The invention discloses a gas analyzer pyroelectric detector preparation method includes seven steps of preparation, the invention adopts porous SiO2 thin film materials inorganic organic hybrid as thermal insulation structure, overcomes the disadvantages of using micro bridge structure and suspended structure and air gap structure as the integrated thermal insulation device exists the mechanical strength of the structure is poor, easy to crack and collapse, shedding problems, improve the mechanical properties of the integrated pyroelectric detector chip and anti impact property.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电及微机电系统
,具体的涉及一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法。
技术介绍
由于绝大部分有毒有害气体对某一波段的光谱都具有一定的吸收,所以依据这一光谱的吸收原理就能实现有毒有害气体分析仪的制备。一般地说,有毒有害气体对某一波段的光谱的吸收吻合比耳-朗伯定律:P=P0Exp(-kcl)其中P0为光源所产生的能量P为通过存在待测气体环境后所剩余的能量,k为吸收系数,l为光源距探测器单元的距离,c为待测气体浓度。在实际应用中,由光源发出的光辐射到被光谱传感器上转化为电压信号,传感器的电压输出受气室中气体吸收的影响而变化,气体浓度越高,被吸收的光越高,传感器上的输出电压越低,气体浓度越低,吸收的光越少,传感器输出的电压越高。传感器输出的电压经前置放大器、差分放大器放大后,进入单片计算机或DSP数字信号处理器进行计算,根据数学模型和有关参数计算出浓度。光谱传感器是有毒有害气体分析仪的核心电子元器件,它的性能参数直接影响到气体分析仪的性能如检测灵敏度。可供选择的气体分析仪所用的光谱能量接收器件有热电堆型探测器、热敏电阻型探测器及热释电探测器三大类。热电堆型探测器电压响应信号较小,而且温度噪声太大,热敏电阻型探测器温度噪声太大,极难校正。所以热释电探测器是应用的主流。根据光谱传感器器件所采用的光电功能材料的形态的不同,热释电传感器的技术路线共有两条可供选择:一条是采用陶瓷材料或晶体材料的混合式器件工艺技术路线,另一条是采用薄膜材料的集成式器件工艺技术路线。混合式器件的制备需要先把光敏元材料(铁电陶瓷)减薄、研磨、抛光后再蒸镀上下电极,随之再 ...
【技术保护点】
一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法,其步骤如下:步骤一:以单晶硅为基体,表面制备无机‑有机杂化的多孔SiO2薄膜为热绝缘结构薄膜;步骤二:采用直流磁控溅射法在无机‑有机杂化的多孔SiO2薄膜上制备铂/钛金属薄膜为下电极薄膜并采用正胶剥离法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤三:采用射频磁控溅射法或溶胶凝胶法在铂/钛金属薄膜上制备光电薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤四:采用直流磁控溅射法或真空热蒸发法在光电薄膜上制备上电极薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤五:采用等离子增强化学沉积法在上电极薄膜上生长一层芯片保护层,并按设计要求完成划片;步骤六:按设计要求按常规方法制备基于阻抗变换的信号处理电路,并完成芯片与信号处理电路板之间的粘接及引线焊接;步骤七:按设计要求将芯片与信号处理电路板封装于带红外窗口及底座的外壳中,即完成了集成式热释电光谱探测器的制作。
【技术特征摘要】
1.一种气体分析仪热释电光谱探测器的制备方法,其步骤如下:步骤一:以单晶硅为基体,表面制备无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜为热绝缘结构薄膜;步骤二:采用直流磁控溅射法在无机-有机杂化的多孔SiO2薄膜上制备铂/钛金属薄膜为下电极薄膜并采用正胶剥离法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤三:采用射频磁控溅射法或溶胶凝胶法在铂/钛金属薄膜上制备光电薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤四:采用直流磁控溅射法或真空热蒸发法在光电薄膜上制备上电极薄膜并采用干发及湿发腐蚀法完成图形化,其大小尺寸根据设计要求而定;步骤五:采用等离子增强化学沉积法在上电极薄膜上生长一层芯片保护层,并按设计要求完成划片;步骤六:按设计要求按常规方法制备基于阻抗变换的信号处理电路,并完成芯片与信号处理电路板之间的粘接及引线焊接;步骤七:按设计要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨红飞,李皓瑜,刘宇翔,钟韬,崔茂荣,
申请(专利权)人:昆明斯派特光谱科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:云南;53
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