发光二极管外延片及其生长方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。本发明专利技术可以增加P型半导体层注入有源层的空穴数量。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其生长方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其生长方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，LED正在被迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等领域。LED的核心组件是芯片，提高芯片的发光效率是LED应用过程中不断追求的目标。芯片包括外延片和设置在外延片上的电极。现有的LED外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。衬底用于提供外延生长的表面，缓冲层用于提供外延生长的成核中心，N型半导体层用于提供复合发光的电子，P型半导体层用于提供复合发光的空穴，有源层用于进行电子和空穴的复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：P型半导体层中提供空穴的镁掺杂的激活效率很低，导致注入有源层的空穴数量远小于注入有源层的电子数量，加上电子的移动速率远大于空穴，极大地限制了有源层中电子和空穴的复合发光，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述P型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂镁的氮化镓，所述第一子层中镁的掺杂浓度小于所述第三子层中镁的掺杂浓度；所述第二子层的材料采用未掺杂的氮化铟。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度、所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度分别沿所述多个叠层结构的层叠方向逐层增大，所述多个叠层结构的第二子层中铟的组分含量的增大比例与所述多个叠层结构的第一子层中镁的掺杂浓度的增大比例、所述多个叠层结构的第三子层中镁的掺杂浓度的增大比例成正比。3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，相邻两个所述第二子层中，后层叠的所述第二子层中铟的组分含量为先层叠的所述第二子层中铟的组分含量的1.5倍～3倍。4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为所述叠层结构的厚度的1/2...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33