一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，从衬底往上依序包括缓冲层、第一n型半导体层、有源层、p型半导体层和第二n型半导体层；其中：所述p型半导体层包括有两种以上不同的p型掺杂浓度层，其中p型半导体层的最表层为厚度为5~50nm，Mg的掺杂浓度为5E19~1E21cm

【技术实现步骤摘要】
一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiode，LED）具有电光转换效率高、使用寿命长、环保、节能、低热、高亮度和反应速度快等优点，目前已经广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。传统的氮化镓（GaN）基发光二极管外延结构主要包括：缓冲层、n型半导体层、有源层和p型半导体层。在氮化镓基的发光二极管器件结构中，p型氮化镓本身的电阻率与和器件电极的接触电阻皆较n型氮化镓高，其中p型氮化镓的电阻率约是n型氮化镓的一千倍，而p型氮化镓和器件电极的接触电阻也约是n型氮化镓的一千倍。在氮化镓基的发光二极管器件结构中,p型氮化镓本身的电阻率较高使电流不易在p型氮化镓中均匀扩散,而p型氮化镓和器件电极的接触电阻较高使p型氮化镓的欧姆接触电极制作难度提高。因为p型氮化镓的欧姆接触电极制作难度较n型氮化镓高,先前有人提出在原发光二极管外延结构的p型氮化镓上再外延成长一n型氮化镓,如此可将原先要制作在p型氮化镓上的欧姆接触电极改成制作在此外延成长的n型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，从衬底往上依序包括缓冲层、第一n型半导体层、有源层、p型半导体层和第二n型半导体层；其特征在于：所述p型半导体层包括有两种以上不同的p型掺杂浓度层，其中p型半导体层的最表层为厚度为5~50nm，Mg的掺杂浓度为5E19~1E21cm

【技术特征摘要】
1.一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，从衬底往上依序包括缓冲层、第一n型半导体层、有源层、p型半导体层和第二n型半导体层；其特征在于：所述p型半导体层包括有两种以上不同的p型掺杂浓度层，其中p型半导体层的最表层为厚度为5~50nm，Mg的掺杂浓度为5E19~1E21cm-3的p++重掺杂半导体层；所述第二n型半导体层包括有两种以上不同的n型掺杂浓度层，其中第二n型半导体的最底层为厚度为5~50nm，Si的掺杂浓度为5E19~1E21cm-3的n++重掺杂半导体层，在所述n++重掺杂半导体层上有厚度为100~1000nm，Si的掺杂浓度为1E18~5E19cm-3的n掺杂半导体层；所述p++重掺杂半导体层和所述n++重掺杂半导体层的界面上形成有氮化镓基发光二极管外延结构的隧道结。2.根据权利要求1所述的一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于：所述衬底可以为蓝宝石（Al2O3）衬底、硅（Si）衬底、碳化硅（SiC）衬底、氮化铝(AlN)衬底、氮化镓(GaN)衬底、氧化镓(Ga2O3)衬底或氧化锌（ZnO）衬底中一种。3.根据权利要求1所述的一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于：所述缓冲层厚度为5nm～500nm,组份...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36