电子封装件及其制法制造技术

一种电子封装件及其制法，包含有第一线路结构，结合于该第一线路结构上的电子元件与多个导电柱，以及包覆该导电柱的包覆层，其中，该导电柱包含有第一柱部与第二柱部，且该第一柱部的宽度不同于该第二柱部的宽度，藉以增加该导电柱与该包覆层之间的结合性。

Electronic Package and Its Manufacturing Method

An electronic package and its manufacturing method comprise a first circuit structure, an electronic component combined with a plurality of conductive columns on the first circuit structure, and a cladding layer covering the conductive column, wherein the conductive column comprises a first column and a second column, and the width of the first column is different from the width of the second column, thereby increasing the junction between the conductive column and the cladding layer. Homozygous.

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种半导体封装技术，尤指一种可靠性佳的电子封装件及其制法。
技术介绍
随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductordevice)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂开发出不同的立体封装技术，例如，扇出式封装堆叠(FanOutPackageonpackage，简称FOPoP)等，以配合各种晶片上大幅增加的输入/出埠数量，进而将不同功能的集成电路整合于单一封装结构，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，通过堆叠设计达到系统的整合，适合应用于轻薄型电子产品。图1为现有用于PoP的半导体封装件1的剖面示意图。如图1所示，该半导体封装件1包括一具有至少一线路层101的封装基板10、结合于该线路层101上的一半导体元件11、包覆该半导体元件11的封装胶体15、及嵌埋于该封装胶体15内的铜柱14。具体地，该半导体元件11具有相对的作用面11a与非作用面11b，该作用面11a具有多个电极垫110，以透过多个焊锡凸块12设于该封装基板10上。此外，于该封装基板10上形成有多个铜柱14以及一封装胶体15，且该封装胶体15包覆该半导体元件11及该铜柱14，并通过研磨制程令该铜柱14的端面外露出封装胶体15，以供后续通过焊球(图略)结合一如半导体晶片、硅中介板或封装结构等的电子装置(图略)。然而，前述半导体封装件1于研磨制程时，由于该铜柱14与该封装胶体15之间的接合力不佳，故该铜柱14的支撑性不够，容易导致研磨时，该铜柱14与该封装胶体15之间产生缝隙而造成脱层，以致于电性连接品质不佳，进而影响产品的可靠度。因此，如何克服现有技术的缺点，实为目前各界亟欲解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，可增加该导电柱与该包覆层之间的结合性。本专利技术的电子封装件，包括：第一线路结构，其具有多个电性连接垫及相对的第一侧与第二侧，且该电性连接垫的表面为平面；多个导电柱，其形成于该电性连接垫上并立设于该第一线路结构的第一侧上，其中，该导电柱包含有第一柱部与第二柱部，且该第一柱部的宽度不同于该第二柱部的宽度；电子元件，其设于该第一线路结构的第一侧上；以及包覆层，其形成于该第一线路结构的第一侧上，以包覆该导电柱，并令该导电柱的端面外露出该包覆层。本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一第一线路结构，该第一线路结构具有多个电性连接垫、及相对的第一侧与第二侧，且该电性连接垫的表面为平面；于该第一线路结构的第一侧上设置至少一电子元件，并于该电性连接垫上形成多个导电柱，使该导电柱立设于该第一线路结构的第一侧上，其中，该导电柱包含有第一柱部与第二柱部；以及形成包覆层于该第一线路结构的第一侧上，以包覆该导电柱，并令该导电柱的端面外露出该包覆层。前述的制法中，该导电柱的制作利用调整电镀参数，使高电流密度与低电流密度电镀出不同晶粒尺寸的柱体，再利用蚀刻液对不同晶粒尺寸的蚀刻率差异而形成，使该第一柱部的宽度不同于该第二柱部的宽度。例如，该电镀参数为改变电流大小、改变电压大小、改变搅拌强弱、改变电镀模式、改变电镀药水或改变电镀药水温度。前述的电子封装件及其制法中，该第一柱部或该第二柱部的其中一者为多个，且该第一柱部与该第二柱部为交错排列。前述的电子封装件及其制法中，该第一柱部的宽度不同于相邻的该第二柱部的宽度。前述的电子封装件及其制法中，该第一柱部的厚度同于或不同于该第二柱部的厚度。前述的电子封装件及其制法中，该导电柱的表面呈现阶梯状。前述的电子封装件及其制法中，该包覆层的上表面与该导电柱的端面共平面。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成多个导电元件于该第一线路结构的第二侧上。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成第二线路结构于该包覆层上。前述的电子封装件及其制法中，该电子元件具有相对的作用面与非作用面，并以该非作用面接置于该第一线路结构的第一侧上，且该作用面上形成有多个外露出该包覆层的导电体。前述的电子封装件及其制法中，该导电柱结合该电子元件，使该电子元件通过该导电柱堆叠于该第一线路结构的第一侧上。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法，主要通过该导电柱包含有宽度不同的第一柱部与第二柱部的设计，以增加该导电柱与该包覆层之间的结合性，并加强该导电柱的支撑性，故相比于现有技术，本专利技术的电子封装件能避免于整平制程时，该导电柱与该包覆层之间产生缝隙，因而能避免脱层的问题，以提升电性连接品质及产品可靠度。附图说明图1为现有半导体封装件的剖面示意图；图2A至图2D为本专利技术的电子封装件及其制法的剖面示意图；图2D’及图2D”为图2D的其它实施例示意图；图3A至图3D为本专利技术的电子封装件的导电柱的制程的剖面示意图；图4A及图4B为图3D的其它实施例示意图；以及图5A至图5H为本专利技术的电子封装件的导电柱的其它实施例示意图。符号说明：1半导体封装件10封装基板101,31线路层11半导体元件11a,21a作用面11b,21b非作用面110电极垫12焊锡凸块120钝化层14铜柱15封装胶体2,2’,2”电子封装件20第一线路结构20a第一侧20b第二侧200第一绝缘层201电性连接垫201a表面202第一线路重布层21电子元件210电极垫211保护膜22导电体23,23’,33,53导电柱23a,53a凹凸表面231,331,431,531第一柱部232,332,432,532第二柱部24,91结合层25包覆层26第二线路结构260,260’第二绝缘层261,261’第二线路重布层27,29,29’导电元件27’表面处理层270凸块底下金属层28绝缘保护层30绝缘层32阻层33a铜柱4半导体晶片40被动元件530阶状组9承载板90离型层A,B区域d1,d2,d3,h1,h2,h3厚度t1,t2宽度。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。请参阅图2A至图2D，其为本专利技术的电子封装件2的制法的剖面示意图。如图2A所示，于承载板9上形成第一线路结构20，该第一线路结构20具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且该第一线路结构20以其第二侧20b结合至该承载板9上。接着，于该第一侧20a上形成多个电性连接该第一线路结构20的导电柱23，且设置至少一电子元件21于该第一线路结构20的第一侧20a上，其中，该电子元件21上结合并电性连接多个导电体22，且该导电体22为如导电线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：第一线路结构，其具有多个电性连接垫及相对的第一侧与第二侧，且该电性连接垫的表面为平面；多个导电柱，其形成于该电性连接垫上并立设于该第一线路结构的第一侧上，其中，该导电柱包含有第一柱部与第二柱部，且该第一柱部的宽度不同于该第二柱部的宽度；电子元件，其设于该第一线路结构的第一侧上；以及包覆层，其形成于该第一线路结构的第一侧上，并包覆该导电柱，且令该导电柱的端面外露出该包覆层。

【技术特征摘要】
2017.11.22 TW 1061405131.一种电子封装件，其特征在于，包括：第一线路结构，其具有多个电性连接垫及相对的第一侧与第二侧，且该电性连接垫的表面为平面；多个导电柱，其形成于该电性连接垫上并立设于该第一线路结构的第一侧上，其中，该导电柱包含有第一柱部与第二柱部，且该第一柱部的宽度不同于该第二柱部的宽度；电子元件，其设于该第一线路结构的第一侧上；以及包覆层，其形成于该第一线路结构的第一侧上，并包覆该导电柱，且令该导电柱的端面外露出该包覆层。2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一柱部或该第二柱部的其中一者为多个，且该第一柱部与该第二柱部为交错排列。3.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一柱部及该第二柱部呈现堆叠组合。4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一柱部的厚度不同于该第二柱部的厚度。5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一柱部的厚度相同于该第二柱部的厚度。6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该导电柱的表面呈现阶梯状。7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该包覆层的一表面与该导电柱的端面共平面，以令该导电柱的端面外露出该包覆层。8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子元件具有相对的作用面与非作用面，并以该非作用面接置于该第一线路结构的第一侧上，且该作用面上形成有多个外露出该包覆层的导电体。9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该导电柱结合该电子元件，使该电子元件通过该导电柱堆叠于该第一线路结构的第一侧上。10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该第一线路结构的第二侧上的多个导电元件。11.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该包覆层上的第二线路结构。12.一种电子封装件的制法，其特征在于，该制法包括：提供一第一线路结构，该第一线路结构具有多个电性连接垫及相对的第一侧与第二侧，且该电性连接垫的表面为平面；于该第一线路结构的第一侧上设置至少一电子元件，并于该电性连接垫上形成多个导电柱，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明滢，孙崧桓，傅凯伶，沈绍平，陈政佑，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71