发光二极管制造技术

发光二极管包含半导体层以及电极。第一型半导体层包含第一低电阻部位、第二低电阻部位以及介于第一低电阻部位与第二低电阻部位之间的高电阻部位。高电阻部位包围第一低电阻部位并配置以将电荷载子实质地限制于第一低电阻部位内。第一型半导体层的电阻值由第一低电阻部位往高电阻部位增加，并由高电阻部位往第二低电阻部位减少。第一电极电性连接至第一低电阻部位，且第一电极与第二低电阻部位之间实质上并没有电流流通。第一型半导体层的一部分介于第一电极与第二型半导体层之间。第二电极电性连接至第二型半导体层。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本揭露有关于一种发光二极管。更明确而言，有关于一种具有电流限制结构的发光二极管。
技术介绍
近年来，发光二极管(light-emittingdiodes,LEDs)渐渐普及于商用的发光设备中。作为光源，发光二极管具有低耗能、高寿命、小尺寸以及开关迅速等优点，因此传统的照明工具(如白炽灯)已经渐渐的被发光二极管光源所取代。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出新的发光二极管，增进发光二极管的发光效率，从而更加适于实用。依据本揭露的一些实施方式，发光二极管包含第一型半导体层、第一电极、第二型半导体层以及第二电极。第一型半导体层包含第一低电阻部位、至少一个第二低电阻部位以及高电阻部位。高电阻部位介于第一低电阻部位以及第二低电阻部位之间。高电阻部位包围第一低电阻部位。第一型半导体层的电阻值由第一低电阻部位往高电阻部位增加，并由高电阻部位往第二低电阻部位减少。第一电极电性连接至第一低电阻部位，且第一电极与第二低电阻部位之间实质上没有电流流通。高电阻部位配置以实质上地限制电荷载子于第一低电阻部位内。第一型半导体层的至少一部分介于第一电极与第二型半导体层之间。第二电极电性连接至第二型半导体层。在一些实施方式中，第二低电阻部位围绕高电阻部位。在一些实施方式中，多个第二低电阻部位具有同样的电阻值。在一些实施方式中，至少一个第二低电阻部位的数量为多个，且第二低电阻部位中的至少两者具有相异的电阻值。在一些实施方式中，高电阻部位定义出第一低电阻部位的形状。在一些实施方式中，第一电极与第一低电阻部位的至少一部分接触，第一电极与高电阻部位的至少一部分接触，且第一电极并未接触第二低电阻部位。在一些实施方式中，第一电极与第一低电阻部位的至少一部分接触，且第一电极并未接触高电阻部位与第二低电阻部位。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含第一电流控制层。第一电流控制层的至少一部分介于第一电极与第一型半导体层之间，第一电流控制层具有位于其内的第一开口，第一开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠，且第一电极通过第一开口电性连接至第一低电阻部位。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含第二电流控制层，其中第二电流控制层的至少一部分介于第一型半导体层的顶部表面与第二电极之间，第二电流控制层具有位于其内的第二开口，第二开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含电流控制层，其中电流控制层的至少一部分介于第一电极与第二低电阻部位之间，电流控制层具有位于其内的开口，开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠，且第一电极通过开口电性连接至第一低电阻部位。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含电流控制层，位于第一型半导体层内，其中电流控制层具有位于其内的开口，且开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含主动层，介于第一型半导体层以及第二型半导体层之间，其中电流控制层接触主动层。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含主动层，介于第一型半导体层以及第二型半导体层之间，其中第一型半导体层的一部分将电流控制层与主动层隔开。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含电流控制层，其中电流控制层的至少一部分介于第二电极以及第二型半导体层之间，电流控制层具有位于其内的开口，开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠，且第二电极通过开口电性连接至第二型半导体层。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含电流控制层，位于第二型半导体层内，其中电流控制层具有位于其内的开口，且开口在第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与第一低电阻部位重叠。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含主动层，介于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中电流控制层接触至主动层。在一些实施方式中，发光二极管进一步包含主动层，介于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中第二型半导体层的一部分将电流控制层与主动层隔开。借由上述技术方案，本专利技术发光二极管至少具有以下优点：高电阻部位配置以将电荷载子实质地限制于第一低电阻部位内。更明确而言，因为第一型半导体层的电阻值由第一低电阻部位往高电阻部位侧向增加，当对发光二极管施加偏压时，电荷载子倾向于经由第一低电阻部位流过第一型半导体层，从而增进发光二极管的发光效率。应了解，前述的概要与后文中的具体实施方式是以举例的方式为所请求的专利技术提供更进一步的解释。附图说明图1绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图2绘示图1中的发光二极管的顶视示意图。图3绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的顶视示意图，其中为简洁起见而省略了第一电极。图4绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图5绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图6绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图7绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图8绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图9A绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图9B绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图10为示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图11绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的剖面示意图。图12绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的顶视示意图。图13绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的顶视示意图。图14绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的顶视示意图。图15绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管的顶视示意图。【主要元件符号说明】110：第一型半导体层112：第一低电阻部位114：高电阻部位116：第二低电阻部位117：侧壁118：第三低电阻部位120：主动层130：第二型半导体层140：电流控制层142、172：开口150：第一电极160：第二电极170：电流控制层100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100I、100J、100K、100L、100M、100N、100H1、100H2：发光二极管具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。并且，除非有其他表示，在不同图式中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些图式的绘示是为了清楚表达这些实施方式中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。请参照图1以及图2。图1绘示依据本揭露一些实施方式的发光二极管100A的剖面示意图。图2绘示图1中的发光二极管100A的顶视示意图。依据本揭露的一些实施方式，发光二极管100A包含第一型半导体层110、第一电极150、第二型半导体层130以及第二电极160。第一型半导体层110包含第一低电阻部位112、至少一个第二低电阻部位116以及高电阻部位114。在一些实施方式中，高电阻部位114介本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一型半导体层，包含第一低电阻部位、至少一个第二低电阻部位以及高电阻部位，其中该高电阻部位介于该第一低电阻部位以及该第二低电阻部位之间，该高电阻部位包围该第一低电阻部位，且该第一型半导体层的电阻值由该第一低电阻部位往该高电阻部位增加，并由该高电阻部位往该第二低电阻部位减少；第一电极，电性连接至该第一低电阻部位，且在该第一电极与该第二低电阻部位之间没有电流流通，其中该高电阻部位配置以将电荷载子限制于该第一低电阻部位内部；第二型半导体层，其中该第一型半导体层的至少一部分介于该第一电极与该第二型半导体层之间；以及第二电极，电性连接至该第二型半导体层。

【技术特征摘要】
2017.12.20 US 15/849,6281.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一型半导体层，包含第一低电阻部位、至少一个第二低电阻部位以及高电阻部位，其中该高电阻部位介于该第一低电阻部位以及该第二低电阻部位之间，该高电阻部位包围该第一低电阻部位，且该第一型半导体层的电阻值由该第一低电阻部位往该高电阻部位增加，并由该高电阻部位往该第二低电阻部位减少；第一电极，电性连接至该第一低电阻部位，且在该第一电极与该第二低电阻部位之间没有电流流通，其中该高电阻部位配置以将电荷载子限制于该第一低电阻部位内部；第二型半导体层，其中该第一型半导体层的至少一部分介于该第一电极与该第二型半导体层之间；以及第二电极，电性连接至该第二型半导体层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该第二低电阻部位围绕该高电阻部位。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中多个所述第二低电阻部位具有同样的电阻值。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该至少一个第二低电阻部位的数量为多个，且所述第二低电阻部位中的至少两者具有相异的电阻值。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该高电阻部位定义出该第一低电阻部位的形状。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该第一电极与该第一低电阻部位的至少一部分接触，该第一电极与该高电阻部位的至少一部分接触，且该第一电极并未接触该第二低电阻部位。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：其中该第一电极与该第一低电阻部位的至少一部分接触，且该第一电极并未接触该高电阻部位与该第二低电阻部位。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包含：第一电流控制层，其中该第一电流控制层的至少一部分介于该第一电极与该第一型半导体层之间，该第一电流控制层具有位于其内的第一开口，该第一开口在该第一型半导体层的顶部表面上的垂直投影至少部分地与该第一低电阻部位重叠，且该第一电极通过该第一开口电性连接至该第一低电阻部位。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，进一步包含：第二电流控制层，其中该第二电流控制层的至少一部分介...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚,WS