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在基底上形成的压印层中的微米和纳米图案和用于形成这样的层的光刻法。这些层包括多个结构，和具有从基底的表面延伸到结构底部的残留层厚度(RLT)的残留层，其中RLT根据预定图案在基底表面上变化。...
该专利属于分子印记公司所有，仅供学习研究参考，未经过分子印记公司授权不得商用。

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