A semiconductor device package includes a bottom electronic device, an intermediate layer module, a top electronic device and a double-sided reproducing layer (RDL) structure. The interlayer module contains a plurality of conductive through holes. The top electronic device has an active surface and is arranged on the bottom electronic device and on the intermediate layer module. The double-sided RDL structure is arranged between the bottom electronic device and the top electronic device. The active side of the bottom electronic device is oriented toward the double-sided RDL structure. The active side of the top electronic device faces the double-sided RDL structure. The double-sided RDL structure connects the active surface of the bottom electronic device to the active surface of the top electronic device. The double-sided RDL structure connects the active surface of the top electronic device to the intermediate layer module.
【技术实现步骤摘要】
包含双面重布层之堆栈半导体封装组件
本揭露系关于堆栈半导体封装组件。更明确地说,本揭露系关于包含双面重布层之堆栈半导体封装组件
技术介绍
为了解决更小尺寸和增加功能的趋势,半导体装置变得越来越复杂。例如,为了支持增加的功能,半导体装置可以包括堆栈半导体封装组件,例如封装层迭(package-on-package,POP)结构。POP结构包括堆栈在底部封装上的顶部封装。为了在顶部封装和底部封装之间形成电连接,底部封装的顶部表面可具有暴露的焊垫,顶部封装之底面处的相应焊垫连接到所述暴露的焊垫。POP结构的电连接的改进是需要的。此外,半导体封装可包括具有用于电连接的大量接触垫的装置,例如用于装置的输入和输出。例如,在扇出组态中,电连接可以从半导体装置的接触垫布线到由半导体装置的外围界定的区域的外部。然而,从越来越多的接触垫所形成与布线之电连接可能导致更大的制程复杂度和成本,并且可能占据半导体封装的大量表面积。具体而言,在扇出(fan-out)组态中形成与布线在POP结构中的半导体装置之间的电连接是具有挑战性的。
技术实现思路
在根据一些实施例之一个态样中,一种半导体装置包括 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装,其包括:一底部电子装置,其具有一主动面;一中介层(interposer)模块,其包含复数个导电通孔;一顶部电子装置,其具有一主动面且设置于该底部电子装置之上及该中介层模块之上;一双面(double sided)重布层(RDL)结构,其设置于该底部电子装置与该顶部电子装置之间,该底部电子装置之该主动面朝向该双面RDL结构,该顶部电子装置之该主动面朝向该双面RDL结构,该双面RDL结构将该底部电子装置之该主动面电连接至该顶部电子装置之该主动面,该双面RDL结构将该顶部电子装置之该主动面电连接至该中介层模块。
【技术特征摘要】
2017.09.29 US 15/721,2571.一种半导体装置封装,其包括:一底部电子装置,其具有一主动面;一中介层(interposer)模块,其包含复数个导电通孔;一顶部电子装置,其具有一主动面且设置于该底部电子装置之上及该中介层模块之上;一双面(doublesided)重布层(RDL)结构,其设置于该底部电子装置与该顶部电子装置之间,该底部电子装置之该主动面朝向该双面RDL结构,该顶部电子装置之该主动面朝向该双面RDL结构,该双面RDL结构将该底部电子装置之该主动面电连接至该顶部电子装置之该主动面,该双面RDL结构将该顶部电子装置之该主动面电连接至该中介层模块。2.如请求项1之半导体装置封装,其进一步包括:一第二RDL结构,其设置在该底部电子装置之下且在该中介层模块之下,该中介层模块将该双面RDL结构电连接至该第二RDL结构。3.如请求项2之半导体装置封装,其进一步包括一导电柱,其将该双面RDL结构电连接至该第二RDL结构。4.如请求项1之半导体装置封装,其中该双面RDL结构将该底部电子装置之该主动面电连接至该中介层模块。5.如请求项1之半导体装置封装,其中该中介层模块系一硅通孔(TSV)模块。6.如请求项1之半导体装置封装,其进一步包括:一封装体,其囊封该底部电子装置及该中介层模块,其中该封装体覆盖该底部电子装置之一背面,该底部电子装置之该背面相对于该底部电子装置之该主动面。7.如请求项1之半导体装置封装,其进一步包括:复数个接触垫,其等设置邻近于该底部电子装置之该主动面;及复数个连接器,其等设置于该等接触垫及该双面RDL结构之间,该等连接器将该等接触垫连接至该双面RDL结构,该等连接器包括焊料(solder)。8.一种半导体装置封装,其包括:一底部电子装置,其具有朝向上之一主动面以及相对于该主动面之一背面;一封装体,其囊封该底部电子装置并覆盖该底部电子装置之该背面;一顶部电子装置,其具有朝向下之一主动面且设置于该底部电子装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈慈佑,约翰·理查德·杭特,洪志斌,王陈肇,黄志亿,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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