一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺，其具体工艺步骤如下：(1)使用湿法氧化工艺在P‑型(100)硅基底上形成氧化层；(2)在P‑型(100)硅基底的正面依次进行旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影形成图案，露出需要刻蚀区域的氧化层后烘干；(3)使用缓冲氧化物刻蚀水溶液(BOE)对暴露出的氧化层进行刻蚀，去光刻胶；(4)通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)各向异性刻蚀溶液，在P‑型(100)硅基底正面形成倾斜面，该倾斜面作为反射平面用来改变入射光线的传播路径。本发明专利技术通过采用光线聚集器，使得热电堆红外探测器敏感区域所获得的红外入射光线照射量大大增加，提高热电堆红外探测器的响应率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种聚集器，具体是一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺。
技术介绍
随着微机电系统(MicroElectroMechanicalsystems，MEMS)技术的发展，微机械热电堆红外探测器也得到广泛应用。和传统的红外探测器相比，热电堆红外探测器具有无需致冷，功耗低，集成度高，适合批量制造等优点，微机械热电堆红外探测器现已广泛应用于国防和民用领域。热电堆红外探测器是基于塞贝克效应把热能转换为电能的最重要的应用之一。塞贝克效应具体是指两种不同导体A、B连接成回路。若这个回路中两个连接点分别处于不同温度场T1和T2，并且T2＞T1,即分别处在热端和冷端，则会在回路中产生由于接点温度差(T1-T2)引起的电势差。由于红外吸收区和热电堆的热结区都位于悬浮支撑薄膜上，和硅基体实现了良好的热隔离，当红外辐射信号被红外吸收区吸收，红外吸收区和热电堆热结区的温度就会上升；而热电堆冷结区由于位于硅基体上，其温度保持为环境温度；由于热电堆的塞贝克效应，热结区和冷结区的温度差被转换成电压信号输出，通过检测输出电压就可以检测红外辐射。光照射到介质上时，存在被散射、被投射、被反射以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺，其特征在于，其具体工艺步骤如下：(1)使用湿法氧化工艺在P‑型(100)硅基底上形成氧化层；(2)在P‑型(100)硅基底的正面依次进行旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影形成图案，露出需要刻蚀区域的氧化层后烘干；(3)使用缓冲氧化物刻蚀水溶液(BOE)对暴露出的氧化层进行刻蚀，去光刻胶；(4)通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)各向异性刻蚀溶液，在P‑型(100)硅基底正面形成倾斜面，该倾斜面作为反射平面用来改变入射光线的传播路径；(5)在P‑型(100)硅基底的背面用化学机械研磨工艺对P‑型(100)硅基底进行减薄，减薄至形成正反面贯通的广口孔洞；...

【技术特征摘要】
1.一种用于热电堆红外探测器的入射光线聚集器的制作工艺，其特征在于，其具体工艺步骤如下：(1)使用湿法氧化工艺在P-型(100)硅基底上形成氧化层；(2)在P-型(100)硅基底的正面依次进行旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影形成图案，露出需要刻蚀区域的氧化层后烘干；(3)使用缓冲氧化物刻蚀水溶液(BOE)对暴露出的氧化层进行刻蚀，去光刻胶；(4)通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)各向异性刻蚀溶液，在P-型(100)硅基底正面形成倾斜面，该倾斜面作为反射平面用来改变入射光线的传播路径；(5)在P-型(100)硅基底的背面用化学机械研磨工艺对P-型(100)硅基底进行减薄，减薄至形成正...

【专利技术属性】
技术研发人员：武斌，张绍达，李昭豪，
申请(专利权)人：深圳市美思先端电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44