一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底和氮化镓基的发光二极管外延结构，其中：复合衬底包含衬底和氧化锌纳米棒阵列，而所述发光二极管外延结构为依次生长在氧化锌纳米棒阵列上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。本实用新型专利技术的优点在于：一方面，氧化锌与氮化镓具有相同的晶体结构，相近的晶格常数和禁带宽度，晶格常数失配很小（约1.8%），在上述复合衬底上生长氮化镓外延结构可以得到缺陷密度低的高质量外延结构层；另一方面，氧化锌纳米棒可以采用简单的酸腐蚀去除，使衬底从外延结构层上剥离，剥离速度快，且外延结构层上没有氧化锌残留有利于后续工艺的制作。

【技术实现步骤摘要】
一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiode，LED）具有电光转换效率高、使用寿命长、环保、节能、低热、高亮度和反应速度快等优点，目前已经广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。目前氮化镓基发光二极管外延结构多采用蓝宝石作为衬底进行外延生长，而蓝宝石衬底因为有不导电和散热差的问题，使高性能氮化镓基发光二极管芯片制作有将蓝宝石衬底剥离的需求，目前蓝宝石衬底的剥离一般采用激光剥离（LaserLift-Off，LLO）技术去除。然而，激光剥离技术在操作上存在以下弊端：第一，采用高能激光束辐照外延层，会对外延层造成一定的损伤，从而影响发光二极管的性能，第二，当氮化镓基材料受到高能激光束辐照时，会在与衬底的界面处发生分解反应，产生氮气，但是这些气体只能局限在激光光斑面积大小的有限区域中而产生很高的气压，容易造成外延层开裂。第三，采用激光剥离技术所用到的设备成本相对较高。综合上述问题，采用激光剥离技术实现衬底剥离成本偏高，且会影响氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底（10）和氮化镓基的发光二极管外延结构（20），其特征在于：复合衬底（10）包含衬底（101）和氧化锌纳米棒阵列（102），而所述发光二极管外延结构（20）为依次生长在氧化锌纳米棒阵列（102）上的n型半导体层（201）、有源层（202）和p型半导体层（203）。

【技术特征摘要】
1.一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底（10）和氮化镓基的发光二极管外延结构（20），其特征在于：复合衬底（10）包含衬底（101）和氧化锌纳米棒阵列（102），而所述发光二极管外延结构（20）为依次生长在氧化锌纳米棒阵列（102）上的n型半导体层（201）、有源层（202）和p型半导体层（203）。2.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述衬底（101）可以为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氧化锌衬底、氧化镓衬底或石英衬底。3.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述衬底（101）上生长氧化锌纳米棒阵列（102）之前，可以在所述衬底（101）上优先沉积氧化锌或氮化镓或氮化铝的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36