【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请是申请日为2014年8月6日、国家申请号为201410384218.1、专利技术名称为“半导体器件”的中国专利技术专利申请的分案申请。将2013年8月7日提交的包括说明书、附图和摘要的日本专利申请2013-163965号的公开其全部内容引入本文作为参考。
本专利技术涉及半导体器件及其制造技术，并且涉及可高效地应用于例如其中在半导体芯片之上安装有另一个半导体芯片的半导体器件的技术。
技术介绍
在日本特开2011-187574号公报(专利文献1)中，描述了一种半导体器件，其中在多个存储器芯片的层叠体与布线基板之间配置有包括贯通电极的半导体芯片。另外，在日本特开2010-118522号公报(专利文献2)中，描述了一种半导体器件，其具有用于将相对地配置的电极彼此电连接的焊接凸点，并且其中该焊接凸点与电极中的各个电极的多个部分相连接。专利文献[专利文献1]日本特开2011-187574号公报[专利文献2]日本特开2010-118522号公报
技术实现思路
本专利技术人研究了提高一种半导体器件的性能的技术，在该半导体器件中经由导电性构件例如焊接材...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：布线基板，具有上表面、形成在所述上表面上的多个端子、与所述上表面相对的下表面、以及形成在所述下表面上的多个接合区；第一半导体芯片，具有第一正表面、形成在所述第一正表面上的多个第一正表面电极、第一背表面、以及形成在所述第一背表面上的多个第一背表面电极，并且所述第一半导体芯片安装在所述布线基板的所述上表面上，使得所述第一半导体芯片的所述第一正表面面向所述布线基板的所述上表面；第二半导体芯片，具有第二正表面、形成在所述第二正表面上的多个第二正表面电极、第二背表面、以及形成在所述第二背表面上的多个第二背表面电极，并且所述第二半导体芯片安装在所述第一半导体芯...
【技术特征摘要】
2013.08.07 JP 2013-1639651.一种半导体器件，包括：布线基板，具有上表面、形成在所述上表面上的多个端子、与所述上表面相对的下表面、以及形成在所述下表面上的多个接合区；第一半导体芯片，具有第一正表面、形成在所述第一正表面上的多个第一正表面电极、第一背表面、以及形成在所述第一背表面上的多个第一背表面电极，并且所述第一半导体芯片安装在所述布线基板的所述上表面上，使得所述第一半导体芯片的所述第一正表面面向所述布线基板的所述上表面；第二半导体芯片，具有第二正表面、形成在所述第二正表面上的多个第二正表面电极、第二背表面、以及形成在所述第二背表面上的多个第二背表面电极，并且所述第二半导体芯片安装在所述第一半导体芯片的所述第一背表面上，使得所述第二半导体芯片的所述第二正表面面向所述第一半导体芯片的所述第一背表面；多个第一导电性构件，被布置在所述布线基板和所述第一半导体芯片之间，并且分别将所述多个第一正面电极和所述多个端子电连接；多个第二导电性构件，被布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间，并且分别将所述多个第二正表面电极和所述多个第一背表面电极电连接；以及多个外部端子，分别形成在所述多个接合区上，其中所述多个第一背表面电极具有用于流过第一信号的第一信号电极，以及用于流过第二信号的多个第二信号电极，其中所述多个第二正表面电极具有用于流过所述第一信号的第一信号电极，以及每个用于流过所述第二信号的多个第二信号电极，其中所述多个第二导电性构件具有将所述第一半导体芯片的所述第一信号电极和所述第二半导体芯片的所述第一信号电极电连接的第一信号构件，以及将所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极分别和所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极电连接的多个第二信号构件，其中所述第一信号是时钟使能信号、芯片选择信号、行地址选通信号、列地址选通信号、写入使能信号、地址信号、片地址信号(BA)和复位信号之一，其中所述第二信号是数据信号、数据掩码信号和时钟信号之一，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极之间的距离小于所述第一半导体芯片的所述第一信号电极和所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极中最靠近所述第一半导体芯片的所述第一信号电极的一个第二信号电极之间的距离，其中彼此相邻布置的所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极之间的距离小于所述第二半导体芯片的所述第一信号电极和所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极中最靠近所述第二半导体芯片的所述第一信号电极的第二信号电极之间的距离，以及其中所述多个第二信号构件彼此连接，并且所述多个第二信号构件与所述第一信号构件间隔开。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体芯片是存储器芯片，以及其中所述第一半导体芯片是控制所述存储器芯片的控制芯片。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片具有形成在所述第一半导体芯片的所述第一正表面中的控制电路，以及其中所述第二半导体芯片具有形成在所述第二半导体芯片的所述第二正表面中的存储器电路。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述多个第一导电性构件用第一粘接材料密封，以及其中所述多个第二导电性构件用第二粘接材料密封。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片两者是存储器芯片。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个半导体芯片具有形成在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个半导体芯片的所述第二正表面中的存储器电路。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述多个第二导电性构件用密封体密封。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一信号的脉冲宽度长于所述第二信号。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个第一背表面电极还具有每个用于流过第三信号的多个第三信号电极，以及用于流过第四信号的第四信号电极，其中所述多个第二正表面电极还具有每个用于流过所述第三信号的多个第三信号电极，以及用于流过所述第四信号的第四信号电极，其中所述多个第二导电性构件还具有将所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极和所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极电连接的多个第三信号构件，以及将所述第一半导体芯片的所述第四信号电极和所述第二半导体芯片的所述第四信号电极电连接的第四信号构件，其中所述第三信号是所述数据信号、所述数据掩码信号和所述时钟信号之一，所述第三信号不同于所述第二信号，其中所述第四信号是所述时钟使能信号、所述芯片选择信号、所述行地址选通信号、所述列地址选通信号、所述写入使能信号、地址信号、所述片地址信号和所述复位信号之一，所述第四信号不同于所述第一信号，以及其中所述第一信号和所述第四信号中的每一个信号的脉冲宽度长于所述第二信号和所述第三信号中的每一个信号。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极之间的所述距离小于所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极中的一个第二信号电极和所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极中的所述一个第二信号电极的一个第三信号电极之间的距离，以及其中彼此相邻布置的所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极之间的所述距离小于所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极中的一个第二信号电极和所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极中的所述一个第二信号电极的一个第三信号之间的距离。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的距离小于所述第一半导体芯片的所述第一信号电极和第一半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第一半导体芯片的所述第一信号电极的一个第三信号电极之间的距离，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的所述距离小于所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极中的一个第二信号电极和所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极中的所述一个第二信号电极的一个第三信号电极之间的距离，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的所述距离小于所述第一半导体芯片的所述第一信号电极和所述第一半导体芯片的所述第四信号电极之间的距离，其中彼此相邻布置的所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的距离小于所述第二半导体芯片的所述第一信号电极和所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第二半导体芯片的所述第一信号电极的一个第三信号电极之间的距离，其中彼此相邻布置的所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的所述距离小于所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极中的一个第二信号电极和所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极中最靠近所述第二半导体芯片的所述多个第二信号电极中的所述一个第二信号电极的一个第三信号电极之间的距离，以及其中彼此相邻布置的所述第二半导体芯片的所述多个第三信号电极之间的所述距离小于所述第二半导体芯片的所述第一信号电极和所述第二半导体芯片的所述第四信号电极之间的距离。12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中彼此相邻布置的所述第一半导体芯片的所述多个第二信号电极之间的所述距离小于所述第一半导体芯片的所述第一信号电极和所述第一半导体芯片的所述第四信号电极之间...
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