设置有原胞隔离槽；所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区原胞隔离槽之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。2.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述连接区原胞隔离槽的侧壁相对于所述连接区原胞隔离槽底面的倾斜角范围为20°-50°，包括端点值。3.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述非连接区原胞隔离槽的侧壁相对于所述非连接区原胞隔离槽底面的倾斜角范围为60°-90°，包括端点值。4.一种高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-3任意一项所述的高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向上依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；开设暴露所述第一型半导体层的凹槽；刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽；所述原胞隔离槽将所述外延层分割为多个LED芯片颗粒，所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度；在部分所述第二型半导体层上、所述连接区原胞隔离槽的底面和侧壁形成桥接绝缘隔离层；在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘层上制作桥接电极。5.根据权利要求4所述的高压LED芯片结构制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述外延层，形成原胞隔离槽，具体包括：形成第一光刻胶，所述第一光刻胶暴露出待形成连接区原胞隔离槽区域；进行第一次刻蚀，形成连接区原胞隔离槽；形成第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖所述连接区原胞隔离槽的侧壁，以及LED芯片颗粒...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，李俊贤，刘兆，魏振东，黄瑄，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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