结构的显微光刻制造制造技术

在基底上形成的压印层中的微米和纳米图案和用于形成这样的层的光刻法。这些层包括多个结构，和具有从基底的表面延伸到结构底部的残留层厚度(RLT)的残留层，其中RLT根据预定图案在基底表面上变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】结构的显微光刻制造对相关申请的交叉引用本申请要求2016年10月18日提交的美国临时申请No.62/409,533的申请日的权益。美国申请No.62/409,533的内容全文经此引用并入本文。本专利技术的
本专利技术涉及具有所需几何结构的微米和纳米结构，还涉及制造这样的结构的显微光刻方法。专利技术背景纳米制造包括具有大约100纳米或更小级别的构件(feature)的极小结构的制造。纳米制造具有巨大影响的一个用途是在集成电路的加工中。半导体加工工业继续追求更大产量，同时增加在基底上形成的每单位面积的电路，因此纳米制造变得越来越重要。纳米制造在允许继续降低形成的结构的最小构件尺寸的同时提供更高工艺控制。已经使用纳米制造的其它发展领域包括生物技术、光学技术、机械系统等等。纳米制造可包括加工基底以在基底上形成包括微米和纳米结构的图案的材料层。形成此类结构的一种示例性方法是压印光刻。专利技术概述本说明书涉及在压印层中形成具有厚度不等的残留层和在基底中的蚀刻深度不等的构件的微米和纳米图案的方法。这样的微米和纳米图案例如可用于制造用于光学波导的更高效衍射图案。本公开的实施方案包括通过根据预定图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造可变深度图案的方法，所述方法包含：根据预定图案在基底表面上分配压印流体；使压印流体与压印光刻模板的表面接触以使压印流体填充压印光刻模板的表面中的构件；和将压印流体固化成图案化层，由此在图案化层中形成：与压印光刻模板的构件对应的结构，和具有从基底的表面延伸到结构底部的残留层厚度(RLT)的残留层，其中图案化层的第一部分的第一RLT不同于图案化层的第二部分的第二RLT。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.18 US 62/409,5331.一种制造可变深度图案的方法，所述方法包含：根据预定图案在基底表面上分配压印流体；使压印流体与压印光刻模板的表面接触以使压印流体填充压印光刻模板的表面中的构件；和将压印流体固化成图案化层，由此在图案化层中形成：与压印光刻模板的构件对应的结构，和具有从基底的表面延伸到结构底部的残留层厚度(RLT)的残留层，其中图案化层的第一部分的第一RLT不同于图案化层的第二部分的第二RLT。2.权利要求1的方法，其中在第一部分和第二部分之间的区域中的RLT从第一RLT向第二RLT逐渐变化。3.权利要求1的方法，其中从第一RLT到第二RLT的RLT变化在第一部分和第二部分之间的区域中是阶梯变化。4.权利要求1的方法，其中分配压印流体包含以滴的图案分配压印流体，其中在基底表面各处分配的滴的体积根据预定图案而变化。5.权利要求4的方法，其中滴的图案在预定区域中对应于固定的滴密度。6.权利要求4的方法，其中滴的图案在预定区域中对应于变化的滴密度。7.权利要求1的方法，其中分配压印流体包含用喷射分配系统分配压印流体。8.权利要求1的方法，其进一步包含蚀刻图案化层和基底，其中蚀刻到基底中的构件的深度根据RLT的变化而变化。9.权利要求1的方法，其中压印光刻模板中的构件具有一致的构件深度。10.权利要求9的方法，其中所述压印光刻模板是主模板并且在蚀刻后，所述基底是光刻子主模板，且其中所述方法进一步包含：在第二基底的表面上分配第二压印流体，其体积在基底表面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·辛格，K·娄，M·N·米勒，S·杨，F·Y·徐，
申请(专利权)人：分子印记公司，
类型：发明
国别省市：美国,US