一种氮化镓基发光二极管外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底上的n型氮化镓基外延层、氮化镓基有源层、p型氮化镓基外延层；其中：所述氮化镓基有源层和p型氮化镓基外延层之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层，所述含硼氮化镓基电子阻挡层厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1‑a‑bN，其中0.03≦a≦0.3,0≦b≦0.97，所述衬底为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。本实用新型专利技术的优点在于：采用了含硼氮化镓基电子阻挡层，含硼氮化镓基电子阻挡层相较于传统的铝镓氮电子阻挡层,含硼氮化镓基电子阻挡层的导带底和价带顶位置皆较高,对外延结构中氮化镓基有源层的电子局限和电洞注入都有助益。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基发光二极管外延结构
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种氮化镓基发光二极管外延结构。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiode，简称LED）是一种能将电能转化为光的二极管器件，与白炽灯和荧光灯等常见光源相比，具有体积小、寿命长、光效高、响应快、绿色环保等优点，其中蓝光LED加黄色萤光粉的白光方案在照明领域更已大量的取代白炽灯和萤光灯。氮化镓基外延作为制备绿、蓝到紫外光LED的主要外延技术，近年来发展迅速,而氮化镓基外延结构中,如何在有源层中将电子和空穴进行最大化的复合，是外延结构设计的关键。常规氮化镓基发光二极管外延结构中，电子的迁移率远大于空穴，这导致在外延结构中,有源层的电子容易溢流到p型半导体层,使有源层中电子和空穴的复合效率下降，因此，为了将电子局限在有源层中，一般会在外延结构的有源层和p型半导体层之间设置一电子阻挡层。常见氮化镓基发光二极管外延结构的电子阻挡层选用的是铝镓氮材料，对电子阻挡层而言,如何提升其电子的阻挡效果和空穴的注入效果,是电子阻挡层研究设计的重点，如中国专利申请号为201210122392.X的专利中，李文兵等人提到的采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底（10）上的n型氮化镓基外延层（20）、氮化镓基有源层（30）、p型氮化镓基外延层（50）；其特征在于：所述氮化镓基有源层（30）和p型氮化镓基外延层（50）之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层（40），所述含硼氮化镓基电子阻挡层（40）厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1‑a‑bN，其中0.03≦a≦0.3, 0≦b≦0.97，所述衬底（10）为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括依次设置在衬底（10）上的n型氮化镓基外延层（20）、氮化镓基有源层（30）、p型氮化镓基外延层（50）；其特征在于：所述氮化镓基有源层（30）和p型氮化镓基外延层（50）之间设置有含硼氮化镓基电子阻挡层（40），所述含硼氮化镓基电子阻挡层（40）厚度为3nm～100nm,组份为BaAlbGa1-a-bN，其中0.03≦a≦0.3,0≦b≦0.97，所述衬底（10）为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管外延结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36