一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其中：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层。本实用新型专利技术的优点在于：采用氧化镓（Ga2O3）作为化学剥离的牺牲层，一方面氧化镓与氮化镓材料的晶格失配度较低，在氧化镓上可以成长出高品质的氮化镓基LED外延结构,另一方面氧化镓和弱酸容易发生反应而被去除（而氮化镓不会和弱酸发生反应），所以在一种有氧化镓牺牲层的氮化镓基LED外延结构中,可以利用弱酸溶液去除氧化镓牺牲层,完成衬底与氮化镓基LED外延结构层的剥离。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构。
技术介绍
氮化镓（GaN）基发光二极管（LED，LightEmittingDiode）目前的衬底主流为蓝宝石衬底，但因为蓝宝石材料本身热导率差和不导电的特性，对某些LED产品的设计与制作有将蓝宝石衬底剥离的需求。如大功率LED芯片因为散热需求，需要将蓝宝石衬底剥离下来，垂直结构的LED则需要将不导电的蓝宝石衬底剥离来制备一侧电极，MicroLED则因为尺寸和转移方面的考量，需要将蓝宝石衬底剥离等。如何将氮化镓基LED的蓝宝石衬底剥离下来，要求既不损伤氮化镓基LED外延结构层，又能实现蓝宝石衬底的重复使用，一直是氮化镓基LED蓝宝石衬底剥离技术的发展方向。目前，氮化镓基LED蓝宝石衬底剥离的方式主要有物理激光剥离和化学蚀刻牺牲层剥离。物理激光剥离衬底方式容易对氮化镓基LED外延结构层造成损伤而影响LED产品性能。化学蚀刻牺牲层剥离衬底方式则对牺牲层的选择要求比较高，如牺牲层和其上的外延层晶格匹配度不好，会对外延层的品质有重大的影响。
技术实现思路
（一）解决的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其特征在于：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层。

【技术特征摘要】
1.一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其特征在于：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层。2.根据权利要求1所述的一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，其特征在于：所述衬底为碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板中的一种。3.根据权利要求1所述的一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，其特征在于：所述氧化镓牺牲层厚度为100nm～10um。4.根据权利要求1所述的一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：武良文，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36