烘干槽及湿法刻蚀机制造技术

技术编号:21255230 阅读:23 留言:0更新日期:2019-06-01 12:15
本实用新型专利技术揭示了一种烘干槽,及包括该烘干槽的湿法刻蚀机,所述烘干槽包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。由于烘干上风机吹出的风直接吹向硅片,也就是说,烘干上风机与硅片之间没有上滚轮以及其它部件,可以避免烘干上风机吹出的风经过上滚轮及其它部件后吹向硅片,从而避免上滚轮及其它部件对硅片施力而造成的滚轮印、碎片等不良降级,从而提高产品合格率。

Drying tank and wet etcher

The utility model discloses a drying trough and a wet etching machine including the drying trough, which comprises a trough body and a lower roller for carrying silicon wafers arranged in the trough body. The lower roller drives the silicon wafer to move along the forward direction of the silicon wafer. The drying trough also includes a drying upper fan and a drying lower fan arranged on both sides of the lower roller, respectively. The drying trough comprises a drying upper fan and a drying lower fan. The wind from the upper fan directly blows to the silicon wafer. Because the wind blown by the drying upper fan blows directly to the silicon wafer, that is to say, there is no upper roller and other parts between the drying upper fan and the silicon wafer, it can avoid the wind blown by the drying upper fan blows to the silicon wafer after passing through the upper roller and other parts, thus avoiding the bad degradations of the wheel prints and fragments caused by the force exerted by the upper roller and other parts on the silicon wafer wafer, thereby improving the product qualification rate. \u3002

【技术实现步骤摘要】
烘干槽及湿法刻蚀机
本技术涉及太阳能应用设备
,特别涉及一种烘干槽,及包括该烘干槽的湿法刻蚀机。
技术介绍
随着世界范围内能源危机的爆发,风压和太阳能等可再生能源得到越来越广泛的应用,从而带动了可再生能源发电系统的蓬勃发展。在众多的可再生能源中,太阳能分布较为广泛,且从我国的地理分布情况来看,我国大部分地区的太阳能辐射量都比较丰富,因此,太阳能的开发和应用更为便捷。光伏发电系统是人们利用太阳能的一种主要方式,其主要部件是太阳能电池。太阳能电池是由硅片经过表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷烧结等工艺过程制备而成。其中,刻蚀工艺是太阳能电池片制造过程中的一个重要工序,目的是去除硅片下表面及四个侧面的PN结,以达到上下表面绝缘的目的,同时去除上表面的磷硅玻璃层。当前太阳能电池制造时常用的一种刻蚀方法是湿法刻蚀,通过化学试剂腐蚀掉硅片下表面及四个侧面的PN结和磷硅玻璃层,湿法刻蚀机为太阳能电池湿法刻蚀的重要设备。目前,所使用的湿法刻蚀机主要包括机体,所述机体上设置有用于输送硅片的输送滚轮,在输送滚轮的下方沿硅片的移动方向依次设置有刻蚀槽、碱洗槽、清洗槽、烘干槽。请参见图1,现有技术中,湿法刻蚀机台的烘干槽,包括槽体、设置在槽体中的用于承载硅片200的下滚轮20,与下滚轮20间隔一定距离设置的上滚轮10,硅片200夹在上滚轮10和下滚轮20之间,下滚轮20驱动硅片200沿硅片前进方向移动,烘干槽还包括设置在上滚轮10上侧的烘干上风机30、设置在下滚轮20下侧的烘干下风机40,烘干上风机30和烘干下风机40的风向均垂直于硅片前进方向,当烘干槽运行时,硅片200的PN面均会受到上下风机的较大风压,硅片200会大幅度抖动,烘干上风机30吹出的风经过上滚轮10吹向硅片200,上滚轮10会对硅片200施力而按压硅片200,容易导致了滚轮印、碎片等不良降级。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种烘干槽,该烘干槽可以有效避免硅片在烘干槽抖动,减少滚轮印/碎片等不良降级。为实现上述技术目的,本技术提供一种烘干槽,包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,其特征在于:所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机吹出的风向相对所述硅片前进方向倾斜并与硅片前进方向相反。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机的吹出的风向与所述硅片前进方向的夹角在30度至45度之间。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干下风机吹出的风向可以分解为第一风向和第二风向,所述第一风向垂直于所述硅片前进方向,所述第二风向与硅片前进方向相反。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述第二风向的风压大于所述第一风向的风压。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干上风机吹出的风向垂直于所述硅片前进方向,所述第一风向与所述烘干上风机的风向相反,所述烘干上风机的风压大于所述第一风向的风压。作为本技术一实施方式的进一步改进,沿靠近所述烘干上风机的方向,所述烘干下风机的出风口面积逐渐增大。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干上风机的风量大于所述烘干下风机的风量。作为本技术一实施方式的进一步改进,所述烘干上风机的数量大于所述烘干下风机的数量,所述烘干下风机设置在两个烘干上风机之间。与现有技术相比,本技术的有益效果在于:由于烘干上风机吹出的风直接吹向硅片,也就是说,烘干上风机与硅片之间没有上滚轮以及其它部件,可以避免烘干上风机吹出的风经过上滚轮及其它部件后吹向硅片,从而避免上滚轮及其它部件对硅片施力而造成的滚轮印、碎片等不良降级,从而提高产品合格率。本技术的另一目的在于提供一种湿法刻蚀机,所述湿法刻蚀机包括上述任一所述的烘干槽。与现有技术相比,本技术的有益效果在于:由于该湿法刻蚀机的烘干上风机吹出的风直接吹向硅片,也就是说,烘干上风机与硅片之间没有上滚轮以及其它部件,可以避免烘干上风机吹出的风经过上滚轮及其它部件后吹向硅片,从而避免上滚轮及其它部件对硅片施力而造成的滚轮印、碎片等不良降级,从而提高产品合格率。附图说明图1是现有技术的湿法刻蚀机的烘干槽的结构示意图;图2是本技术具体实施方式的湿法刻蚀机的烘干槽的结构示意图;图3是图2所示的烘干槽的烘干下风机的左视图。需要说明的是,附图采用的是示意图并非实际产品图,例如,从图面所示的角度看,真实的上滚轮和下滚轮是垂直于纸面且间隔设置的一根根圆柱,而附图分别以长方形代表一排上滚轮和一排下滚轮,采用示意图是为了清楚的表达本技术的专利技术要点,并不对本技术构成限制。后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本技术的一些具体实施方式。附图中以相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解,这些附图未必是按比例绘制的。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。在本申请的各个图示中,为了便于图示,结构或部分的某些尺寸会相对其它结构或部分夸大,因此,附图仅用于图示出本申请的主题的基本结构。需要理解的是,在本技术的描述中,术语“上”“下”以湿法刻蚀机正常使用的状态为参考。这些指示方位或位置关系的术语,包括但不限于“上”“下”,仅是为了方便描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。请参见图2,本技术实施方式提供的烘干槽100,包括槽体、设置在槽体中的用于承载硅片200的下滚轮120,下滚轮120驱动硅片200沿硅片前进方向A移动,烘干槽100还包括分别设置在下滚轮120两侧的烘干上风机130和烘干下风机140,烘干上风机130吹出的风直接吹向硅片200。由于烘干上风机130吹出的风直接吹向硅片200,也就是说,烘干上风机130与硅片200之间没有上滚轮以及其它部件,可以避免烘干上风机130吹出的风经过上滚轮及其它部件后吹向硅片200,从而避免上滚轮及其它部件在烘干上风机130的作用下对硅片200施力而造成的滚轮印、碎片等不良降级,从而本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种烘干槽,包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,其特征在于:所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。

【技术特征摘要】
1.一种烘干槽,包括槽体、设置在所述槽体中的用于承载硅片的下滚轮,所述下滚轮驱动所述硅片沿硅片前进方向移动,所述烘干槽还包括分别设置在所述下滚轮两侧的烘干上风机和烘干下风机,其特征在于:所述烘干上风机吹出的风直接吹向所述硅片。2.根据权利要求1所述的烘干槽,其特征在于:所述烘干下风机吹出的风向相对所述硅片前进方向倾斜并与硅片前进方向相反。3.根据权利要求2所述的烘干槽,其特征在于:所述烘干下风机的吹出的风向与所述硅片前进方向的夹角在30度至45度之间。4.根据权利要求2所述的烘干槽,其特征在于:所述烘干下风机吹出的风向可以分解为第一风向和第二风向,所述第一风向垂直于所述硅片前进方向,所述第二风向与硅片前进方向相反。5.根据权利要求4所述的烘...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨健费正洪
申请(专利权)人:盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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